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  • 廣東雙端口存儲(chǔ)器技術(shù)參數(shù)
    廣東雙端口存儲(chǔ)器技術(shù)參數(shù)

    故比STT-MRAM具備更快的讀寫(xiě)速度和更低的功耗,但目前仍處于研發(fā)階段。所有這些元件都是使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來(lái)讀取位單元:當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時(shí),該層提供低電阻,因此電流大,但當(dāng)磁性方向相反時(shí),電阻會(huì)變很高,導(dǎo)致電流流量中斷。基本單元需要三層或更多層的堆棧來(lái)實(shí)現(xiàn),兩個(gè)磁層和一個(gè)隧道層。STTMRAM有兩種,一種是尺寸較小但速度較慢的單晶體管(1T)單元,另一種是尺寸較大但速度較快的雙晶體管單元(2T)。單晶體管STTMRAM每個(gè)單元需要一個(gè)晶體管和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ,稱(chēng)為1T1R。它具有與DRAM相當(dāng)?shù)男酒叽?但其200ns的寫(xiě)入周期相對(duì)較慢。為了更快的類(lèi)似SRAM的寫(xiě)入速度,...

    2023-10-21
  • 廣州存儲(chǔ)器排行榜
    廣州存儲(chǔ)器排行榜

    存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分,它用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲(chǔ)器的種類(lèi)有很多,包括內(nèi)存、硬盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)等。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中**常用的存儲(chǔ)器,它可以快速地讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù),是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的關(guān)鍵。硬盤(pán)則是計(jì)算機(jī)中的主要存儲(chǔ)設(shè)備,它可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)和程序,并且容量較大,適合存儲(chǔ)大量的文件和數(shù)據(jù)。固態(tài)硬盤(pán)則是一種新型的存儲(chǔ)器,它具有讀寫(xiě)速度快、耐用、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的主流。無(wú)論是哪種存儲(chǔ)器,都需要注意保護(hù)和維護(hù),避免數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此,我們應(yīng)該定期備份數(shù)據(jù),避免存儲(chǔ)器過(guò)度使用,以保證計(jì)算機(jī)的正常運(yùn)行。儲(chǔ)器是許多存儲(chǔ)單元的總和,按單元號(hào)順序排列。廣州存儲(chǔ)器排行榜 電子產(chǎn)品只...

    2023-10-21
  • 廣東順序存儲(chǔ)器排行榜
    廣東順序存儲(chǔ)器排行榜

    常用的外存儲(chǔ)器設(shè)備以兩種方式之一來(lái)存儲(chǔ)信息。磁帶以大的盤(pán)式裝置形式。在1970年代作為計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對(duì)便宜的“離線”存儲(chǔ)選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)位置時(shí),可能花費(fèi)幾秒甚至幾分鐘,但購(gòu)買(mǎi)和維修這一存儲(chǔ)媒質(zhì)的長(zhǎng)期花費(fèi)是低廉的。各種光學(xué)存儲(chǔ)器裝置也是可得到的。在光學(xué)存儲(chǔ)器裝置中存取一串特定數(shù)據(jù)所需的時(shí)間,可能與在(磁)硬盤(pán)存取數(shù)據(jù)所需的時(shí)間一樣短。在光盤(pán)某一平滑鏡面上存在著微小的缺陷。在光盤(pán)表面燒一個(gè)孔洞表示二進(jìn)制數(shù)1,沒(méi)有燒孔則表示0。燒制而成的光盤(pán)是寫(xiě)一次,讀多次。這個(gè)特征使得它們適合于長(zhǎng)期的檔案存儲(chǔ),且保持較高的存取速率。...

    2023-10-21
  • 廣東單片機(jī)存儲(chǔ)器代理商
    廣東單片機(jī)存儲(chǔ)器代理商

    存儲(chǔ)器分為內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)主存或內(nèi)存)和外存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)輔存或外存)。內(nèi)存儲(chǔ)器:內(nèi)存儲(chǔ)器是一個(gè)廣為的統(tǒng)稱(chēng),它包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器以及主存儲(chǔ)器。它用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)開(kāi)始運(yùn)行,操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算。當(dāng)運(yùn)算完成,CPU將結(jié)果傳送出來(lái)。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DynamicRAM),“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容,并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給DRAM的電...

