鐵磁存儲和反鐵磁磁存儲是兩種不同類型的磁存儲方式,它們在磁性特性和應用方面存在明顯差異。鐵磁存儲利用鐵磁材料的強磁性來存儲數(shù)據(jù),鐵磁材料在外...
01005射頻電容作為射頻電容領(lǐng)域中的微型表示,以其極小的尺寸在電子行業(yè)中嶄露頭角。在如今電子設備不斷追求小型化、輕薄化的趨勢下,01005...
高速隨機數(shù)發(fā)生器芯片在現(xiàn)代通信和計算系統(tǒng)中具有迫切的應用需求。在高速數(shù)據(jù)傳輸和加密通信中,需要大量的隨機數(shù)來生成加密密鑰和進行數(shù)據(jù)擾碼。高速...
雙硅電容采用協(xié)同工作原理,具備卓著優(yōu)勢。它由兩個硅基電容單元組成,這兩個電容單元可以相互協(xié)作,實現(xiàn)更好的性能表現(xiàn)。在電容值方面,雙硅電容可以...
蘇州凌存科技有限公司(以下簡稱凌存科技)成立于2021年12月,坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司,并在該領(lǐng)域處于先進的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項,涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外,公司已申請國家發(fā)明專利15項。目前,凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點的流片,性能指標處于先進地位。 公司擁有一支國際化團隊,成員來自中國大陸,美國,中國臺灣,日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術(shù),旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片,磁性真隨機數(shù)發(fā)生器芯片。