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AT24C08提供8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，組織形式為1024字×8位字長(zhǎng)。AT24C08適用于許多要求低功耗和低電壓操作的工業(yè)級(jí)或商業(yè)級(jí)應(yīng)用。工作溫度范圍:-40°C~+85°C。器件標(biāo)號(hào):24，器件標(biāo)記:24C04，存儲(chǔ)器電...

SRAM的應(yīng)用：通用的產(chǎn)品asynchronous界面，例如28針32Kx8的chip（通常命名為XXC256），以及類似的產(chǎn)品比較多16Mbit每片synchronous界面，通常用做高速緩存（cache）以及其它要求突發(fā)傳輸?shù)膽?yīng)用，比較多18Mbit（25...

近年來，我國(guó)智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品迅速增長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景更加廣，對(duì)存儲(chǔ)器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場(chǎng)景包括在所有類型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、移動(dòng)電話等移動(dòng)裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個(gè)人移...

折疊按信息的可保存性分1、非長(zhǎng)久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。2、長(zhǎng)久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。折疊按存儲(chǔ)器用途分1、根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中所起的作用，可分為（1）主存儲(chǔ)器、（2）輔助存儲(chǔ)器、（3）高速緩沖存儲(chǔ)器、（4）控制存儲(chǔ)器等...

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈上游分析1.硅片半導(dǎo)體硅片是生產(chǎn)集成電路、存儲(chǔ)器、傳感器等半導(dǎo)體產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。隨著芯片制造產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張，中國(guó)硅片產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模呈高速增長(zhǎng)趨勢(shì)。2019-2021年，中國(guó)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模連續(xù)超過10億美元，2021年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)16.56億美元，同...

存儲(chǔ)器的分類：按存儲(chǔ)介質(zhì)分1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。2、磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。折疊按存儲(chǔ)方式分1、隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。2、順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間...

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來說，存儲(chǔ)器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)...

SRAM的應(yīng)用：通用的產(chǎn)品asynchronous界面，例如28針32Kx8的chip（通常命名為XXC256），以及類似的產(chǎn)品比較多16Mbit每片synchronous界面，通常用做高速緩存（cache）以及其它要求突發(fā)傳輸?shù)膽?yīng)用，比較多18Mbit（25...

AT24C02功能描述：支持I2C，總線數(shù)據(jù)傳送協(xié)議I2C，總線協(xié)議規(guī)定任何將數(shù)據(jù)傳送到總線的器件作為發(fā)送器。任何從總線接收數(shù)據(jù)的器件為接收器。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時(shí)鐘和所有起始停止信號(hào)的主器件控制的。主器件和從器件都可以作為發(fā)送器或接收器，但由主器件控制傳送...

目前，國(guó)內(nèi)外企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等對(duì)于相變存儲(chǔ)器的研發(fā)正加速推進(jìn)，其商業(yè)化的布局已經(jīng)展開。近年來，我國(guó)在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的研究穩(wěn)步進(jìn)行，結(jié)合芯片制造與集成工藝的設(shè)計(jì)，形成自身的研究特色。存儲(chǔ)器新技術(shù)的快速發(fā)展將給我們帶來彎道超車的機(jī)會(huì)，未來相變存儲(chǔ)技術(shù)的突破將加速我國(guó)...

存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)單介紹：存儲(chǔ)器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)；中游為存儲(chǔ)器生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)；下游廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等各個(gè)領(lǐng)域。中游存儲(chǔ)芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲(chǔ)芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SR...

SRAM的應(yīng)用：通用的產(chǎn)品asynchronous界面，例如28針32Kx8的chip（通常命名為XXC256），以及類似的產(chǎn)品比較多16Mbit每片synchronous界面，通常用做高速緩存（cache）以及其它要求突發(fā)傳輸?shù)膽?yīng)用，比較多18Mbit（25...

之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計(jì)算機(jī)掉電數(shù)據(jù)丟失問題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機(jī)寫性能較差，寫延遲較大等的缺點(diǎn)，而采用相變存儲(chǔ)器或者基于相變存儲(chǔ)器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問題；②相變存儲(chǔ)器的隨機(jī)讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算中...

