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SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（AsynchronousSRAM）的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問(wèn)使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類型分類---雙極性結(jié)型晶體管（用于TTL與ECL）—非?？焖俚枪木薮?。芯片存儲(chǔ)器IC現(xiàn)貨在線咨詢-存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商代理商。海珠隨...

SRAM主要用于二級(jí)高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等?；镜腟RAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分...

SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（AsynchronousSRAM）的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問(wèn)使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類型分類---雙極性結(jié)型晶體管（用于TTL與ECL）—非?？焖俚枪木薮蟆I(yè)提供進(jìn)口原裝存儲(chǔ)器芯片、國(guó)產(chǎn)原裝大品牌電源管理芯片。福...

AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)內(nèi)編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要性能1、與MCS-51單片機(jī)產(chǎn)品兼容;2、8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器;3、1000次擦寫周期;4、全靜態(tài)操作:0Hz-33MHz;5、三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器;6、32個(gè)可編程I/O口線;7、三個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器;8、6個(gè)中斷源;...

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)多年來(lái)被應(yīng)用于各種場(chǎng)合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)的應(yīng)用，特別是在要求初始存取等待時(shí)間很短的情況下，都會(huì)考慮使用sram，這已經(jīng)成為一個(gè)常識(shí)。隨著網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)對(duì)帶寬和速度的持續(xù)推動(dòng)，sram已成為網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中重要的支持元件。在手機(jī)、消費(fèi)電子、汽車、pos、打印機(jī)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域有著較廣的應(yīng)用。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。專業(yè)存儲(chǔ)器IC，提供原裝芯片樣品，現(xiàn)貨系列，保證質(zhì)量。福州折疊可編程只讀存儲(chǔ)器代理商 SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨...

隨著電子存儲(chǔ)技術(shù)的快速推進(jìn)，相變存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器等逐漸引起市場(chǎng)關(guān)注。其中，相變存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域較為廣，由于其特殊的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，不但可以提供優(yōu)良的存儲(chǔ)功能，而且還具有很好的抗輻照性能，有望在航天航空領(lǐng)域得到更加廣的應(yīng)用。相變存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱PCM，相變存儲(chǔ)器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時(shí)所表現(xiàn)出來(lái)的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。相變存儲(chǔ)器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種信息存儲(chǔ)裝置。深圳存儲(chǔ)器**，提供系列存儲(chǔ)器芯片IC，性價(jià)比高。佛山高速緩沖存儲(chǔ)器原理eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)勢(shì)，使得采用eMRA...

SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存，分兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲(chǔ)我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級(jí)高速緩存）和L2Cache（二級(jí)高速緩存）的名詞，一般L1Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部，但是PentiumPr...

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖），而DR...

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)?！盖О俾贰挂患覍Ｗ㈦?..

MOSFET（用于CMOS）—低功耗，現(xiàn)在應(yīng)用廣。根據(jù)功能分類---異步—單獨(dú)的時(shí)鐘頻率，讀寫受控于地址線與控制使能信號(hào)。同步—所有工作是時(shí)鐘脈沖邊沿開(kāi)始，地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時(shí)鐘脈沖配合。根據(jù)特性分類---零總線翻轉(zhuǎn)（Zerobusturnaround，ZBT）—SRAM總線從寫到讀以及從讀到寫所需要的時(shí)鐘周期是0同步突發(fā)SRAM（synchronous-burstSRAM，syncBurstSRAM）—DDRSRAM—同步、單口讀/寫，雙數(shù)據(jù)率I/OQDRSRAM（QuadDataRate(QDR)SRAM）—同步，分開(kāi)的讀/寫口，同時(shí)讀寫4個(gè)字（word）。根據(jù)觸發(fā)類型---二進(jìn)制...

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大[1]，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得...