    2023-10-21
  • 惠州非易失性存儲(chǔ)器現(xiàn)貨代理
    惠州非易失性存儲(chǔ)器現(xiàn)貨代理

    而是由存儲(chǔ)單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進(jìn)行記錄。直接對(duì)中心原子的位置進(jìn)行檢測(cè)是不能實(shí)現(xiàn)的,實(shí)際的讀操作過(guò)程是:在存儲(chǔ)單元電容上施加一已知電場(chǎng)(即對(duì)電容充電),如果原來(lái)晶體的中心原子的位置與所施加的電場(chǎng)方向使中心原子要達(dá)到的位置相同,則中心原子不會(huì)移動(dòng);若相反,則中心原子將越過(guò)晶體中間層的高能階到達(dá)另一位置,則在充電波形上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)尖峰,即產(chǎn)生原子移動(dòng)的比沒(méi)有產(chǎn)生移動(dòng)的多了一個(gè)尖峰,把這個(gè)充電波形同參考位(確定且已知)的充電波形進(jìn)行比較,便可以判斷檢測(cè)的存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容是“1”或“0”。無(wú)論是2T2C還是1T1C的FRAM,對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作時(shí),數(shù)據(jù)位狀態(tài)可能改變而參考位則不會(huì)改...

    2023-10-21
  • 佛山隨機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格
    佛山隨機(jī)存儲(chǔ)器價(jià)格

    國(guó)內(nèi)銷(xiāo)售?!苯堧娮佣麻L(zhǎng)蔡華波指出。市場(chǎng)回暖自2016年以來(lái)的存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)上漲曾讓三星打敗英特爾,成為全球比較大的半導(dǎo)體廠商。到了2018年9月,存儲(chǔ)器開(kāi)始走下坡路。不過(guò),在2019年第三季度跌至低谷后,存儲(chǔ)器市場(chǎng)又開(kāi)始回暖。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights稱(chēng),2020年IC市場(chǎng)回暖,NANDFLASH2020年以19%的增長(zhǎng)率領(lǐng)漲。集邦資訊稱(chēng),2020年前列季NANDFlash價(jià)格持續(xù)上漲?;诘拘枨蟊憩F(xiàn)不淡,供給增長(zhǎng)保守以及供應(yīng)商庫(kù)存已下降,各類(lèi)產(chǎn)品合約價(jià)在2020年前列季均可望持續(xù)上漲。潘健成告訴記者,目前NANDFLASH供應(yīng)非常緊缺,“我創(chuàng)業(yè)十年以來(lái)前列次看到這么緊。...

    2023-10-21
  • 佛山嵌入式控制存儲(chǔ)器哪家好
    佛山嵌入式控制存儲(chǔ)器哪家好

    硬件工程師的工作內(nèi)容與單片機(jī)是怎樣的關(guān)系?硬件工程師就是電腦軟硬件設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)試、解決故障的技術(shù)人員。硬件即計(jì)算機(jī)硬件簡(jiǎn)稱(chēng),是對(duì)計(jì)算機(jī)中的電子、機(jī)械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱(chēng)。當(dāng)前對(duì)于硬件工程師的崗位要求,是需要掌握電路的基本分析方法,掌握相關(guān)電路設(shè)計(jì)工具、數(shù)模電路知識(shí)、微控制器(單片機(jī))應(yīng)用等。上述前后兩種描述,是有一點(diǎn)差別的。因?yàn)榍罢咧粚儆谟?jì)算機(jī),后者則已經(jīng)拓寬到電子電路。而電子電路包羅萬(wàn)象,范圍要大得多。更因?yàn)楝F(xiàn)在電子線路中,已經(jīng)大量應(yīng)用了單片機(jī),讓普通的電子設(shè)備都具備了自動(dòng)控制功能。單片機(jī)就像一部微型電腦,對(duì)電子設(shè)備和機(jī)械設(shè)備都可實(shí)現(xiàn)嵌入式應(yīng)用。因此單片機(jī)的應(yīng)用,已經(jīng)大為拓寬了硬件工程的...

    2023-10-21
  • 程序存儲(chǔ)器原廠方案
    程序存儲(chǔ)器原廠方案

    存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快,但存儲(chǔ)容量小。2、主存儲(chǔ)器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快,存儲(chǔ)容量不大。3、外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)容量大,位成本低。4、內(nèi)存又稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器或者主存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。一般常用的微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器有磁芯存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,目前微型機(jī)的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器品類(lèi)和質(zhì)量都在不斷提高,越來(lái)越多的電子產(chǎn)品選型國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器。程序存儲(chǔ)器原廠方案動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DynamicRAM),“動(dòng)態(tài)”兩...

