每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12。金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12可以由表達(dá)式1表示。表達(dá)式1pm11=wdm+wmlpm12=pdm-(wdm+wml)在表達(dá)式1中,wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度,wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前,可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對(duì)每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的四條柵極線gl1至gl4。參照?qǐng)D5,每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過(guò)單圖案化形成。在這種情況下,每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws1的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg1。柵極節(jié)距pg1可以等于通過(guò)曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。圖5示出了均具有相同的布圖或相同的形貌(topography)的兩個(gè)單元線路結(jié)構(gòu):左側(cè)的一個(gè)被標(biāo)識(shí)為uws1,在x軸上向右側(cè)移位的一個(gè)也被標(biāo)識(shí)為uws1。圖5的左側(cè)的uws1內(nèi)的空間關(guān)系與右側(cè)的uws1內(nèi)的空間關(guān)系相同??臻g關(guān)系包括gtl中的gl1、gl2、gl3、gl4之間的節(jié)距以及ccl中的ml1、ml2、ml3、ml4、ml5、ml6之間的節(jié)距還有ccl和gtl中的特征之間的相對(duì)節(jié)距。圖5表示其中存在6n條金屬線和4n條柵極線的通常示例。回收,就選上海海谷電子有限公司,用戶的信賴之選,歡迎新老客戶來(lái)電!海南電子料庫(kù)存回收處理
調(diào)節(jié)mtj器件、第二調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件106分別包括mtj,mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層與自由層分隔開(kāi)的固定層。在一些實(shí)施例中,固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中,介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實(shí)施例中,自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108可以包括一個(gè)或多個(gè)電阻器(例如,包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如,在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108可以包括與工作mtj器件106并聯(lián)連接的薄膜電阻器和第二薄膜電阻器。在各個(gè)實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108可以包括具有基本類似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲(chǔ)器陣列102通過(guò)多條位線bl1至bl2和多條字線wl1至wl2連接至控制電路115。在一些實(shí)施例中,控制電路115包括連接至多條位線bl1至bl2的位線解碼器116和連接至多條字線wl1至wl2的字線解碼器118。調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108連接在字線wlx(x=1或2)和工作mtj器件106之間,而工作mtj器件106連接在調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108和位線bly(y=1或2)之間。為了訪問(wèn)工作mtj器件106。青海集成電路回收公司上海海谷電子有限公司為您提供回收,有需求可以來(lái)電咨詢!
側(cè)壁間隔件261和262)的節(jié)距p3可以等于或者不同于與該心軸圖案相鄰的心軸圖案的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁間隔件(例如,側(cè)壁間隔件262和263)的節(jié)距p4。在一些實(shí)施例中,側(cè)壁間隔件261至266的平均節(jié)距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節(jié)距。在一些實(shí)施例中,可以以圖4f的結(jié)構(gòu)作為起點(diǎn)來(lái)按順序應(yīng)用施加空間層和重復(fù)蝕刻步驟。參照?qǐng)D4g,可以在介電層220上方、在側(cè)壁間隔件261至266上方以及在側(cè)壁間隔件261至266的側(cè)壁上形成第二間隔層270。換言之,側(cè)壁間隔件261至266可以用作第二心軸圖案。在一些實(shí)施例中,已經(jīng)制造261至266以接受材料沉積,然后將蝕刻掉261至266,在原位留下沉積的材料。在介電層220和側(cè)壁間隔件261至266上方設(shè)置第二間隔層270。第二間隔層270包括與介電層220和側(cè)壁間隔件261至266不同的一種或更多種材料,使得第二間隔層270針對(duì)蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性??梢酝ㄟ^(guò)cvd工藝、pvd工藝、ald工藝或其他合適的沉積技術(shù)形成第二間隔層270。參照?qǐng)D4h,針對(duì)第二間隔層270執(zhí)行蝕刻工藝,從而定義第二側(cè)壁間隔件271至282。參照?qǐng)D4i,執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除側(cè)壁間隔件261至266,并且保留第二側(cè)壁間隔件271至282。
可以是諸如或/與/反相器(oai)或者與/或/反相器(aoi)的復(fù)合單元,還可以是諸如主從觸發(fā)器或鎖存器的存儲(chǔ)單元。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以包括關(guān)于多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的信息。例如,標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以包括標(biāo)準(zhǔn)單元的名稱和功能,以及標(biāo)準(zhǔn)單元的時(shí)序信息、功率信息和布圖信息。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中,并且標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以通過(guò)訪問(wèn)存儲(chǔ)裝置來(lái)設(shè)置?;谳斎霐?shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)執(zhí)行布局和布線(s30),并且基于布局和布線的結(jié)果設(shè)置定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)(s40)。在一些示例實(shí)施例中,當(dāng)接收的輸入數(shù)據(jù)是諸如通過(guò)將集成電路合成而生成的比特流或網(wǎng)表的數(shù)據(jù)時(shí),輸出數(shù)據(jù)可以是比特流或網(wǎng)表。在其他示例實(shí)施例中,當(dāng)接收的輸入數(shù)據(jù)是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)(例如,具有圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)ii(gdsii)格式的數(shù)據(jù))時(shí),輸出數(shù)據(jù)的格式也可以是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)。通過(guò)圖13的方法設(shè)計(jì)和制造的集成電路可以包括半導(dǎo)體基底、多條柵極線和多條列金屬線。如參照?qǐng)D1至圖10所述,6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu),其中,n是正整數(shù)并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。圖14是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的框圖。參照?qǐng)D14,設(shè)計(jì)系統(tǒng)1000可以包括存儲(chǔ)介質(zhì)1100、設(shè)計(jì)模塊1400和處理器1500。上海海谷電子有限公司為您提供回收,期待您的光臨!