隨著電子存儲(chǔ)技術(shù)的快速推進(jìn)，相變存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器等逐漸引起市場(chǎng)關(guān)注。其中，相變存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域較為廣，由于其特殊的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，不但可以提供優(yōu)良的存儲(chǔ)功能，而且還具有很好的抗輻照性能，有望在航天航空領(lǐng)域得到更加廣的應(yīng)用。相變存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱PCM，相變存儲(chǔ)器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時(shí)所表現(xiàn)出來(lái)的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。相變存儲(chǔ)器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一種信息存儲(chǔ)裝置。深圳存儲(chǔ)器**，提供系列存儲(chǔ)器芯片IC，性價(jià)比高。荔灣掩膜只讀存儲(chǔ)器哪家便宜存儲(chǔ)器的基本概念元素----存儲(chǔ)器：存放程序和數(shù)據(jù)的器件。存儲(chǔ)位：存放一個(gè)二進(jìn)制數(shù)位的存儲(chǔ)單元...

SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)主要用于：嵌入式使用。工業(yè)生產(chǎn)與科學(xué)研究用的很多字系統(tǒng)，汽車電子產(chǎn)品等都采用了SRAM存儲(chǔ)器。電動(dòng)玩具，數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)、音響合成器等通常用了幾兆字節(jié)的SRAM。實(shí)時(shí)信號(hào)處理電源電路通常使用雙口(dual-ported)的SRAM。用于電子計(jì)算機(jī)。SRAM用于PC、服務(wù)中心、無(wú)線路由器及外部設(shè)備：內(nèi)部的CPU高速緩存，外界的突發(fā)模式使用的SRAM緩存，電腦硬盤緩沖區(qū)，無(wú)線路由器緩沖區(qū)等。LCD顯示器或是打印機(jī)也一般用SRAM來(lái)緩存文件數(shù)據(jù)。SRAM做的小型緩沖區(qū)也常常用于CDROM與CDRW的驅(qū)動(dòng)器中，一般為256KiB或是更多，用來(lái)緩存音軌數(shù)據(jù)。電纜線...

ATMEL對(duì)質(zhì)量的承諾ATMEL在各個(gè)層次都對(duì)質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證，大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證，有一些還通過(guò)了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)做都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn)，提高客戶的總體滿意度。ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì)，以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開(kāi)發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行，從而獲得先進(jìn)的功能模塊，以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。ATMEL在全...

ATMEL的質(zhì)量體系三：分布世界的專業(yè)設(shè)計(jì)能力和IPATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心，分別專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。為了開(kāi)發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品，ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程，在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了許多錯(cuò)誤。為了支持這些高附加值的產(chǎn)品，ATMEL建立了一個(gè)豐富的IP庫(kù)。庫(kù)里包括先進(jìn)的RISC微控制器和外設(shè)，DSP核，嵌入式存儲(chǔ)器，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口，高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器，RF電路和電源管理宏單元。ASIC、ASSP和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品之間的IP重用可以減少開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本，并提高硅片一次成功的可能性。深圳專業(yè)老牌電子公司，...

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器從使用功能上分，有隨機(jī)存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，簡(jiǎn)稱RAM），又稱讀寫存儲(chǔ)器；只讀存儲(chǔ)器（ReadOnlyMemory，簡(jiǎn)稱為ROM）。一種內(nèi)存儲(chǔ)器1.隨機(jī)存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory）RAM有以下特點(diǎn)：可以讀出，也可以寫入。讀出時(shí)并不損壞原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容，只有寫入時(shí)才修改原來(lái)所存儲(chǔ)的內(nèi)容。斷電后，存儲(chǔ)內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM可分為動(dòng)態(tài)（DynamicRAM）和靜態(tài)（StaticRAM）兩大類。DRAM的特點(diǎn)是集成度高，主要用于大容量?jī)?nèi)存儲(chǔ)器；SRAM的特點(diǎn)是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器芯片代理分銷企業(yè)，全新系列存儲(chǔ)器芯片I...

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器從使用功能上分，有隨機(jī)存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，簡(jiǎn)稱RAM），又稱讀寫存儲(chǔ)器；只讀存儲(chǔ)器（ReadOnlyMemory，簡(jiǎn)稱為ROM）。一種內(nèi)存儲(chǔ)器1.隨機(jī)存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory）RAM有以下特點(diǎn)：可以讀出，也可以寫入。讀出時(shí)并不損壞原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容，只有寫入時(shí)才修改原來(lái)所存儲(chǔ)的內(nèi)容。斷電后，存儲(chǔ)內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM可分為動(dòng)態(tài)（DynamicRAM）和靜態(tài)（StaticRAM）兩大類。DRAM的特點(diǎn)是集成度高，主要用于大容量?jī)?nèi)存儲(chǔ)器；SRAM的特點(diǎn)是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲(chǔ)器。采購(gòu)存儲(chǔ)器芯片？選擇千百路科技，全型號(hào)存儲(chǔ)器...

