SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM(Non-volatileSRAM,nvSRAM)具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能,但在失去電源供電時可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM(AsynchronousSRAM)的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存,這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測量設(shè)備、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類型分類---雙極性結(jié)型晶體管(用于TTL與ECL)—非??焖俚枪木薮蟆!记О俾房萍肌教峁W美進(jìn)口全系列存儲器芯片。佛山半導(dǎo)體存儲...
而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進(jìn)行記錄。直接對中心原子的位置進(jìn)行檢測是不能實現(xiàn)的,實際的讀操作過程是:在存儲單元電容上施加一已知電場(即對電容充電),如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達(dá)到的位置相同,則中心原子不會移動;若相反,則中心原子將越過晶體中間層的高能階到達(dá)另一位置,則在充電波形上就會出現(xiàn)一個尖峰,即產(chǎn)生原子移動的比沒有產(chǎn)生移動的多了一個尖峰,把這個充電波形同參考位(確定且已知)的充電波形進(jìn)行比較,便可以判斷檢測的存儲單元中的內(nèi)容是“1”或“0”。無論是2T2C還是1T1C的FRAM,對存儲單元進(jìn)行讀操作時,數(shù)據(jù)位狀態(tài)可能改變而參考位則不會改...
當(dāng)電場從晶體移走后,中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階,中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置,因此FRAM保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,與電磁作用無關(guān),所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響,能夠同普通ROM存儲器一樣使用,具有非易失性的存儲特性。FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的很大寫入次數(shù)的問題。但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有很大訪問(讀)次數(shù)的限制。FRAM的存儲單元主要由電容和場效應(yīng)管構(gòu)成...
動態(tài)隨機存儲器(DynamicRAM)介紹:“動態(tài)”兩字,指的是每隔一定的時間,就需要刷新充電一次,否則存儲器內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會被去除。這是因為存儲器DRAM的每個基本單元,是由一個晶體管加一個電容所構(gòu)成,故存儲器的基本工作邏輯為二進(jìn)制。以電容中有無電荷來表示數(shù)字信號0或1。由于電容漏電快,存儲器為防止因電容漏電而致信息讀取出錯,需周期性地給DRAM電容進(jìn)行充電,故DRAM速度會比SRAM慢。同時,這種簡潔的存儲模式也使DRAM集成度遠(yuǎn)比SRAM要高。一個DRAM存儲單元只需要一個電容加一個晶體管,而每個SRAM單元則需要4-6個晶體管和其他元件,故DRAM在高密度/大容量及成本方面,均比SRAM...
長期被國際巨頭壟斷的存儲器市場終于迎來了中國玩家。在面對和長江存儲一起經(jīng)歷國產(chǎn)NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時,長江存儲CEO楊士寧(Simon)說道:“存儲不是一個好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難。”而長江存儲董事長、紫光集團董事長兼CEO趙偉國在現(xiàn)場也坦言,從2016年7月成立到現(xiàn)在三年多,長江存儲這一“中國半導(dǎo)體有史以來比較大的項目”,經(jīng)歷了從32層到64層研發(fā),過程非常不容易,“回想這三年多,真的是有一種雄關(guān)漫道真如鐵的感覺?!迸c此同時,經(jīng)歷了一年多大蕭條的存儲器市場逐漸回暖,長江存儲這一國產(chǎn)存儲器廠商將迎來發(fā)展良機?!俺鲱A(yù)期”存儲...
每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時候,同時使用EDC/ECC算法。這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當(dāng)然,如...
當(dāng)電場從晶體移走后,中心原子會保持在原來的位置。這是由于晶體的中間層是一個高能階,中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置,因此FRAM保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,與電磁作用無關(guān),所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響,能夠同普通ROM存儲器一樣使用,具有非易失性的存儲特性。FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的很大寫入次數(shù)的問題。但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有很大訪問(讀)次數(shù)的限制。FRAM的存儲單元主要由電容和場效應(yīng)管構(gòu)成...
每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時候,同時使用EDC/ECC算法。這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當(dāng)然,如...
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲密度。并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash存儲器性能比較flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5ms,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)...
大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升,基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動設(shè)備也因功耗問題被人詬病。手機待機功耗中,存儲是用電“大戶”。正因為數(shù)據(jù)需要分級存儲、分級調(diào)取,速度較慢,為讓用戶體驗較快的響應(yīng)速度,數(shù)據(jù)一般存儲在靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器上,斷電數(shù)據(jù)就會丟失,因此需要一直耗電。改變這些,就需要新一代存儲器件,既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度,又具有閃存級別的容量和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機存儲器(STT-MRAM)就是一種接近“萬用存儲器”要求的極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲,具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次...