每條線路m1可以通過(guò)形成在層ly1與第二層ly2之間的多個(gè)下通孔接觸件v0中的一個(gè)連接到多個(gè)導(dǎo)電接觸件ca和cb中的一個(gè)。多個(gè)下通孔接觸件v0中的每個(gè)可以例如通過(guò)穿過(guò)第二層間絕緣層134連接到多個(gè)導(dǎo)電接觸件ca和cb中的一個(gè)。多個(gè)下通孔接觸件v0可以通過(guò)第二層間絕緣層134彼此絕緣。線路m171至78可以包括在標(biāo)準(zhǔn)單元scl中使多個(gè)區(qū)域電連接的內(nèi)部連接線路。例如,內(nèi)部連接線路m178可以通過(guò)下通孔接觸件v055和58以及接觸件24和33將器件區(qū)rx1中的有源區(qū)ac和第二器件區(qū)rx2中的有源區(qū)ac電連接。線路m171和72可以分別對(duì)應(yīng)于電力軌和第二電力軌。電力軌71可以連接到器件區(qū)rx1中的有源區(qū)ac。第二電力軌72可以連接到第二器件區(qū)rx2中的有源區(qū)ac。電力軌71和第二電力軌72中的一個(gè)可以是用于供應(yīng)電源電壓(例如,電源電壓vdd)的線路,而電力軌71和第二電力軌72中的另一個(gè)可以是用于供應(yīng)接地電壓(例如,第二電源電壓vss)的線路。電力軌71和第二電力軌72可以在第二層ly2上沿方向x彼此平行地延伸。在一些示例實(shí)施例中,電力軌71和72可以與其他線路m173至78基本同時(shí)形成。線路m1可以穿過(guò)第三層間絕緣層136。第三層間絕緣層136可以使線路m1彼此絕緣?;厥眨瓦x上海海谷電子有限公司,用戶的信賴之選。廣東晶振回收行情
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加法器電路806具有耦合到一預(yù)設(shè)權(quán)重w(i-1)的一輸入端,以及耦合到分壓器804的一輸出端的另一輸入端。在一些實(shí)施例中,加法器電路806包括基于操作放大器的加法器電路。據(jù)此,加法器電路806通過(guò)將反映差異的變化與預(yù)設(shè)權(quán)重w(i-1)相加來(lái)提供一反相經(jīng)更新權(quán)重-w(i),其中差異在不成熟分類和參考分類之間。反相經(jīng)更新權(quán)重-w(i)被反相器810反相為經(jīng)更新權(quán)重w(i)??傊?,經(jīng)更新權(quán)重w(i)與預(yù)設(shè)權(quán)重w(i-1)相關(guān)聯(lián),特別是與差值(v1(i)-vc(i))和預(yù)設(shè)權(quán)重w(i-1)之間的代數(shù)關(guān)系相關(guān)聯(lián)。暫存器812暫時(shí)提供預(yù)設(shè)權(quán)重w(i-1),并且當(dāng)產(chǎn)生經(jīng)更新權(quán)重w(i)時(shí),因應(yīng)于一時(shí)鐘信號(hào)clk提供經(jīng)更新權(quán)重w(i)。乘法器814具有耦合到反相器810的一輸出端的一輸入端,以及耦合到預(yù)設(shè)電壓vt的另一輸入端。據(jù)此,乘法器814經(jīng)配置以通過(guò)將預(yù)設(shè)電壓vt乘以經(jīng)更新權(quán)重w(i)來(lái)產(chǎn)生一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)。暫存器816暫時(shí)提供預(yù)設(shè)電壓vt,并且當(dāng)產(chǎn)生經(jīng)更新權(quán)重w(i)時(shí),因應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clk提供經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)。經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)是經(jīng)更新權(quán)重w(i)的函數(shù)??傊驊?yīng)于參考電壓vc與電壓(v1-vc)之間的差異的存在,比較器800的另一輸入端從耦合預(yù)設(shè)電壓vt改為耦合到經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)。換句話說(shuō)。海南電子料庫(kù)存回收處理
上海海谷電子有限公司辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。致力于創(chuàng)造高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù),以誠(chéng)信、敬業(yè)、進(jìn)取為宗旨,以建海谷產(chǎn)品為目標(biāo),努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。公司以用心服務(wù)為重點(diǎn)價(jià)值,希望通過(guò)我們的專業(yè)水平和不懈努力,將上海海谷電子有限公司是一家從事電子元器件回收與銷售的公司。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和雄厚的經(jīng)濟(jì)實(shí)力,可提供全國(guó)各地上門服務(wù)、免費(fèi)評(píng)估,工廠呆滯的電子元器件庫(kù)存回收。 我司長(zhǎng)期回收各類呆滯電子元器件庫(kù)存,包括芯片,內(nèi)存,CPU,電容,電阻,二、三極管,電感,晶振,繼電器,開(kāi)關(guān)等。長(zhǎng)期一站式高價(jià),回收工廠呆滯庫(kù)存。等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。自公司成立以來(lái),一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的電子元件回收,電子料回收,呆滯料回收,電子物料回收,從而使公司不斷發(fā)展壯大。