實現(xiàn)電氣隔離：在需要電氣隔離的應用中，驅(qū)動電路通過光耦、變壓器等隔離器件，將輸入信號與輸出信號隔離開來，提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅(qū)動電路的分類按功率器件的接地類型分類：直接接地驅(qū)動：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動以及圖騰柱驅(qū)動等。浮動接地驅(qū)動：功率器件接地端電位會隨電路狀態(tài)變化而浮動，典型的為自舉驅(qū)動電路。按電路結(jié)構(gòu)分類：隔離型驅(qū)動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動電路。非隔離驅(qū)動電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動芯片。嘉定區(qū)好的驅(qū)動電路量大從優(yōu)

另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強的振蕩，因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。松江區(qū)推廣驅(qū)動電路量大從優(yōu)直接接地驅(qū)動：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動以及圖騰柱驅(qū)動等。

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅(qū)動器時，必須考慮下列細節(jié)：· 驅(qū)動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動功率PG。驅(qū)動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值?！?驅(qū)動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流?！?驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。

優(yōu)良的驅(qū)動電路對變換器性能的影響驅(qū)動電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān)、導通損耗)3.減小開關(guān)器件應力(開/關(guān)過程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題，驅(qū)動電路副邊與主電路有耦合關(guān)系，而驅(qū)動原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路，控制電路是ELV電路， 一次電路和ELV電路之間要做加強絕緣，實現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極） 同—驅(qū)動電路無需隔離；無需隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極）不同—驅(qū)動電路應隔離。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應用于計算機、通信設(shè)備、電視、汽車、機器人等領(lǐng)域。

可控硅前沿調(diào)光器若直接用于控制普通的LED驅(qū)動器，LED燈會產(chǎn)生閃爍，更不能實現(xiàn)寬范圍的調(diào)光控制。原因歸結(jié)如下：(1)可控硅的維持電流問題。目前市面上的可控硅調(diào)光器功率等級不同，維持電流一般是7～75mA(驅(qū)動電流則是7～100mA)，導通后流過可控硅的電流必須要大于這個值才能繼續(xù)導通，否則會自行關(guān)斷。(2)阻抗匹配問題。當可控硅導通后，可控硅和驅(qū)動電路的阻抗都發(fā)生變化，且驅(qū)動電路由于有差模濾波電容的存在，呈容性阻抗，與可控硅調(diào)光器存在阻抗匹配的問題，因此在設(shè)計電路時一般需要使用較小的差模濾波電容。隔離型驅(qū)動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動電路。普陀區(qū)挑選驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

物理意義：指推動或驅(qū)使某物運動的力量或機制。例如，汽車的發(fā)動機驅(qū)動汽車前進。嘉定區(qū)好的驅(qū)動電路量大從優(yōu)

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2嘉定區(qū)好的驅(qū)動電路量大從優(yōu)

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