選擇器類型影響這些存儲器的成本,并且可能是生產(chǎn)這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲單元單元面積是目前所有存儲器可以制造的微小單元面積?;诰w管的存儲單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器的存儲單元具有另一個優(yōu)點,也就是它們可以堆疊以進(jìn)一步降低成本。而到目前為止,還沒有公司試圖堆疊使用晶體管選擇器的存儲單元。雙端選擇器有兩種類型:簡單二極管和雙向選擇器。在這兩者中,二極管更容易設(shè)計。相變存儲器稱之為PRAM,已經(jīng)研究了幾十年,Intel聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore早在1970年就發(fā)表了一篇描述早期原型的論文。相變存儲器...
動態(tài)隨機存儲器(DynamicRAM)介紹:“動態(tài)”兩字,指的是每隔一定的時間,就需要刷新充電一次,否則存儲器內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會被去除。這是因為存儲器DRAM的每個基本單元,是由一個晶體管加一個電容所構(gòu)成,故存儲器的基本工作邏輯為二進(jìn)制。以電容中有無電荷來表示數(shù)字信號0或1。由于電容漏電快,存儲器為防止因電容漏電而致信息讀取出錯,需周期性地給DRAM電容進(jìn)行充電,故DRAM速度會比SRAM慢。同時,這種簡潔的存儲模式也使DRAM集成度遠(yuǎn)比SRAM要高。一個DRAM存儲單元只需要一個電容加一個晶體管,而每個SRAM單元則需要4-6個晶體管和其他元件,故DRAM在高密度/大容量及成本方面,均比SRAM...
大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升,基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動設(shè)備也因功耗問題被人詬病。手機待機功耗中,存儲是用電“大戶”。正因為數(shù)據(jù)需要分級存儲、分級調(diào)取,速度較慢,為讓用戶體驗較快的響應(yīng)速度,數(shù)據(jù)一般存儲在靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器上,斷電數(shù)據(jù)就會丟失,因此需要一直耗電。改變這些,就需要新一代存儲器件,既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度,又具有閃存級別的容量和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機存儲器(STT-MRAM)就是一種接近“萬用存儲器”要求的極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲,具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次...
MCU具有什么功能?MCU即微控制器,又稱單片機,把CPU的頻率與規(guī)格縮減,將內(nèi)存、計數(shù)器、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等整合在一個芯片上,形成芯片級的計算機。MCU應(yīng)用廣。很常見的是消費類電子、工業(yè)領(lǐng)域、汽車電子。MCU的分類:按用途分,可分為通用型和特用型。按總線寬度分:可分為1、4、8、16、32、64位。按照存儲器類型:可分為無片內(nèi)ROM型、帶片內(nèi)ROM型。按存儲器結(jié)構(gòu)分:哈佛結(jié)構(gòu)、馮諾依曼結(jié)構(gòu)。一款好的MCU具有的特點:抗干擾能力強,指令總數(shù)少,速度快,有的可在線編程。程序存儲器使用效率高,可靠性高。不發(fā)生多字節(jié)指令系統(tǒng)錯誤。國產(chǎn)單片機MCU系列代理,為用...
但是決定使用FRAM之前,必須確定系統(tǒng)中一旦超出對FRAM的100萬次訪問之后很不會有危險。FRAM與SRAM:從速度、價格及使用方便來看SRAM優(yōu)于FRAM,但是從整個設(shè)計來看,FRAM還有一定的優(yōu)勢。假設(shè)設(shè)計中需要大約3K字節(jié)的SRAM,還要幾百個字節(jié)用來保存啟動代碼的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存啟動程序和配置信息。如果應(yīng)用中所有存儲器的很大訪問速度是70ns,那么可以使用一片F(xiàn)RAM完成這個系統(tǒng),使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加簡單。FRAM與DRAM:DRAM適用于那些密度和價格比速度更重要的場合。例如DRAM是圖形顯示存儲器的很佳選擇,有大量的像素需要存儲,而恢復(fù)時間并不是很重...
MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。特點:1.非易失性、能耗低:非易失性指的是在關(guān)閉電源的情況下,數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對而言,傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)(易失性)。另外,相比于同樣是非易失性的eFlash,eMRAM能耗要小的多,其所需工作電壓與邏輯電壓一致(1.1V),而不像eFlash那樣需要高電壓(8-12V),且其寫入過程不需要先進(jìn)行擦寫操...
但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類:串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產(chǎn)品,但各項性能要好得多,性...
