但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產(chǎn)品,但各項性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問題,在時序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點,讀寫速度快并可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點,訪問次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問次數(shù)是100萬次,比flash壽命長10倍,但是并不是說在超過這個次數(shù)之后,FRAM就會報廢,而是它只只沒有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問速度要快得多。缺芯雖有負(fù)面影響，但也為國產(chǎn)芯片得發(fā)展提供了更多的機會，國產(chǎn)替換呼聲日高。上海隨機存儲器國產(chǎn)品牌推薦

    標(biāo)準(zhǔn)8051核的一個機器周期包括12個時鐘周期,ALE信號在每個機器周期中兩次有效,除了對外部數(shù)據(jù)存儲器訪問時只有效一次。8051對外部存儲器的讀或?qū)懖僮餍枰獌蓚€機器周期?？焖傩?051如DS87C520或W77E58的一個機器周期只需4個時鐘周期,而在一些新的如PHILIPS的8051中一個機器周期為6個時鐘周期,而在任何一個機器周期中ALE信號都兩次有效。盡管有這些不同,仍可以用ALE信號和地址片選來產(chǎn)生可用作FRAM訪問CE的信號。要保證對FM1808的正確訪問,必須注意兩點：較早,訪問時間必須大于70ns（即FRAM的訪問時間）；第二,ALE的高電平寬度必須大于60ns。對于標(biāo)準(zhǔn)的8051/52ALE信號的寬度因不同廠家略有不同,一些快速的8051/52系列如DALLAS的DS87C520,WINBOND的W77E58則更窄一些。要實現(xiàn)對FM1808的正常操作,對于標(biāo)準(zhǔn)8051/52來說主頻不能高于20MHZ,而對于高速型的8051/52主頻不應(yīng)高于23MHz。FM1808與8051接口電路使用8051的ALE信號和由地址產(chǎn)生的片選信號相“或”來產(chǎn)生CE的正跳變。兩片32K8的FRAM存儲器,A15與ALE通過74FC32相"或"作為U2的片選,取反后作為U3的片選。所以,U2的地址為0~7FFFH,U3的地址為8000H~FFFFH。8051的RD信號與PSEN信號相“與”后作為U3的輸出允許。中山嵌入式存儲器多少錢儲器是許多存儲單元的總和，按單元號順序排列。

    但是決定使用FRAM之前,必須確定系統(tǒng)中一旦超出對FRAM的100萬次訪問之后很不會有危險。FRAM與SRAM：從速度、價格及使用方便來看SRAM優(yōu)于FRAM,但是從整個設(shè)計來看,FRAM還有一定的優(yōu)勢。假設(shè)設(shè)計中需要大約3K字節(jié)的SRAM,還要幾百個字節(jié)用來保存啟動代碼的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存啟動程序和配置信息。如果應(yīng)用中所有存儲器的很大訪問速度是70ns,那么可以使用一片F(xiàn)RAM完成這個系統(tǒng),使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加簡單。FRAM與DRAM：DRAM適用于那些密度和價格比速度更重要的場合。例如DRAM是圖形顯示存儲器的很佳選擇,有大量的像素需要存儲,而恢復(fù)時間并不是很重要。如果不需要下次開機時保存上次內(nèi)容,使用易失性的DRAM存儲器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無法比擬的,事實證明,DRAM不是FRAM所能取代的。FRAM與Flash：很常用的程序存儲器是Flash,它使用十分方便而且越來越便宜。程序存儲器必須是非易失性的并且要相對低廉,且比較容易改寫,而使用FRAM會受訪問次數(shù)的限制,多次讀取之后會失去其非易失性。在大多數(shù)的8051系統(tǒng)中,對存儲器的片選信號通常允許在多個讀寫訪問操作時保持為低。但這對FM1808不適用,必須在每次訪問時由硬件產(chǎn)生一個正跳變。

因此可以節(jié)省閃存所需的高擦除能耗,以及慢擦除周期引起的延遲(該屬性稱為原位編程)。與閃存相比,這些新技術(shù)的寫入過程能量要求非常低,減少或消除了對低效電荷泵的需求。所有這些新技術(shù)都提供隨機數(shù)據(jù)訪問,減少了保留兩個副本：一個在閃存,一個在DRAM的需求。不用說,無論何時使用任何新型的存儲器技術(shù)來取代當(dāng)今的傳統(tǒng)DRAM+NAND閃存架構(gòu),所有這些屬性都將帶來明顯的功率節(jié)省以及性能提升。新型存儲器類型包含下列幾種。大多數(shù)新型存儲器技術(shù)擁有下列屬性：所有這些都是非易失性或持久性的,對比于需要定期刷新、高耗電量需求的DRAM具有明顯的優(yōu)勢。它們都不需要閃存所需的高電荷泵擦除/寫入電壓。它們都沒有使用閃存(NAND和NOR)所需的笨拙的塊擦除/頁寫入方法,從而明顯降低了寫入耗電需求,同時提高了寫入速度。其中一些可以通過工藝來縮小尺寸進而降低成本,超越了當(dāng)今根深蒂固的存儲器技術(shù)：DRAM和閃存。選擇器裝置：許多這些存儲器類型之間的一個重要差別是它們是如何被尋址的,這是通過位選擇器進行的。有些選擇器元件是晶體管,這會限縮存儲器單元尺寸的微小程度。其他的使用二極管(Diode)或其他雙端選擇器元件,這能縮小存儲器單元的大小,并有助于將存儲器位堆疊成3D陣列。深圳存儲器代理，全系列存儲器芯片IC，性價比高。

怎樣對存儲器進行分類：一、按存儲介質(zhì)分：1、磁表面存儲器：用磁性材料制作而成的存儲器。2、半導(dǎo)體存儲器：即是用半導(dǎo)體元器件組成的存儲器。二、按存儲方式分：1、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關(guān)。2、隨機存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容，都可被隨機存取，且存取時間與存儲單元的物理位置無關(guān)。三、按存儲器的讀寫功能分：1、隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入，屬半導(dǎo)體存儲器。2、只讀存儲器(ROM)：存儲內(nèi)容固定不變，只能讀出而不能寫入，屬半導(dǎo)體存儲器。原裝系列存儲器現(xiàn)貨輔助存儲器是計算機中的長期存儲器，它通常由硬盤驅(qū)動器或固態(tài)硬盤驅(qū)動器組成。深圳大容量存儲器原廠方案

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    存儲器分為內(nèi)存儲器(簡稱主存或內(nèi)存)和外存儲器(簡稱輔存或外存)。內(nèi)存儲器：內(nèi)存儲器是一個廣為的統(tǒng)稱,它包括寄存器、高速緩沖存儲器以及主存儲器。它用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù),與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機開始運行,操作系統(tǒng)就會把需要運算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進行運算。當(dāng)運算完成,CPU將結(jié)果傳送出來。動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM）,“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容,并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯,需要周期性地給DRAM的電容充電,故DRAM速度比SRAM慢。內(nèi)存包括ram和rom。rom一般都很小,主要用來存儲bios以及一些信息(比方內(nèi)存條上除了ram還有一些rom用于存儲ram的信息）,只不過rom的大小一般都很小往往被忽略,所以有時候我們說到內(nèi)存也特指是ram,即是運存。另一方面,這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM,一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容,而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件,故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。上海隨機存儲器國產(chǎn)品牌推薦