電子產(chǎn)品只有進入應(yīng)用不斷迭代才能不斷提高。國產(chǎn)存儲器要壯大自然也離不開市場和生態(tài)。群聯(lián)長期專注于閃存主控的開發(fā)與存儲方案的整合,透過群聯(lián)自有技術(shù)與IP,整合長江存儲的3DNAND閃存,協(xié)助擴大市場的應(yīng)用與普及率。潘健成談到,長江存儲與群聯(lián)不僅是NAND...
選擇器類型影響這些存儲器的成本,并且可能是生產(chǎn)這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲單元單元面積是目前所有存儲器可以制造的微小單元面積?;诰w管的存儲單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器...
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度。并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash存儲器性能比較flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flas...
當(dāng)今大多數(shù)電池供電的移動裝置和其他各種應(yīng)用使用的MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS工藝支持兩種存儲器技術(shù):NOR閃存和SRAM。雖然這些技術(shù)在CMOS邏輯工藝中很容易嵌入,但它們消耗的功率通常超過預(yù)期。當(dāng)需要更大的存儲器時,設(shè)計人員通常會添加外部存儲器芯片...
鐵電存儲技術(shù)早在1921年提出,直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發(fā)出較早個4K位的鐵電存儲器FRAM產(chǎn)品,所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權(quán)。FRAM有新的發(fā)展,采用了um工藝,推出了3V產(chǎn)品,開發(fā)出“單管單容”存儲單元的...
每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)...
長期被國際巨頭壟斷的存儲器市場終于迎來了中國玩家。在面對和長江存儲一起經(jīng)歷國產(chǎn)NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時,長江存儲CEO楊士寧(Simon)說道:“存儲不是一個好做的行業(yè),我可以很負責(zé)任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難。”而長江...
而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現(xiàn)的,實際的讀操作過程是:在存儲單元電容上施加一已知電場(即對電容充電),如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達到的位置相同,則中心原子不會移...
但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,...
選擇器類型影響這些存儲器的成本,并且可能是生產(chǎn)這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲單元單元面積是目前所有存儲器可以制造的微小單元面積?;诰w管的存儲單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器...
NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度。并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash存儲器性能比較flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flas...
大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升,基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動設(shè)備也因功耗問題被人詬病。手機待機功耗中,存儲是用電“大戶”。正因為數(shù)據(jù)需要分級存儲、分級調(diào)取,速度較慢,為讓用戶體驗較快的響應(yīng)速度,數(shù)據(jù)一般存儲在靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器上,斷電數(shù)據(jù)就會丟失,因此需...
存儲器的簡稱和用途特點1、高速緩沖存儲器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快,但存儲容量小。2、主存儲器內(nèi)存存放計算機運行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快,存儲容量不大。3、外存儲器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲容量大,位成本低。4、內(nèi)存又稱為內(nèi)...
但是決定使用FRAM之前,必須確定系統(tǒng)中一旦超出對FRAM的100萬次訪問之后很不會有危險。FRAM與SRAM:從速度、價格及使用方便來看SRAM優(yōu)于FRAM,但是從整個設(shè)計來看,FRAM還有一定的優(yōu)勢。假設(shè)設(shè)計中需要大約3K字節(jié)的SRAM,還要幾百個...
常用的外存儲器設(shè)備以兩種方式之一來存儲信息。磁帶以大的盤式裝置形式。在1970年代作為計算機存儲的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對便宜的“離線”存儲選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲位置時,可能花費幾秒甚至幾分鐘,但購買和維...
這個問題被稱為閃存的”縮放限制”,無論芯片上其余的CMOS能夠縮小多少,閃存都無法跟上步伐。必須要有新的嵌入式存儲器技術(shù)能搭配這些先進工藝制造的ASIC和MCU。嵌入式NOR閃存并不是獨一受到工藝演進影響的。嵌入式SRAM也面臨著相似的問題。隨著工藝縮小到幾十...