    2023-10-21
  • 江門(mén)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器全型號(hào)
    江門(mén)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器全型號(hào)

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)正面臨產(chǎn)能爬坡的挑戰(zhàn)。根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售經(jīng)驗(yàn)豐富副總裁龔翊介紹,目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)有一座12英寸晶圓廠,規(guī)劃滿產(chǎn)的產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月,預(yù)計(jì)2020年底前產(chǎn)能將達(dá)5萬(wàn)~10萬(wàn)片/月,后續(xù)將根據(jù)市場(chǎng)情況進(jìn)一步擴(kuò)大。據(jù)前列財(cái)經(jīng)了解,目前產(chǎn)能約為2萬(wàn)片/月。據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)副董事長(zhǎng)楊道虹日前表示,將盡早達(dá)成64層3D閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片,并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能。龔翊披露,按計(jì)劃今年年底前集成長(zhǎng)江存儲(chǔ)3DNAND閃存的產(chǎn)品將逐步面市。首先是針對(duì)電子消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)的市場(chǎng),隨后將會(huì)針對(duì)PC和服務(wù)器提供SSD產(chǎn)品。其中,在固態(tài)閃存市場(chǎng)將會(huì)根據(jù)客戶需求,先后推出面向PC、服務(wù)器以及大數(shù)據(jù)中心...

    2023-10-20
  • 佛山半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原廠方案
    佛山半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原廠方案

    據(jù)悉,國(guó)內(nèi)微電子集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)三年攻關(guān),成功制備國(guó)內(nèi)首例80納米自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲(chǔ)器器件,此項(xiàng)技術(shù)應(yīng)用后,電腦死機(jī)也會(huì)保留所有數(shù)據(jù),手機(jī)待機(jī)時(shí)間也有望大幅提高。存儲(chǔ)器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤(pán)的存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。與之相對(duì)應(yīng),靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)、閃存(Flash)或硬盤(pán)(HDD)成為實(shí)現(xiàn)這三種存儲(chǔ)體系的傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)。一臺(tái)電腦中,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的是CPU內(nèi)的存儲(chǔ)器,其特點(diǎn)是速度快,但容量小;動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的是電腦主板上的內(nèi)存條;閃存或者硬盤(pán)對(duì)應(yīng)的就是電腦里的固態(tài)硬盤(pán)或者機(jī)械硬盤(pán),其特點(diǎn)是速度慢,但容...

    2023-10-20
  • 廣州嵌入式控制存儲(chǔ)器價(jià)格
    廣州嵌入式控制存儲(chǔ)器價(jià)格

    但是寫(xiě)操作仍要保留一個(gè)"預(yù)充"時(shí)間,所以總的時(shí)間與讀操作相同。FRAM的寫(xiě)操作與其它非易失性存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個(gè)"預(yù)充電"過(guò)程,來(lái)恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類(lèi):串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時(shí)序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號(hào)產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性...

    2023-10-20
  • 佛山非易失性存儲(chǔ)器現(xiàn)貨代理
    佛山非易失性存儲(chǔ)器現(xiàn)貨代理

    它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。根據(jù)存儲(chǔ)材料的性能及使用方法的不同,存儲(chǔ)器有幾種不同的分類(lèi)方法。如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器:用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。磁表面存儲(chǔ)器:用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。按存儲(chǔ)方式分為隨機(jī)存儲(chǔ)器:任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無(wú)關(guān)。順序存儲(chǔ)器:只能按某種順序來(lái)存取,存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。按存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)功能分類(lèi):為只讀存儲(chǔ)器(ROM):存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器(RAM):既能讀出又能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分類(lèi)非長(zhǎng)憶存儲(chǔ)器:斷...

    2023-10-20
  • 浙江半導(dǎo)體存儲(chǔ)器全系列
    浙江半導(dǎo)體存儲(chǔ)器全系列

    ATMEL對(duì)質(zhì)量有哪些承諾?ATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心,分別專(zhuān)注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。為了開(kāi)發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程,在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了很多錯(cuò)誤。為了支持高附加值的產(chǎn)品,ATMEL建立了一個(gè)豐富的IP庫(kù)。庫(kù)里包括RISC微控制器和外設(shè),DSP核,嵌入式存儲(chǔ)器,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口,高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器,RF電路和電源管理宏單元。ATMEL在各個(gè)層次都對(duì)質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證,有一些還通過(guò)了ISO14001認(rèn)證...

