LPCVD技術(shù)在未來還有可能與其他技術(shù)相結(jié)合，形成新的沉積技術(shù)，以滿足不同領(lǐng)域的需求。例如，LPCVD技術(shù)可以與等離子體輔助技術(shù)相結(jié)合，形成等離子體輔助LPCVD（PLPCVD）技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更低的沉積溫度、更快的沉積速率、更好的薄膜質(zhì)量和性能等。又如，LPCVD技術(shù)可以與原子層沉積（ALD）技術(shù)相結(jié)合，形成原子層LPCVD（ALLPCVD）技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更高的厚度精度、更好的均勻性、更好的界面質(zhì)量和兼容性等。因此，LPCVD技術(shù)在未來還有可能產(chǎn)生新的變化和創(chuàng)新，為各種領(lǐng)域提供更多的可能性和機(jī)遇。真空鍍膜過程中需防止塵埃污染。韶關(guān)PVD真空鍍膜

磁控濺射方向性要優(yōu)于電子束蒸發(fā)，但薄膜質(zhì)量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發(fā)。但磁控濺射可用于多種材料，適用性廣，電子束蒸發(fā)則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點(diǎn)金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質(zhì)量較高的金屬材料沉積源是真空鍍膜技術(shù)中另一個(gè)必不可少的設(shè)備。襯底支架是用于在沉積過程中將襯底固定到位的裝置?；逯Ъ芸梢杂胁煌呐渲?，例如行星式、旋轉(zhuǎn)式或線性平移，具體取決于應(yīng)用要求。沉積源的選擇取決于涂層應(yīng)用的具體要求，例如涂層材料、沉積速率和涂層質(zhì)量。蕪湖PVD真空鍍膜真空鍍膜能賦予材料特殊的光學(xué)性能。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點(diǎn)材料，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進(jìn)。高熔點(diǎn)的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中，因?yàn)樗溘釄鍖?dǎo)熱過快，材料難以達(dá)到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證，蒸發(fā)高熔點(diǎn)的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱，散熱速率慢，有利于達(dá)到蒸發(fā)的熔點(diǎn)。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。PVD(氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應(yīng)于PVD技術(shù)的三個(gè)分類，相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備也就有真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)這三種。近十多年來，真空離子鍍膜技術(shù)的發(fā)展是快的，它已經(jīng)成為當(dāng)今先進(jìn)的表面處理方式之一。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜；通常所說的PVD鍍膜機(jī)，指的也就是真空離子鍍膜機(jī)。

LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（LowPressureChemicalVaporDeposition）的簡稱，是一種在低壓條件下利用氣態(tài)化合物在基片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成穩(wěn)定固體薄膜的工藝。LPCVD是一種常用的CVD工藝，與常壓CVD（APCVD）、等離子體增強(qiáng)CVD（PECVD）、高密度等離子體CVD（HDPCVD）和原子層沉積（ALD）等其他CVD工藝相比，具有一些獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢。LPCVD的原理是利用加熱設(shè)備作為熱源，將基片放置在反應(yīng)室內(nèi)，并維持一個(gè)低壓環(huán)境（通常在10-1000Pa之間）。然后向反應(yīng)室內(nèi)輸送含有所需薄膜材料元素的氣體或液體前驅(qū)體，使其與基片表面接觸并發(fā)生熱分解或氧化還原反應(yīng)，從而在基片表面沉積出所需的薄膜材料。LPCVD可以沉積多種類型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、氧化鋁、二硫化鉬等。影響PECVD成膜質(zhì)量的主要有：1.樣片表面清潔度差；2.工藝腔體清潔度差；3.樣品溫度異常；

在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標(biāo)物體表面，形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為：抵抗加熱、電子束、高周波誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物與氟化物。電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。LPCVD設(shè)備可以沉積多種類型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。馬鞍山真空鍍膜儀

高質(zhì)量的真空鍍膜能增強(qiáng)材料性能。韶關(guān)PVD真空鍍膜

LPCVD設(shè)備中重要的工藝參數(shù)之一是反應(yīng)溫度，因?yàn)樗苯佑绊懥朔磻?yīng)速率、反應(yīng)機(jī)理、反應(yīng)產(chǎn)物、反應(yīng)選擇性等方面。一般來說，反應(yīng)溫度越高，反應(yīng)速率越快，沉積速率越高；反應(yīng)溫度越低，反應(yīng)速率越慢，沉積速率越低。但是，并不是反應(yīng)溫度越高越好，因?yàn)檫^高的反應(yīng)溫度也會(huì)帶來一些不利的影響。例如，過高的反應(yīng)溫度會(huì)導(dǎo)致氣體前驅(qū)體過早分解或聚合，從而降低沉積效率或增加副產(chǎn)物；過高的反應(yīng)溫度會(huì)導(dǎo)致襯底材料發(fā)生熱損傷或熱擴(kuò)散，從而降低襯底質(zhì)量或改變襯底特性；過高的反應(yīng)溫度會(huì)導(dǎo)致薄膜材料發(fā)生結(jié)晶或相變，從而改變薄膜結(jié)構(gòu)或性能。韶關(guān)PVD真空鍍膜