但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類:串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產(chǎn)品,但各項性能要好得多,性...
這個問題被稱為閃存的”縮放限制”,無論芯片上其余的CMOS能夠縮小多少,閃存都無法跟上步伐。必須要有新的嵌入式存儲器技術(shù)能搭配這些先進(jìn)工藝制造的ASIC和MCU。嵌入式NOR閃存并不是獨一受到工藝演進(jìn)影響的。嵌入式SRAM也面臨著相似的問題。隨著工藝縮小到幾十納米或更小,SRAM存儲單元(MemoryCell)的大小無法跟上。與NOR閃存不同,SRAM的問題在于其存儲單元的尺寸不會與工藝成比例地縮小。當(dāng)工藝縮小50%時,它可能只縮小25%。這限縮了嵌入式NOR和嵌入式SRAM的發(fā)展,我們需要新存儲單元技術(shù)能繼續(xù)與流程成比例地縮小。幸運的是這些技術(shù)已經(jīng)存在,并且已經(jīng)開發(fā)很多年了。另一個問題為轉(zhuǎn)向...
但是決定使用FRAM之前,必須確定系統(tǒng)中一旦超出對FRAM的100萬次訪問之后很不會有危險。FRAM與SRAM:從速度、價格及使用方便來看SRAM優(yōu)于FRAM,但是從整個設(shè)計來看,FRAM還有一定的優(yōu)勢。假設(shè)設(shè)計中需要大約3K字節(jié)的SRAM,還要幾百個字節(jié)用來保存啟動代碼的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存啟動程序和配置信息。如果應(yīng)用中所有存儲器的很大訪問速度是70ns,那么可以使用一片F(xiàn)RAM完成這個系統(tǒng),使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加簡單。FRAM與DRAM:DRAM適用于那些密度和價格比速度更重要的場合。例如DRAM是圖形顯示存儲器的很佳選擇,有大量的像素需要存儲,而恢復(fù)時間并不是很重...
ATMEL對質(zhì)量有哪些承諾?ATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心,分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開發(fā)。為了開發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺的設(shè)計流程,在投片之前大量使用仿真平臺進(jìn)行軟硬件驗證。這種方法大幅度減少了設(shè)計周期并消除了很多錯誤。為了支持高附加值的產(chǎn)品,ATMEL建立了一個豐富的IP庫。庫里包括RISC微控制器和外設(shè),DSP核,嵌入式存儲器,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口,高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器,RF電路和電源管理宏單元。ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點都經(jīng)過ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過QS9000認(rèn)證,有一些還通過了ISO14001認(rèn)證...
動態(tài)隨機存儲器(DynamicRAM),“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容,并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯,需要周期性地給DRAM的電容充電,故DRAM速度比SRAM慢。另一方面,這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM,一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容,而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件,故DRAM在高密度(大容量)以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方(如CPU的一級二級緩沖),而DR...
長期被國際巨頭壟斷的存儲器市場終于迎來了中國玩家。在面對和長江存儲一起經(jīng)歷國產(chǎn)NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時,長江存儲CEO楊士寧(Simon)說道:“存儲不是一個好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難。”而長江存儲董事長、紫光集團董事長兼CEO趙偉國在現(xiàn)場也坦言,從2016年7月成立到現(xiàn)在三年多,長江存儲這一“中國半導(dǎo)體有史以來比較大的項目”,經(jīng)歷了從32層到64層研發(fā),過程非常不容易,“回想這三年多,真的是有一種雄關(guān)漫道真如鐵的感覺。”與此同時,經(jīng)歷了一年多大蕭條的存儲器市場逐漸回暖,長江存儲這一國產(chǎn)存儲器廠商將迎來發(fā)展良機。“超出預(yù)期”存儲...
存儲器的簡稱和用途特點1、高速緩沖存儲器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快,但存儲容量小。2、主存儲器內(nèi)存存放計算機運行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快,存儲容量不大。3、外存儲器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲容量大,位成本低。4、內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲器或者主存儲器,是計算機中的主要部件,它是相對于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會影響計算機的運行速度。一般常用的微型計算機的存儲器有磁芯存儲器和半導(dǎo)體存儲器,目前微型機的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲器。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁盤中讀取信息。廣州順序存儲器現(xiàn)貨代理 FLASH閃存的英文名稱是"FlashMemo...
