致晟光電作為蘇州本土的光電檢測設備研發(fā)制造企業(yè)，其本地化服務目前以國內市場為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū)，依托總部蘇州的地理優(yōu)勢，對上海、江蘇、浙江等周邊省市實現高效服務。無論是設備的安裝調試，還是售后的故障維修、技術咨詢，都能在短時間內響應，例如在蘇州本地，接到客戶需求后，普遍可在數小時內安排技術人員上門服務。在全國范圍內，致晟光電已通過建立銷售服務網點、與當地經銷商合作等方式，保障本地化服務的覆蓋。
晶體管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。微光顯微鏡方案

對半導體研發(fā)工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究內核。

然而，受限于專業(yè)分析設備的缺乏，再加上芯片內部設計涉及機密，工程師難以深入了解其底層構造，這就導致他們在面對原廠出具的分析報告時，常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節(jié)，也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 顯微微光顯微鏡對比紅外成像可以不破壞芯片封裝，嘗試定位未開封芯片失效點并區(qū)分其在封裝還是 Die 內部，利于評估芯片質量。

微光顯微鏡（EMMI）無法探測到亮點的情況:

一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導電通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮點被遮蔽的情況有掩埋結（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測模式（backsidemode），但該模式*能探測近紅外波段的發(fā)光，且需對樣品進行減薄及拋光處理等。

OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現出色，而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。我司團隊改進算法等技術，整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng)，價低且數據整理準、操作便，性價比高，居行業(yè)先頭。

RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備，其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ，構建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準確捕捉器件在微弱漏電流下產生的極微弱微光信號，實現納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術，設備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析，為工程師提供直觀的缺陷數據支撐，助力優(yōu)化生產工藝、提升產品可靠性。從芯片研發(fā)到量產質控，RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能，為半導體器件全生命周期的質量保障提供科學解決方案，是半導體行業(yè)提升良率的關鍵檢測利器。微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子，結合光學原理和算法可預估失效點深度，為失效分析和修復提供參考。檢測用微光顯微鏡儀器

微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭，可將微小缺陷放大至清晰可見，讓檢測更易觀察分析，提升檢測的準確度。微光顯微鏡方案

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設備，在維護成本控制上展現出優(yōu)勢。對于分開的兩臺設備，企業(yè)需配備專門人員分別學習兩套系統(tǒng)的維護知識，培訓內容涵蓋不同的機械結構、光學原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校準流程，往往需要數月的系統(tǒng)培訓才能確保人員熟練操作，期間產生的培訓費用、時間成本居高不下。而使用一套集成設備只需一套維護體系，維護人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護邏輯與操作規(guī)范，無需在兩套差異化的設備間切換學習，培訓周期可縮短近一半，大幅降低了培訓方面的人力與資金投入。
微光顯微鏡方案