ATMEL非易失性存儲(chǔ)器：ATMEL是非易失性存儲(chǔ)器NVM(掉電時(shí)數(shù)據(jù)仍然保持而不丟失)的先驅(qū)。非易失的特性使得這些存儲(chǔ)器非常適合于小體積的便攜產(chǎn)品以及電池供電的設(shè)備，因?yàn)樗鼈儾恍枰碾姷霓D(zhuǎn)動(dòng)式磁盤或CDROM。ATMEL具有廣闊的NVM產(chǎn)品線:EEPROM，...

ATMEL對(duì)質(zhì)量的承諾ATMEL在各個(gè)層次都對(duì)質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過ISO9001認(rèn)證，大多數(shù)經(jīng)過QS9000認(rèn)證，有一些還通過了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)做都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進(jìn)行回顧和更...

當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時(shí)，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。由于電容不可能長(zhǎng)期保持電荷不變，必須定時(shí)對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路的各存儲(chǔ)單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個(gè)過程稱為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器刷新。PC...

sram-靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的...

只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲(chǔ)器。顧名思義，它的特點(diǎn)是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶再寫入新內(nèi)容。原來存儲(chǔ)的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫入的，并長(zhǎng)久保存下來。它一般用來存放專門用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會(huì)因斷電而丟失。CMOS存儲(chǔ)...

2020年市場(chǎng)份額分別為12.1%、10.6%、7.7%、1.5%。2.光刻膠。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，在半導(dǎo)體工業(yè)、PCB、平板顯示等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)光刻膠市...

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地...

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地...

隨著電子存儲(chǔ)技術(shù)的快速推進(jìn)，相變存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器等逐漸引起市場(chǎng)關(guān)注。其中，相變存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域較為廣，由于其特殊的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，不但可以提供優(yōu)良的存儲(chǔ)功能，而且還具有很好的抗輻照性能，有望在航天航空領(lǐng)域得到更加廣的應(yīng)用。相變存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱PCM，相變存儲(chǔ)器...

AT24C02是Ateml公司的2KB的電可擦除存儲(chǔ)芯片，采用兩線。是一個(gè)在突然掉電的情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片，即掉電存儲(chǔ)。1.數(shù)據(jù)線上的看門狗定時(shí)器。2.可編程復(fù)位門欄電平。3.高數(shù)據(jù)傳送速率為400KHz和IIC總線兼容。4.2.7V至7V的工作電壓。5.低功...

只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲(chǔ)器。顧名思義，它的特點(diǎn)是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶再寫入新內(nèi)容。原來存儲(chǔ)的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫入的，并長(zhǎng)久保存下來。它一般用來存放專門用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會(huì)因斷電而丟失。CMOS存儲(chǔ)...

SRAM的主要用途---主要用于二級(jí)高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之...

MOSFET（用于CMOS）—低功耗，現(xiàn)在應(yīng)用廣。根據(jù)功能分類---異步—單獨(dú)的時(shí)鐘頻率，讀寫受控于地址線與控制使能信號(hào)。同步—所有工作是時(shí)鐘脈沖邊沿開始，地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時(shí)鐘脈沖配合。根據(jù)特性分類---零總線翻轉(zhuǎn)（Zerobusturnaround...

近年來，我國(guó)智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品迅速增長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景更加廣，對(duì)存儲(chǔ)器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場(chǎng)景包括在所有類型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、移動(dòng)電話等移動(dòng)裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個(gè)人移...

折疊按信息的可保存性分1、非長(zhǎng)久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。2、長(zhǎng)久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。折疊按存儲(chǔ)器用途分1、根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中所起的作用，可分為（1）主存儲(chǔ)器、（2）輔助存儲(chǔ)器、（3）高速緩沖存儲(chǔ)器、（4）控制存儲(chǔ)器等...

SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存，分兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小...

數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)特種氣體市場(chǎng)規(guī)模由2017年的175億元增長(zhǎng)至2021年的342億元，復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá)18.24%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，2022年我國(guó)特種氣體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)409億元。4.光刻機(jī)。全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)復(fù)蘇，受益于下游晶圓巨大需求、服務(wù)器云計(jì)算和5G基...