AT24C02是Ateml公司的2KB的電可擦除存儲(chǔ)芯片，采用兩線。是一個(gè)在突然掉電的情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片，即掉電存儲(chǔ)。1.數(shù)據(jù)線上的看門狗定時(shí)器。2.可編程復(fù)位門欄電平。3.高數(shù)據(jù)傳送速率為400KHz和IIC總線兼容。4.2.7V至7V的工作電壓。5.低功耗CMOS工藝。6.8字節(jié)頁(yè)寫緩沖區(qū)。7.片內(nèi)防誤擦除寫保護(hù)。8.高低電平復(fù)位信號(hào)輸出。9.100萬(wàn)次擦寫周期。10.數(shù)據(jù)保存可達(dá)100年。11.商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)和汽車溫度范圍。AT24C02的存儲(chǔ)容量為2Kbit，內(nèi)容分成32頁(yè)，每頁(yè)8Byte，共256Byte，操作時(shí)有兩種尋址方式:芯片尋址和片內(nèi)子地址尋址。(1)芯片尋址:AT24C0...

sram-靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。特點(diǎn)一、隨機(jī)存取所謂"隨機(jī)存取"，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無(wú)關(guān)。相對(duì)的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(wèn)(SequentialAc...

作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)建之父，ATMEL將繼續(xù)把這個(gè)重要能力集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品(比如PC，存儲(chǔ)產(chǎn)品，DVD，娛樂(lè)平臺(tái)，游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系之外，ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工業(yè)控制、圖像處理和汽車設(shè)備ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷的先導(dǎo)者，產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過(guò)這些重要技術(shù)的組合，ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片，以滿足當(dāng)今電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不斷增長(zhǎng)和演進(jìn)的需求?！记О俾房萍肌教峁┻M(jìn)口...

只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲(chǔ)器。顧名思義，它的特點(diǎn)是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶再寫入新內(nèi)容。原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫入的，并長(zhǎng)久保存下來(lái)。它一般用來(lái)存放專門用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會(huì)因斷電而丟失。CMOS存儲(chǔ)器（ComplementaryMetalOxideSemiconductorMemory，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體內(nèi)存)COMS內(nèi)存是一種只需要極少電量就能存放數(shù)據(jù)的芯片。由于耗能極低，CMOS內(nèi)存可以由集成到主板上的一個(gè)小電池供電，這種電池在計(jì)算機(jī)通電時(shí)還能自動(dòng)充電。因?yàn)镃MOS芯片可以持續(xù)獲得電量，所以即使在關(guān)機(jī)后，他也能保存有關(guān)計(jì)算機(jī)系...

存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)單介紹：存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)；中游為存儲(chǔ)器生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)；下游廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等各個(gè)領(lǐng)域。中游存儲(chǔ)芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲(chǔ)芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），非易失性存儲(chǔ)器主要包括可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM），閃存存儲(chǔ)器（Flash）等；下游主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子、服務(wù)器、工業(yè)電子等領(lǐng)域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應(yīng)商和光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。全新全系列全型號(hào)存儲(chǔ)器芯片，現(xiàn)貨供應(yīng)商-千百路工業(yè)科技。...

ATMEL的質(zhì)量體系一：ATMEL在各個(gè)層次都對(duì)質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證，大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證，有一些還通過(guò)了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)作都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn)，提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì)，以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開(kāi)發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行，從而獲得先進(jìn)的功能模塊，以及工藝...