存儲器是計算機中的重要組成部分,它用于存儲計算機運行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲器的種類有很多,包括內(nèi)存、硬盤、固態(tài)硬盤等。內(nèi)存是計算機中**常用的存儲器,它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù),是計算機運行的關(guān)鍵。硬盤則是計算機中的主要存儲設(shè)備,它可以長期保存數(shù)據(jù)和程序,并且容量較大,適合存儲大量的文件和數(shù)據(jù)。固態(tài)硬盤則是一種新型的存儲器,它具有讀寫速度快、耐用、節(jié)能等優(yōu)點,逐漸成為計算機存儲器的主流。無論是哪種存儲器,都需要注意保護(hù)和維護(hù),避免數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此,我們應(yīng)該定期備份數(shù)據(jù),避免存儲器過度使用,以保證計算機的正常運行。主存儲器是計算機中的內(nèi)存,用于臨時存儲正在運行的程序和數(shù)據(jù),而輔助存儲器則用于...
再加上NAND閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動存儲、數(shù)碼相機、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強勁發(fā)展的帶動,NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長.NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有...
當(dāng)今大多數(shù)電池供電的移動裝置和其他各種應(yīng)用使用的MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS工藝支持兩種存儲器技術(shù):NOR閃存和SRAM。雖然這些技術(shù)在CMOS邏輯工藝中很容易嵌入,但它們消耗的功率通常超過預(yù)期。當(dāng)需要更大的存儲器時,設(shè)計人員通常會添加外部存儲器芯片,如NOR閃存、NAND閃存、DRAM或這些存儲器的組合。然而這些外部存儲器對功耗的影響更大。以上二個現(xiàn)有存儲器的問題迫使設(shè)計人員開始評估新型的存儲器技術(shù),試圖徹底解決這些問題。大系統(tǒng)中的功率問題在物聯(lián)網(wǎng)的另一端,在云端數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的存儲器和數(shù)據(jù)存儲架構(gòu)也非常重要,因為功耗通常是數(shù)據(jù)中心成本高的元素之一,尤其是納入冷卻系統(tǒng)時。DRAM和...
常用的外存儲器設(shè)備以兩種方式之一來存儲信息。磁帶以大的盤式裝置形式。在1970年代作為計算機存儲的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對便宜的“離線”存儲選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲位置時,可能花費幾秒甚至幾分鐘,但購買和維修這一存儲媒質(zhì)的長期花費是低廉的。各種光學(xué)存儲器裝置也是可得到的。在光學(xué)存儲器裝置中存取一串特定數(shù)據(jù)所需的時間,可能與在(磁)硬盤存取數(shù)據(jù)所需的時間一樣短。在光盤某一平滑鏡面上存在著微小的缺陷。在光盤表面燒一個孔洞表示二進(jìn)制數(shù)1,沒有燒孔則表示0。燒制而成的光盤是寫一次,讀多次。這個特征使得它們適合于長期的檔案存儲,且保持較高的存取速率。...
MCU具有什么功能?MCU即微控制器,又稱單片機,把CPU的頻率與規(guī)格縮減,將內(nèi)存、計數(shù)器、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等整合在一個芯片上,形成芯片級的計算機。MCU應(yīng)用廣。很常見的是消費類電子、工業(yè)領(lǐng)域、汽車電子。MCU的分類:按用途分,可分為通用型和特用型。按總線寬度分:可分為1、4、8、16、32、64位。按照存儲器類型:可分為無片內(nèi)ROM型、帶片內(nèi)ROM型。按存儲器結(jié)構(gòu)分:哈佛結(jié)構(gòu)、馮諾依曼結(jié)構(gòu)。一款好的MCU具有的特點:抗干擾能力強,指令總數(shù)少,速度快,有的可在線編程。程序存儲器使用效率高,可靠性高。不發(fā)生多字節(jié)指令系統(tǒng)錯誤。國產(chǎn)單片機MCU系列代理,為用...
之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存,可以解決計算機掉電數(shù)據(jù)丟失問題,但是閃存有擦寫次數(shù)有限,隨機寫性能較差,寫延遲較大等的缺點,而采用相變存儲器或者基于相變存儲器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問題;②相變存儲器的隨機讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)模科學(xué)計算中小粒度隨機I/O對磁盤訪問所造成的I/O瓶頸,用相變存儲器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤具有很大的優(yōu)勢;③閃存和相變存儲器都是新型非易失性存儲器,沒有機械裝置并且可隨機讀寫,但是和相變存儲器相比,閃存的讀寫性能略顯不足,特別是寫入前需要整塊擦除的缺陷,導(dǎo)致閃存只能通過一系列更加復(fù)雜的技術(shù)化才能替代存儲系統(tǒng)的部分功能。千百路電子存儲器芯片經(jīng)營,多品牌原裝芯...