在半導體制造這一高科技領域中，光刻技術無疑扮演著舉足輕重的角色。作為制造半導體芯片的關鍵步驟，光刻技術不但決定了芯片的性能、復雜度和生產(chǎn)成本，還推動了整個半導體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)進步和創(chuàng)新。進入20世紀80年代，光刻技術進入了深紫外光（DUV）時代。DUV光刻使用193納米的激光光源，極大地提高了分辨率，使得芯片的很小特征尺寸可以縮小到幾百納米。這一階段的光刻技術成為主流，幫助實現(xiàn)了計算機、手機和其他電子設備的小型化和高性能。光刻工藝中的干濕法清洗各有優(yōu)劣。北京微納加工

光刻機被稱作“現(xiàn)代光學工業(yè)之花”，生產(chǎn)制造全過程極為繁雜，一臺光刻機的零配件就達到10萬個。ASML光刻機也不是荷蘭以一國之力造出的，ASML公司的光刻機采用了美國光源設備及技術工藝，也選用了德國卡爾蔡司的光學鏡頭先進設備，絕大多數(shù)零部件都需用從海外進口，匯聚了全世界科技強國的科技，才可以制作出一臺光刻機。上海微電子占有著中國80%之上的市場占有率，現(xiàn)階段中國銷售市場上絕大多數(shù)智能機都采用了上海微電子的現(xiàn)代化封裝光刻機技術，而先前這種光刻機都在進口?，F(xiàn)階段，國產(chǎn)光刻機的困難關鍵在于沒法生產(chǎn)制造高精密的零配件，ASML的零配件來源于美國、德國、日本等發(fā)達國家，而現(xiàn)階段在我國還無法掌握這種技術，也很難買到。現(xiàn)階段，上海微電子能夠生產(chǎn)加工90nm的光刻機，而ASML能夠生產(chǎn)制造7nm乃至5nm的EUV光刻機，相差還是非常大。北京微納加工氧等離子普遍用于光刻膠去除。

在勻膠工藝中，轉速的快慢和控制精度直接關系到旋涂層的厚度控制和膜層均勻性。勻膠機的轉速精度是一項重要的指標。用來吸片的真空泵一般選擇無油泵，上配有壓力表，同時現(xiàn)在很多勻膠機有互鎖，未檢測的真空將不會啟動。有時會出現(xiàn)膠液進入真空管道的現(xiàn)象，有的勻膠機廠商會在某一段管路加一段"U型"管路，降低異物進入真空管道的影響。光刻膠主要應用于半導體、顯示面板與印制電路板等三大領域。其中，半導體光刻膠技術難度高，主要被美日企業(yè)壟斷。據(jù)相關研究機構數(shù)據(jù)顯示，全球光刻膠市場中，LCD光刻膠、PCB光刻膠、半導體光刻膠產(chǎn)品占比較為平均。相比之下，中國光刻膠生產(chǎn)能力主要集中PCB光刻膠，占比高達約94%；半導體光刻膠由于技術壁壘較高占約2%。此外，光刻膠是生產(chǎn)28nm、14nm乃至10nm以下制程的關鍵，被國外巨頭壟斷，國產(chǎn)化任重道遠。

隨著科技的飛速發(fā)展，消費者對電子產(chǎn)品性能的要求日益提高，這對芯片制造商在更小的芯片上集成更多的電路，并保持甚至提高圖形的精度提出了更高的要求。光刻過程中的圖形精度控制成為了一個至關重要的課題。光刻技術是一種將電路圖案從掩模轉移到硅片或其他基底材料上的精密制造技術。它利用光學原理，通過光源、掩模、透鏡系統(tǒng)和硅片之間的相互作用，將掩模上的電路圖案精確地投射到硅片上，并通過化學或物理方法將圖案轉移到硅片表面。這一過程為后續(xù)的刻蝕、離子注入等工藝步驟奠定了基礎，是半導體制造中不可或缺的一環(huán)。光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都提升了光刻機所能實現(xiàn)的工藝節(jié)點。

涂膠工序是圖形轉換工藝中重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚±0.3%)。光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要復制圖形中線條的及間隙的微細程度。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。根據(jù)性質(zhì)的不一樣，光刻膠可以分為正膠和負膠。在工藝發(fā)展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSIIC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點是粘結能力差。目前，光刻膠原料仍大量依賴進口。硅片光刻加工廠商

光刻圖案的復雜性隨著制程的進步而不斷增加。北京微納加工

光刻工藝就是將光學掩膜版的圖形轉移至光刻膠中。掩膜版按基板材料分為樹脂和玻璃基板，其中玻璃基板又包含石英玻璃，硅硼玻璃，蘇打玻璃等，石英玻璃硬度高，熱膨脹系數(shù)低但價格較高等主要用于高精度領域；按光學掩膜版的遮光材料可分為乳膠遮光模和硬質(zhì)遮光膜，硬質(zhì)遮光膜又細分為鉻，硅，硅化鉬，氧化鐵等。在半導體領域，鉻-石英版因其性能穩(wěn)定，耐用性，精度高等在該領域被廣泛應用。我國的光學掩膜版制作始于20世紀60年代，當時基板主要進口日本“櫻花”玻璃及美國柯達玻璃。1978年，我國大連玻璃廠當時實現(xiàn)制版玻璃的產(chǎn)業(yè)化，成品率10%左右。80年代后期，基板主要采用平拉玻璃。到90年代，浮法玻璃技術技術較為成熟，開始使用浮法玻璃作為基板，2005年使用超白浮法玻璃作為基板。2010年以后，光掩?；迨⒉Ａч_始投產(chǎn)，其質(zhì)量能基本滿足IC產(chǎn)業(yè)光掩模版基板的高精度需求。隨著市場對大直徑硅片的需求，大尺寸玻璃基板也同時趨向于大型化，對光掩模石英玻璃基板也提出了更高的要求。北京微納加工