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來源： 發(fā)布時間：2025-07-09

國家戰(zhàn)略支持
《國家集成電路產業(yè)投資基金三期規(guī)劃》將光刻膠列為重點投資領域，計劃投入超500億元支持研發(fā)。工信部對通過驗證的企業(yè)給予稅收減免和設備采購補貼，單家企業(yè)比較高補貼可達研發(fā)投入的30%。

 地方產業(yè)協(xié)同
濟南設立寬禁帶半導體產業(yè)專項基金，深圳國際半導體光刻膠產業(yè)展覽會（2025年4月）吸引全球300余家企業(yè)參展，推動技術交流。

 資本助力產能擴張
恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元，擴大KrF光刻膠產能并布局集成電路前驅體項目。彤程新材半導體光刻膠業(yè)務2024年上半年營收增長54.43%，ArF光刻膠開始形成銷售。
環(huán)境溫濕度波動可能導致光刻膠圖形形變，需在潔凈室中嚴格控制?；葜葑韬赣湍饪棠z多少錢

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在半導體材料領域，廣東吉田半導體材料有限公司憑借 23 年技術沉淀，已成為國內光刻膠行業(yè)的企業(yè)。公司產品線覆蓋正性、負性、厚膜、納米壓印等多類型光刻膠，廣泛應用于芯片制造、LCD 顯示、PCB 電路板等領域。
  1. 技術：自主研發(fā)的光刻膠產品具備高分辨率（如 JT-3001 厚板光刻膠）、高感光度（如 JT-1000 負性光刻膠）及抗深蝕刻性能，部分指標達到水平。
  2. 嚴苛品控：生產過程嚴格遵循 ISO9001 體系，材料進口率 100%，并通過 8S 現(xiàn)場管理確保制程穩(wěn)定性。
  3. 定制化服務：支持客戶需求定制，例如為特殊工藝開發(fā)光刻膠，滿足多樣化場景需求。
公司位于松山湖開發(fā)區(qū)，依托產業(yè)園區(qū)資源，持續(xù)加大研發(fā)，與科研機構合作推動技術升級。目前，吉田半導體已服務全球數(shù)千家客戶，以 “匠心品質、售后無憂” 的理念贏得市場口碑。
陜西油墨光刻膠國產廠家不同制程對光刻膠的性能要求各異，需根據(jù)工藝需求精確選擇。

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吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業(yè)鏈：

  • 芯片制造：YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲，支持國產 14nm 芯片量產。
  • 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
  • 新能源領域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認證，批量應用于寧德時代儲能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。
  • 研發(fā)投入：年研發(fā)費用占比超 15%，承擔國家 02 專項課題，獲 “國家技術發(fā)明二等獎”。
  • 產能規(guī)模：光刻膠年產能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
  • 質量體系：通過 ISO9001、IATF 16949 等認證，生產過程執(zhí)行 8S 管理，批次穩(wěn)定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā)，加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破，目標在 2027 年前實現(xiàn) 7nm 制程材料量產。同時，深化國產供應鏈協(xié)同，構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈，為中國半導體產業(yè)自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標準，吉田半導體以自研自產為引擎，走出了一條中國半導體材料企業(yè)的崛起之路。未來，公司將以更具競爭力的產品與技術，助力中國半導體產業(yè)邁向更高臺階。

作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產品研發(fā)與生產全流程。公司位于東莞松山湖產業(yè)集群，依托區(qū)域產業(yè)鏈優(yōu)勢，持續(xù)推出符合國際環(huán)保標準的半導體材料解決方案。

公司在錫膏、焊片等產品中采用無鹵無鉛配方，嚴格遵循 RoHS 指令要求，避免使用有害物質。以錫膏為例，其零鹵素配方通過第三方機構認證，不僅減少了電子產品廢棄后的環(huán)境負擔，還提升了焊接可靠性，適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時，納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產過程中，公司通過優(yōu)化原料配比，減少揮發(fā)性有機物（VOCs）排放，確保產品符合歐盟 REACH 法規(guī)。

根據(jù)曝光光源的不同，光刻膠可分為紫外光刻膠（UV）、深紫外光刻膠（DUV）和極紫外光刻膠（EUV）。

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 先進制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產能力提升直接推動7nm及以下制程的國產化進程。例如，恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應12英寸產線，覆蓋7nm工藝，其工藝寬容度較日本同類型產品提升30%。這使得國內晶圓廠（如中芯國際）在DUV多重曝光技術下，能夠以更低成本實現(xiàn)接近EUV的制程效果，緩解了EUV光刻機禁運的壓力。此外，武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證，為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。

 EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進口，但國內企業(yè)已啟動關鍵技術攻關。久日新材的光致產酸劑實現(xiàn)噸級訂單，科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學團隊開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應”技術，將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2，較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術儲備奠定基礎。

 新型光刻技術融合
復旦大學團隊開發(fā)的功能型光刻膠，在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機晶體管，實現(xiàn)特大規(guī)模集成（ULSI）水平。這種技術突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設備等新興領域的應用，還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術提供了材料支撐。

光刻膠的關鍵應用領域。廈門激光光刻膠國產廠商

光刻膠的質量直接影響芯片良率，其研發(fā)始終是行業(yè)技術焦點?；葜葑韬赣湍饪棠z多少錢

主要應用場景

 印刷電路板（PCB）：

? 通孔/線路加工：負性膠厚度可達20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵、堿性氯化銅），適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板、多層板的外層電路。

? 阻焊層：作為絕緣保護層，覆蓋非焊盤區(qū)域，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上），負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應用。

 微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 深硅蝕刻（DRIE）：負性膠作為蝕刻掩膜，厚度可達100μm以上，耐SF?等強腐蝕性氣體，用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結構（深寬比＞20:1）。

? 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用負性膠的厚膠成型能力。

 平板顯示（LCD）：

? 彩色濾光片（CF）基板預處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層，耐濕法蝕刻（如HF溶液），確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。

 功率半導體與分立器件：

? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm），耐高濃度酸堿蝕刻，降低工藝成本。
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