可調(diào)電感器的使用范圍:可調(diào)電感器有振蕩線圈、行振蕩線圈、行線性線圈、中頻陷波線圈、頻率補償線圈、阻波線圈等。1.半導(dǎo)體收音機用振蕩線圈。與可變電容器等組成振蕩電路。其在工字磁心上有漆包線繞組。磁帽可旋轉(zhuǎn),通過改變它與線圈的距離來改變線圈的電感量。2.電視機用行...
小型固定電感器:小型固定電感器通常是用漆包線在磁芯上直接繞制而成,主要用在濾波、振蕩、陷波、延遲等電路中,有密封式和非密封兩種封裝形式,又分別具有立式和臥式兩種外形結(jié)構(gòu)。1、立式密封固定電感器:采用同向型引腳,國產(chǎn)電感量范圍為0.1~2200μH(直標在外殼上...
可調(diào)電感器的使用范圍:可調(diào)電感器有振蕩線圈、行振蕩線圈、行線性線圈、中頻陷波線圈、頻率補償線圈、阻波線圈等。1.半導(dǎo)體收音機用振蕩線圈。與可變電容器等組成振蕩電路。其在工字磁心上有漆包線繞組。磁帽可旋轉(zhuǎn),通過改變它與線圈的距離來改變線圈的電感量。2.電視機用行...
電感鐵硅鎳磁粉芯(屬于合金磁粉芯)的特點和參數(shù):鐵硅鎳磁粉芯由85%Fe和15%Si-Ni合金粉末制成;其飽和磁感應(yīng)強度在16000Gs,磁導(dǎo)率在26μ-90μ,損耗比Si-FeCores低近一倍,與HighFluxCores相近,直流偏置性能更優(yōu)于Si-Fe...
濾波電感怎樣選用?濾波電感一般采用鐵氧體材料,它可以方便地與穿心電容組合起來,形成復(fù)合濾波器,在高性能濾波器中,也采用線繞電感。但需注意,鐵氧材料在大電流下會發(fā)生磁飽和,降低濾波器效能。在全橋逆變器中,輸出濾波電感是一個關(guān)鍵性的元件。電感值選取的合適與否直接影...
磁珠和電感的區(qū)別:主要有以下三點區(qū)別:1、磁珠本身在理論上屬于耗能元件,而電感在理論上是不耗能的。2、電感的磁材是不封閉的,典型結(jié)構(gòu)是磁棒,磁力線一部分通過磁材(磁棒),還有一部分是在空氣中的。而磁珠的磁材是封閉的,典型結(jié)構(gòu)是磁環(huán),幾乎所有磁力線都在磁環(huán)內(nèi),不...
鐵粉芯電感:鐵粉芯是一種軟磁材料,由碳基鐵磁粉及樹脂碳基鐵磁粉構(gòu)成,至今仍然是用量比較大的磁粉芯,磁導(dǎo)率為10-100之間。降低雜波的解決方案之一:磁環(huán)。磁環(huán)材質(zhì)大致有錳鋅鐵氧體、鎳鋅鐵氧體、鐵粉三種。鐵粉芯因價格低廉,應(yīng)用廣。分別用于功率變壓器、共模濾波器、...
ATMEL的質(zhì)量體系一:ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點都經(jīng)過ISO9001認證,大多數(shù)經(jīng)過QS9000認證,有一些還通過了旨在保護環(huán)境的ISO14001認證。所有ATMEL的運作都受公司內(nèi)部詳細的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進行回顧和...
SRAM的主要用途---主要用于二級高速緩存(Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴,一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之...
動態(tài)存儲器(DRAM)的工作原理----動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線,而地址引腳只有8條。為了形成64K地址,必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上,借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯...
ATMEL的質(zhì)量體系三:分布世界的專業(yè)設(shè)計能力和IPATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心,分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開發(fā)。為了開發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進的基于平臺的設(shè)計流程,在投片之前大量使用仿真平臺進行軟硬件驗證。這種方法大幅度減...
SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM(Non-volatileSRAM,nvSRAM)具有SRAM的標準功能,但在失去電源供電時可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM(Asyn...
AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器,是具有8K系統(tǒng)可編程Flash存儲器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造,與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲器在系統(tǒng)內(nèi)編程,亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上,擁有靈...
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴,一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存(cac...
靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)多年來被應(yīng)用于各種場合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)的應(yīng)用,特別是在要求初始存取等待時間很短的情況下,都會考慮使用sram,這已經(jīng)成為一個常識。隨著網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)對帶寬和速度的持續(xù)推動,sram已成為網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中重要的支持元件。在手機、消費電子、...
SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM(Non-volatileSRAM,nvSRAM)具有SRAM的標準功能,但在失去電源供電時可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM(Asyn...
SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存,分兩種規(guī)格:一種是固定在主板上的高速緩存(CacheMemory);另一種是插在卡槽上的COAST(CacheOnAStick)擴充用的高速緩存,另外在CMOS芯片1468l8的電路里,它的內(nèi)部也有較小...
隨著電子存儲技術(shù)的快速推進,相變存儲器、鐵電存儲器、磁存儲器等逐漸引起市場關(guān)注。其中,相變存儲器應(yīng)用領(lǐng)域較為廣,由于其特殊的存儲結(jié)構(gòu),不但可以提供優(yōu)良的存儲功能,而且還具有很好的抗輻照性能,有望在航天航空領(lǐng)域得到更加廣的應(yīng)用。相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器...
動態(tài)隨機存儲器(DynamicRAM),“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容,并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯,需要周期性地...
MOSFET(用于CMOS)—低功耗,現(xiàn)在應(yīng)用廣。根據(jù)功能分類---異步—單獨的時鐘頻率,讀寫受控于地址線與控制使能信號。同步—所有工作是時鐘脈沖邊沿開始,地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時鐘脈沖配合。根據(jù)特性分類---零總線翻轉(zhuǎn)(Zerobusturnaround...
內(nèi)存的正式名字叫做“存儲器”,是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為3400億美金,存儲器就占了768億美元。對于你身邊的手機、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來說,存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè),是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。存儲器芯片領(lǐng)...
SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存取存儲器)主要用于:嵌入式使用。工業(yè)生產(chǎn)與科學(xué)研究用的很多字系統(tǒng),汽車電子產(chǎn)品等都采用了SRAM存儲器。電動玩具,數(shù)碼相機、智能手機、音響合成器等通常用了幾兆字節(jié)的SRAM。實時信號處理電源電路通常使用雙口(dual-ported)...
隨著電子存儲技術(shù)的快速推進,相變存儲器、鐵電存儲器、磁存儲器等逐漸引起市場關(guān)注。其中,相變存儲器應(yīng)用領(lǐng)域較為廣,由于其特殊的存儲結(jié)構(gòu),不但可以提供優(yōu)良的存儲功能,而且還具有很好的抗輻照性能,有望在航天航空領(lǐng)域得到更加廣的應(yīng)用。相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器...
ATMEL的質(zhì)量體系三:分布世界的專業(yè)設(shè)計能力和IPATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心,分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開發(fā)。為了開發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進的基于平臺的設(shè)計流程,在投片之前大量使用仿真平臺進行軟硬件驗證。這種方法大幅度減...
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而,當(dāng)電力供應(yīng)停止時,SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失(被稱為volatilememory),這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DR...
ATMEL對質(zhì)量的承諾ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點都經(jīng)過ISO9001認證,大多數(shù)經(jīng)過QS9000認證,有一些還通過了旨在保護環(huán)境的ISO14001認證。所有ATMEL的運做都受公司內(nèi)部詳細的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進行回顧和更...
AT24C02是Ateml公司的2KB的電可擦除存儲芯片,采用兩線。是一個在突然掉電的情況下存儲數(shù)據(jù)的芯片,即掉電存儲。1.數(shù)據(jù)線上的看門狗定時器。2.可編程復(fù)位門欄電平。3.高數(shù)據(jù)傳送速率為400KHz和IIC總線兼容。4.2.7V至7V的工作電壓。5.低功...
半導(dǎo)體存儲器從使用功能上分,有隨機存儲器(RandomAccessMemory,簡稱RAM),又稱讀寫存儲器;只讀存儲器(ReadOnlyMemory,簡稱為ROM)。一種內(nèi)存儲器1.隨機存儲器(RandomAccessMemory)RAM有以下特點:可以讀出...
sram-靜態(tài)隨機存取存儲器靜態(tài)隨機存取存儲器(StaticRandom-AccessMemory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)里面所儲存的...
作為非易失性存儲器技術(shù)的創(chuàng)建之父,ATMEL將繼續(xù)把這個重要能力集成到為計算和消費產(chǎn)品(比如PC,存儲產(chǎn)品,DVD,娛樂平臺,游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系之外,ATMEL的高密度存儲器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可...