致晟光電作為蘇州本土的光電檢測設(shè)備研發(fā)制造企業(yè),其本地化服務(wù)目前以國內(nèi)市場為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū),依托總部蘇州的地理優(yōu)勢,對上海、江蘇、浙江等周邊省市實現(xiàn)高效服務(wù)。無論是設(shè)備的安裝調(diào)試,還是售后的故障維修、技術(shù)咨詢,都能在短時間內(nèi)響應(yīng),例如在蘇州本地,接到客戶需求后,普遍可在數(shù)小時內(nèi)安排技術(shù)人員上門服務(wù)。在全國范圍內(nèi),致晟光電已通過建立銷售服務(wù)網(wǎng)點、與當(dāng)?shù)亟?jīng)銷商合作等方式,保障本地化服務(wù)的覆蓋。
我司自研含微光顯微鏡等設(shè)備,獲多所高校、科研院所及企業(yè)認(rèn)可使用,性能佳,廣受贊譽。檢測用微光顯微鏡設(shè)備制造
微光顯微鏡的原理是探測光子發(fā)射。它通過高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對(EHP)復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子(如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過程中的發(fā)光),進(jìn)而定位失效點。其探測對象是光信號,且多針對可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測溫原理工作。芯片運行時,失效區(qū)域(如短路、漏電點)會因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫,其釋放的紅外輻射強度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過檢測不同區(qū)域的紅外輻射差異,生成溫度分布圖像,以此定位發(fā)熱異常點,探測對象是熱信號(紅外波段輻射)。鎖相微光顯微鏡價格支持離線數(shù)據(jù)分析,可將檢測圖像導(dǎo)出后進(jìn)行深入處理,不占用設(shè)備的實時檢測時間。
定位短路故障點短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。
當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時,短路區(qū)域會形成異常電流通路,引發(fā)局部溫度驟升,并伴隨特定波長的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI(微光顯微鏡)憑借其超高靈敏度,能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號,再通過對光信號的強度分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析,可實現(xiàn)對短路故障點的精確定位。
以一款高性能微處理器芯片為例,其在測試中出現(xiàn)不明原因的功耗激增問題,技術(shù)人員初步判斷為內(nèi)部電路存在短路隱患。通過EMMI對芯片進(jìn)行全域掃描檢測,在極短時間內(nèi)便在芯片的某一特定功能模塊區(qū)域發(fā)現(xiàn)了光發(fā)射信號。結(jié)合該芯片的電路設(shè)計圖紙和版圖信息進(jìn)行深入分析,終鎖定故障點為兩條相鄰的鋁金屬布線之間因絕緣層破損而發(fā)生的短路。這一定位為后續(xù)的故障修復(fù)和工藝改進(jìn)提供了直接依據(jù)。
通過對這些微光信號的成像與定位,它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置,如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光,實現(xiàn)微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”,依托紅外熱成像技術(shù),它檢測的是芯片工作時因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異常功耗,都會轉(zhuǎn)化為局部溫度的細(xì)微升高,這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā),被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域,它能間接推斷電路中的故障點,尤其擅長發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問題。電路驗證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電,微光顯微鏡可定位位置,為電路設(shè)計優(yōu)化提供依據(jù),保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
半導(dǎo)體企業(yè)購入微光顯微鏡設(shè)備,是提升自身競爭力的關(guān)鍵舉措,原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設(shè)計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題,直接決定產(chǎn)品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力,可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號,高效識別漏電、熱失控等隱性故障,為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中,快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本,同時通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任,這正是半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。國外微光顯微鏡價格高昂,常達(dá)上千萬元,我司國產(chǎn)設(shè)備工藝完備,技術(shù)成熟,平替性價比高。國內(nèi)微光顯微鏡成像
當(dāng)二極管處于正向偏置或反向擊穿狀態(tài)時,會有強烈的光子發(fā)射,形成明顯亮點。檢測用微光顯微鏡設(shè)備制造
當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷,如結(jié)漏電、氧化層漏電時,電子-空穴對復(fù)合會釋放光子,微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復(fù)合異常情況,像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效,以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光,它也能有效探測,為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。
而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會導(dǎo)致局部過熱,其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區(qū)域因設(shè)計缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常,以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況,它能生成溫度分布圖像,助力找出熱量異常根源。 檢測用微光顯微鏡設(shè)備制造