    2023-10-20
  • 惠州微芯microchip存儲(chǔ)器多少錢(qián)
    惠州微芯microchip存儲(chǔ)器多少錢(qián)

    SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,缺點(diǎn)是集成度較低,功耗較DRAM大,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴?;咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納:◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。◎缺點(diǎn),集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于...

    2023-10-20
  • 江蘇高速緩沖存儲(chǔ)器原廠方案
    江蘇高速緩沖存儲(chǔ)器原廠方案

    SRAM的類(lèi)型------非揮發(fā)性SRAM(Non-volatileSRAM,nvSRAM)具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能,但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM(AsynchronousSRAM)的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問(wèn)使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存,這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤(pán)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類(lèi)型分類(lèi)---雙極性結(jié)型晶體管(用于TTL與ECL)—非??焖俚枪木薮?。內(nèi)存儲(chǔ)器在程序執(zhí)行期間被計(jì)算機(jī)頻繁地使用,并且在一個(gè)指令周...

    2023-10-20
  • 廣州可讀可寫(xiě)可編程存儲(chǔ)器排行榜
    廣州可讀可寫(xiě)可編程存儲(chǔ)器排行榜

    長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)終于迎來(lái)了中國(guó)玩家。在面對(duì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)一起經(jīng)歷國(guó)產(chǎn)NANDFLASH從無(wú)到有的八家主要合作伙伴時(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧(Simon)說(shuō)道:“存儲(chǔ)不是一個(gè)好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說(shuō),比我在英特爾做CPU還要難?!倍L(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)、紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼CEO趙偉國(guó)在現(xiàn)場(chǎng)也坦言,從2016年7月成立到現(xiàn)在三年多,長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一“中國(guó)半導(dǎo)體有史以來(lái)比較大的項(xiàng)目”,經(jīng)歷了從32層到64層研發(fā),過(guò)程非常不容易,“回想這三年多,真的是有一種雄關(guān)漫道真如鐵的感覺(jué)?!迸c此同時(shí),經(jīng)歷了一年多大蕭條的存儲(chǔ)器市場(chǎng)逐漸回暖,長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商將迎來(lái)發(fā)展良機(jī)?!俺鲱A(yù)期”存儲(chǔ)...

    2023-10-20
  • 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器技術(shù)參數(shù)
    動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器技術(shù)參數(shù)

    其可擴(kuò)展性使STT-MRAM可能在未來(lái)幾年成為低密度和中密度應(yīng)用之DRAM和閃存的替代方案。阻變存儲(chǔ)器,稱(chēng)為ReRAM或RRAM,包括許多不同的技術(shù)類(lèi)別,其中包括氧空缺存儲(chǔ)器、導(dǎo)電橋存儲(chǔ)器、金屬離子存儲(chǔ)器、憶阻器、以及,納米碳管,有些人甚至認(rèn)為相變存儲(chǔ)器也應(yīng)該包括在這一類(lèi)中。所有這些技術(shù)的共同之處在于存儲(chǔ)器機(jī)制是由電阻器組成,依該電阻器處于高電阻或低電阻狀態(tài)以表示“1”或“0”。電流流過(guò)電阻器讀取它,并使用更高的電流來(lái)覆蓋它。ReRAM都承諾簡(jiǎn)化和縮小存儲(chǔ)器單元,因?yàn)樗鼈儾灰欢ㄊ褂镁w管作為選擇器,而是使用在位單元上方或下方構(gòu)建的雙端選擇器。這不當(dāng)應(yīng)該將存儲(chǔ)單元低降到其理論微小尺寸4f2,而且...

    2023-10-20
  • 珠海非易失性存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)替代
    珠海非易失性存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)替代

    同樣的,容量越大,速度也就越慢,速度和容量不可兼得,速度高必然貴并且容量小。鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectricRAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中很常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectricRAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中很常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。由于...