ATMEL的質(zhì)量體系三：分布世界的專業(yè)設(shè)計(jì)能力和IPATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心，分別專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。為了開(kāi)發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品，ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程，在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了許多錯(cuò)誤。為了支持這些高附加值的產(chǎn)品，ATMEL建立了一個(gè)豐富的IP庫(kù)。庫(kù)里包括先進(jìn)的RISC微控制器和外設(shè)，DSP核，嵌入式存儲(chǔ)器，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口，高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器，RF電路和電源管理宏單元。ASIC、ASSP和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品之間的IP重用可以減少開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本，并提高硅片一次成功的可能性。深圳存儲(chǔ)器芯片現(xiàn)貨，深...

ATMEL非易失性存儲(chǔ)器：ATMEL是非易失性存儲(chǔ)器NVM(掉電時(shí)數(shù)據(jù)仍然保持而不丟失)的先驅(qū)。非易失的特性使得這些存儲(chǔ)器非常適合于小體積的便攜產(chǎn)品以及電池供電的設(shè)備，因?yàn)樗鼈儾恍枰碾姷霓D(zhuǎn)動(dòng)式磁盤或CDROM。ATMEL具有廣闊的NVM產(chǎn)品線:EEPROM，一次更新一個(gè)字，適合做數(shù)據(jù)存儲(chǔ);高密度FLASH存儲(chǔ)器，一次更新一個(gè)存儲(chǔ)塊，適合于存儲(chǔ)程序或者是象圖形一類的大數(shù)據(jù)對(duì)象。此外，ATMEL還提供各種不同的配置和接口方式以匹配各種應(yīng)用的確切需要。ATMEL是世界上串行和并行FLASH存儲(chǔ)器的先導(dǎo)者，其產(chǎn)品可以滿足計(jì)算、汽車、電信、消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)的程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需要。ATMEL近期另一個(gè)創(chuàng)...

存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)是什么：目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中比較小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元，它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)（按字節(jié)編址）。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào)，即地址，一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲(chǔ)容量。假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)（即5位十六進(jìn)制數(shù)）組成，則可表示2的20次方，即1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)字節(jié)，則該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為1MB。存儲(chǔ)器芯片...

作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)建之父，ATMEL將繼續(xù)把這個(gè)重要能力集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品(比如PC，存儲(chǔ)產(chǎn)品，DVD，娛樂(lè)平臺(tái)，游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系之外，ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工業(yè)控制、圖像處理和汽車設(shè)備ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷的先導(dǎo)者，產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過(guò)這些重要技術(shù)的組合，ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片，以滿足當(dāng)今電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不斷增長(zhǎng)和演進(jìn)的需求?！记О俾房萍肌綄Ｗ⒋鎯?chǔ)...

存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲(chǔ)容量小。2、主存儲(chǔ)器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲(chǔ)容量不大。3、外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲(chǔ)器或者主存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。一般常用的微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器有磁芯存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，目前微型機(jī)的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器芯片IC系列，深圳千百路工業(yè)科技有限公司專業(yè)提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器。廣東可讀可寫存儲(chǔ)器SRAM的應(yīng)用：通用的產(chǎn)品asynchrono...

AT24C02功能描述：支持I2C，總線數(shù)據(jù)傳送協(xié)議I2C，總線協(xié)議規(guī)定任何將數(shù)據(jù)傳送到總線的器件作為發(fā)送器。任何從總線接收數(shù)據(jù)的器件為接收器。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時(shí)鐘和所有起始停止信號(hào)的主器件控制的。主器件和從器件都可以作為發(fā)送器或接收器，但由主器件控制傳送數(shù)據(jù)(發(fā)送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以組成000~111八種情況，即通過(guò)器件地址輸入端A0、A1和A2可以實(shí)現(xiàn)將比較多8個(gè)AT24C02器件連接到總線上，通過(guò)進(jìn)行不同的配置進(jìn)行選擇器件?！记О俾房萍肌教峁┻M(jìn)口全系列存儲(chǔ)器芯片，好的服務(wù)。廈門掩膜只讀存儲(chǔ)器是什么存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)...

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。特點(diǎn)：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在關(guān)閉電源的情況下，數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對(duì)而言，傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)（易失性）。另外，相比于同樣是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作電壓與邏輯電壓一致（1.1V），而不像eFlash那樣需要高電壓（8-12V），且其寫入過(guò)程不需要先進(jìn)行擦寫操...