Windows怎樣知道安裝的是什么設備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時***始引入的一種描述設備安裝信息的文件，它用特定語法的文字來說明要安裝的設備類型、生產(chǎn)廠商、型號、要拷貝的文件、拷貝到的目標路徑，以及要添加到注冊表中的信息。通過讀取和解釋這些文字，Windows便知道應該如何安裝驅動程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅動程序都帶有安裝信息文件。事實上，.inf文件不僅可用于安裝驅動程序，還能用來安裝與硬件并沒有什么關系的軟件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新時下載的系統(tǒng)部件就是利用.inf文件來說明如何安裝該部件的。繼電器驅動電路：通過控制繼電器的開關來驅動高功率負載，適用于需要隔離控制信號和負載的場合。虹口區(qū)本地驅動電路生產(chǎn)企業(yè)

(3)沖擊電流問題。由于可控硅前沿斬波使得輸入電壓可能一直處于峰值附近，輸入濾波電容將承受大的沖擊電流，同時還可能使得可控硅意外截止，導致可控硅不斷重啟，所以一般需要在驅動器輸入端串接電阻來減小沖擊。(4)導通角較小時LED會出現(xiàn)閃爍。當可控硅導通角較小時，由于此時輸入電壓和電流均較小，導致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠，電路停止工作，使LED產(chǎn)生閃爍。可控電源線性調光存在的問題，即人眼在低亮度情況下對光線的細微變化很敏感;而在較亮時，由于人眼視覺的飽和，光線較大的變化卻不易被察覺。并提出了利用單片機編程來實現(xiàn)調光信號和調光輸出的非線性關系(如指數(shù)、平方等關系)的方法，使得人眼感覺的調光是一個線性平穩(wěn)過程。虹口區(qū)本地驅動電路生產(chǎn)企業(yè)直接接地驅動：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅動以及圖騰柱驅動等。

實驗及結果根據(jù)以上分析，本文設計一臺基于反激變換器的可控硅調光LED驅動器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負載;RC時間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導通角為115°時阻抗匹配開關驅動電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形，電路的輸出電流為470mA，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出，當可控硅導通瞬間，由于驅動器輸入端有差模濾波電容導致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當輸入電流小于一定值時，阻抗匹配開關開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。

在安裝驅動程序時，Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下，以備將來使用。Inf目錄下除了有.inf文件外，還有兩個特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它們都是Windows為了加快處理速度而自動生成的二進制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設備，也許朋友們會有印象：當我們在安裝某些設備時，經(jīng)常會看到一個“創(chuàng)建驅動程序信息庫”的窗口，此時Windows便正在生成這兩個二進制文件。驅動電路，位于主電路和控制電路之間，主要作用是對控制電路的信號進行放大，使其能夠驅動功率開關器件。

優(yōu)良的驅動電路對變換器性能的影響驅動電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關器件開關、導通損耗)3.減小開關器件應力(開/關過程中)4.降低EMI/EMC驅動電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題，驅動電路副邊與主電路有耦合關系，而驅動原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路，控制電路是ELV電路， 一次電路和ELV電路之間要做加強絕緣，實現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅動電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅動信號參考地（e極） 同—驅動電路無需隔離；無需隔離控制參考地與驅動信號參考地（e極）不同—驅動電路應隔離。IGBT驅動：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅動電壓范圍為-15~15V。徐匯區(qū)挑選驅動電路現(xiàn)價

這些開關器件的開通和關斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小，從而實現(xiàn)了對電子設備的精確控制。虹口區(qū)本地驅動電路生產(chǎn)企業(yè)

有些驅動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡，用以調節(jié)2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT，選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中，還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。虹口區(qū)本地驅動電路生產(chǎn)企業(yè)

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