    2023-10-20
  • 中山隨機(jī)存儲(chǔ)器排行榜
    中山隨機(jī)存儲(chǔ)器排行榜

    動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DynamicRAM)介紹:“動(dòng)態(tài)”兩字,指的是每隔一定的時(shí)間,就需要刷新充電一次,否則存儲(chǔ)器內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)被去除。這是因?yàn)榇鎯?chǔ)器DRAM的每個(gè)基本單元,是由一個(gè)晶體管加一個(gè)電容所構(gòu)成,故存儲(chǔ)器的基本工作邏輯為二進(jìn)制。以電容中有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信號(hào)0或1。由于電容漏電快,存儲(chǔ)器為防止因電容漏電而致信息讀取出錯(cuò),需周期性地給DRAM電容進(jìn)行充電,故DRAM速度會(huì)比SRAM慢。同時(shí),這種簡(jiǎn)潔的存儲(chǔ)模式也使DRAM集成度遠(yuǎn)比SRAM要高。一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需要一個(gè)電容加一個(gè)晶體管,而每個(gè)SRAM單元?jiǎng)t需要4-6個(gè)晶體管和其他元件,故DRAM在高密度/大容量及成本方面,均比SRAM...

    2023-09-27
  • 廣州國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器哪家好
    廣州國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器哪家好

    程序存儲(chǔ)器為只讀存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。從物理地址空間看,共有4個(gè)存儲(chǔ)地址空間,即片內(nèi)程序存儲(chǔ)器、片外程序存儲(chǔ)器、片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,I/O接口與外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器統(tǒng)一編址。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu):為提高存儲(chǔ)器的性能,通常把各種不同存儲(chǔ)容量、存取速度和價(jià)格的存儲(chǔ)器按層次結(jié)構(gòu)組成多層存儲(chǔ)器,并通過(guò)管理軟件和輔助硬件有機(jī)組合成統(tǒng)一的整體,使所存放的程序和數(shù)據(jù)按層次分布在各存儲(chǔ)器中。主要采用三級(jí)層次結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)成存儲(chǔ)系統(tǒng),由高速緩沖存儲(chǔ)器Cache、主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器組成。自上向下容量逐漸增大,速度逐級(jí)降低,成本則逐次減少。整個(gè)結(jié)構(gòu)可看成主存一輔存和Cache-主存兩個(gè)層次。在輔...

    2023-09-13
  • 上海高速緩沖存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)替代
    上海高速緩沖存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)替代

    動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DynamicRAM),“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容,并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給DRAM的電容充電,故DRAM速度比SRAM慢。另一方面,這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM,一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容,而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件,故DRAM在高密度(大容量)以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方(如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖),而DR...

    2023-09-13
  • 廣州51單片機(jī)存儲(chǔ)器授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商
    廣州51單片機(jī)存儲(chǔ)器授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商

    而是由存儲(chǔ)單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進(jìn)行記錄。直接對(duì)中心原子的位置進(jìn)行檢測(cè)是不能實(shí)現(xiàn)的,實(shí)際的讀操作過(guò)程是:在存儲(chǔ)單元電容上施加一已知電場(chǎng)(即對(duì)電容充電),如果原來(lái)晶體的中心原子的位置與所施加的電場(chǎng)方向使中心原子要達(dá)到的位置相同,則中心原子不會(huì)移動(dòng);若相反,則中心原子將越過(guò)晶體中間層的高能階到達(dá)另一位置,則在充電波形上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)尖峰,即產(chǎn)生原子移動(dòng)的比沒(méi)有產(chǎn)生移動(dòng)的多了一個(gè)尖峰,把這個(gè)充電波形同參考位(確定且已知)的充電波形進(jìn)行比較,便可以判斷檢測(cè)的存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容是“1”或“0”。無(wú)論是2T2C還是1T1C的FRAM,對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作時(shí),數(shù)據(jù)位狀態(tài)可能改變而參考位則不會(huì)改...

    2023-08-27
  • 惠州存儲(chǔ)器排行榜
    惠州存儲(chǔ)器排行榜

    動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DynamicRAM),“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容,并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給DRAM的電容充電,故DRAM速度比SRAM慢。另一方面,這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM,一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容,而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件,故DRAM在高密度(大容量)以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方(如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖),而DR...

    2023-08-27
  • 佛山微芯microchip存儲(chǔ)器哪家好
    佛山微芯microchip存儲(chǔ)器哪家好

    SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,缺點(diǎn)是集成度較低,功耗較DRAM大,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。基本特點(diǎn)特點(diǎn)歸納:◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率?!蛉秉c(diǎn),集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于...

    2023-08-27
  • 嵌入式存儲(chǔ)器哪家好
    嵌入式存儲(chǔ)器哪家好

    可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫(xiě)操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類(lèi)操作,很自然地,基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設(shè)備。Flash存儲(chǔ)器容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。NORflash占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場(chǎng)的大部分,而NANDflash只是用在8MB~128GB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用...