存儲器是計算機中的重要組成部分,它用于存儲計算機運行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲器的種類有很多,包括內(nèi)存、硬盤、固態(tài)硬盤等。內(nèi)存是計算機中**常用的存儲器,它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù),是計算機運行的關(guān)鍵。硬盤則是計算機中的主要存儲設(shè)備,它可以長期保存數(shù)據(jù)和程序,并且...
再加上NAND閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動存儲、數(shù)碼相機、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強勁發(fā)展的帶動,NAND閃存一直...
動態(tài)隨機存儲器(DynamicRAM),“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容,并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯,需要周期性地...
當(dāng)今大多數(shù)電池供電的移動裝置和其他各種應(yīng)用使用的MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS工藝支持兩種存儲器技術(shù):NOR閃存和SRAM。雖然這些技術(shù)在CMOS邏輯工藝中很容易嵌入,但它們消耗的功率通常超過預(yù)期。當(dāng)需要更大的存儲器時,設(shè)計人員通常會添加外部存儲器芯片...
ATMEL對質(zhì)量有哪些承諾?ATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心,分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開發(fā)。為了開發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進的基于平臺的設(shè)計流程,在投片之前大量使用仿真平臺進行軟硬件驗證。這種方法大幅度減少了設(shè)計周期并消除了很多...
長期被國際巨頭壟斷的存儲器市場終于迎來了中國玩家。在面對和長江存儲一起經(jīng)歷國產(chǎn)NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時,長江存儲CEO楊士寧(Simon)說道:“存儲不是一個好做的行業(yè),我可以很負責(zé)任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難?!倍L江...
存儲器分為內(nèi)存儲器(簡稱主存或內(nèi)存)和外存儲器(簡稱輔存或外存)。內(nèi)存儲器:內(nèi)存儲器是一個廣為的統(tǒng)稱,它包括寄存器、高速緩沖存儲器以及主存儲器。它用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù),與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機開始運行,操作系統(tǒng)就會把需要運算的...
故比STT-MRAM具備更快的讀寫速度和更低的功耗,但目前仍處于研發(fā)階段。所有這些元件都是使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元:當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時,該層提供低電阻,因此電流大,但當(dāng)磁性方向相反時,電阻會變很高,導(dǎo)致電流流量中斷。基本單元需要三層或更多...
硬件工程師的工作內(nèi)容與單片機是怎樣的關(guān)系?硬件工程師就是電腦軟硬件設(shè)計、安裝、調(diào)試、解決故障的技術(shù)人員。硬件即計算機硬件簡稱,是對計算機中的電子、機械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱。當(dāng)前對于硬件工程師的崗位要求,是需要掌握電路的基本分析方法,掌握相關(guān)電路設(shè)計工具、數(shù)模...
常用的外存儲器設(shè)備以兩種方式之一來存儲信息。磁帶以大的盤式裝置形式。在1970年代作為計算機存儲的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對便宜的“離線”存儲選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲位置時,可能花費幾秒甚至幾分鐘,但購買和維...
存儲器是計算機中的重要組成部分,它用于存儲計算機運行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲器的種類有很多,包括內(nèi)存、硬盤、固態(tài)硬盤等。內(nèi)存是計算機中**常用的存儲器,它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù),是計算機運行的關(guān)鍵。硬盤則是計算機中的主要存儲設(shè)備,它可以長期保存數(shù)據(jù)和程序,并且...
之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存,可以解決計算機掉電數(shù)據(jù)丟失問題,但是閃存有擦寫次數(shù)有限,隨機寫性能較差,寫延遲較大等的缺點,而采用相變存儲器或者基于相變存儲器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問題;②相變存儲器的隨機讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)??茖W(xué)計算中...
MCU具有什么功能?MCU即微控制器,又稱單片機,把CPU的頻率與規(guī)格縮減,將內(nèi)存、計數(shù)器、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等整合在一個芯片上,形成芯片級的計算機。MCU應(yīng)用廣。很常見的是消費類電子、工業(yè)領(lǐng)域、汽車電子。MCU的分類:按...
而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現(xiàn)的,實際的讀操作過程是:在存儲單元電容上施加一已知電場(即對電容充電),如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達到的位置相同,則中心原子不會移...