    2023-08-27
  • 江蘇非易失性存儲(chǔ)器全型號(hào)
    江蘇非易失性存儲(chǔ)器全型號(hào)

    它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。根據(jù)存儲(chǔ)材料的性能及使用方法的不同,存儲(chǔ)器有幾種不同的分類(lèi)方法。如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器:用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。磁表面存儲(chǔ)器:用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。按存儲(chǔ)方式分為隨機(jī)存儲(chǔ)器:任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無(wú)關(guān)。順序存儲(chǔ)器:只能按某種順序來(lái)存取,存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。按存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)功能分類(lèi):為只讀存儲(chǔ)器(ROM):存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器(RAM):既能讀出又能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分類(lèi)非長(zhǎng)憶存儲(chǔ)器:斷...

    2023-08-24
  • 蘇州動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器專(zhuān)賣(mài)
    蘇州動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器專(zhuān)賣(mài)

    在此之前的1956年出現(xiàn)的“庫(kù)珀對(duì)”及BCS理論被公認(rèn)為是對(duì)超導(dǎo)現(xiàn)象的完美解釋,單電子隧道效應(yīng)無(wú)疑是對(duì)超導(dǎo)理論的一個(gè)重要補(bǔ)充。1962年,22歲的英國(guó)劍橋大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理學(xué)研究生約瑟夫森(BrianDavidJosephson,1940~)預(yù)言,當(dāng)兩個(gè)超導(dǎo)體之間設(shè)置一個(gè)絕緣薄層構(gòu)成時(shí),電子可以穿過(guò)絕緣體從一個(gè)超導(dǎo)體到達(dá)另一個(gè)超導(dǎo)體。約瑟夫森的這一預(yù)言不久就為——電子對(duì)通過(guò)兩塊超導(dǎo)金屬間的薄絕緣層(厚度約為10埃)時(shí)發(fā)生了隧道效應(yīng),于是稱(chēng)之為“約瑟夫森效應(yīng)”。宏觀量子隧道效應(yīng)確立了微電子器件進(jìn)一步微型化的極限,當(dāng)微電子器件進(jìn)一步微型化時(shí)必須要考慮上述的量子效應(yīng)。例如在制造半導(dǎo)體集成電路時(shí),當(dāng)...

    2023-08-24
  • 廣州可讀可寫(xiě)存儲(chǔ)器怎么樣
    廣州可讀可寫(xiě)存儲(chǔ)器怎么樣

    每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲(chǔ)器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如...

    2023-08-24
  • 廈門(mén)可編程存儲(chǔ)器組成
    廈門(mén)可編程存儲(chǔ)器組成

    硬件工程師的工作內(nèi)容與單片機(jī)是怎樣的關(guān)系?硬件工程師就是電腦軟硬件設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)試、解決故障的技術(shù)人員。硬件即計(jì)算機(jī)硬件簡(jiǎn)稱(chēng),是對(duì)計(jì)算機(jī)中的電子、機(jī)械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱(chēng)。當(dāng)前對(duì)于硬件工程師的崗位要求,是需要掌握電路的基本分析方法,掌握相關(guān)電路設(shè)計(jì)工具、數(shù)模電路知識(shí)、微控制器(單片機(jī))應(yīng)用等。上述前后兩種描述,是有一點(diǎn)差別的。因?yàn)榍罢咧粚儆谟?jì)算機(jī),后者則已經(jīng)拓寬到電子電路。而電子電路包羅萬(wàn)象,范圍要大得多。更因?yàn)楝F(xiàn)在電子線路中,已經(jīng)大量應(yīng)用了單片機(jī),讓普通的電子設(shè)備都具備了自動(dòng)控制功能。單片機(jī)就像一部微型電腦,對(duì)電子設(shè)備和機(jī)械設(shè)備都可實(shí)現(xiàn)嵌入式應(yīng)用。因此單片機(jī)的應(yīng)用,已經(jīng)大為拓寬了硬件工程的...

    2023-08-24
  • 越秀靜態(tài)只讀存儲(chǔ)器全型號(hào)
    越秀靜態(tài)只讀存儲(chǔ)器全型號(hào)

    可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫(xiě)操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤(pán)管理此類(lèi)操作,很自然地,基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤(pán)或其他塊設(shè)備。Flash存儲(chǔ)器容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。NORflash占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場(chǎng)的大部分,而NANDflash只是用在8MB~128GB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用...

    2023-08-15
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