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上海通用可控硅

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-07

    P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制:板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制(選件):內(nèi)置電流變換器,外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過(guò)流報(bào)警(選件):內(nèi)置電流變換器,板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān),常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間:<10ms*起動(dòng)/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍:-30~+50℃濕度范圍:90%RH比較大無(wú)結(jié)露海拔高度2000m以下存儲(chǔ)溫度:-30~+60℃其它要求:通風(fēng)良好,不受日光直射或熱輻射,無(wú)腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式,垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼,500VDC;**小控制板電源端與外殼,500VDC;控制輸入端與外殼,500VDC;控制板輸入端與電源端,500VDC*介電強(qiáng)度:模塊輸出端與外殼之間,2000VAC1分鐘;控制電源端與外殼之間,2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器,其**部件采用國(guó)外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級(jí)可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性,且不隨環(huán)境溫度變化,使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整?,F(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。 可控硅調(diào)整器能與國(guó)內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口。上海通用可控硅

雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則,通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè)。雙向晶閘管的兩個(gè)主電極T1和T2還是有區(qū)別的,雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對(duì)與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流,這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,并沒有實(shí)現(xiàn)可控,而一旦把二極管換做可控硅,便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。

 在一個(gè)**基本的單相半波可控整流電路中,當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí),只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí),可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出,因此可以通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間,來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,達(dá)到可控整流的作用。 上海通用可控硅嚴(yán)格控制貯存時(shí)間ts并恰當(dāng)調(diào)整整機(jī)電路,就可以降低對(duì)hFE參數(shù)的依賴程度。

    選用具有溫度補(bǔ)償特性的2CW234系列硅穩(wěn)壓管作為基準(zhǔn)源,并選擇其穩(wěn)定電壓為6.4V。由特性較好的三端集成穩(wěn)壓器供電,限流電阻采用精密金屬膜電阻R(溫度系數(shù)約為±1×10-5/℃)。為了減小噪聲的影響,將穩(wěn)壓管封裝在盛油的小容器里,噪聲指標(biāo)將會(huì)有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調(diào)整管的集-射極電壓經(jīng)電阻分壓,并將分壓后的射極電壓通過(guò)一電阻送入比較放大器反相端;在集電極電壓的取樣電路中串入一穩(wěn)壓管,由該管決定調(diào)整管壓降大小。此處選3.3V。并將集電極電壓減去穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度,應(yīng)使集-射極采樣電阻完全對(duì)稱,并選取溫度特性較好、同一型號(hào)的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運(yùn)放并接成負(fù)反饋。令R1=R3,R2=R4;設(shè)分壓系數(shù)n=R2/(R1+R2);集成運(yùn)算放大器輸出為Uo;放大系數(shù)為K;調(diào)整管集電極電壓為UC;調(diào)整管發(fā)射極電壓為UE;A點(diǎn)電壓為UA;B點(diǎn)電壓為UB;有:當(dāng)調(diào)整管壓降增大,UcE上升,使Uo增大,即觸發(fā)器的控制電壓Ub增大,而集成觸發(fā)器KJ785是負(fù)極型的:控制電壓增大,導(dǎo)通角減小。因此,觸發(fā)脈沖后移,整流輸出減小??煽毓枵鲹?dān)任***步的穩(wěn)壓工作。

    此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,其變化越大,說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高;如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小,用此法測(cè)時(shí),反向阻值變化不大。二、.場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)(1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率,比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數(shù)的極限值。(2)各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,等等。(3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮。(4)為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵。整流器/充電機(jī)應(yīng)有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。

    其輸出電壓的變化是由導(dǎo)通角的變化來(lái)決定的。相位控制部分正是根據(jù)調(diào)整管壓降的變化來(lái)改變可控硅導(dǎo)通角,進(jìn)而改變整流濾波電路輸出電壓,將調(diào)整管壓降維持在3V左右。該穩(wěn)壓電源中,采用KJ785晶閘管移相觸發(fā)電路。因?yàn)樽鳛橐环N電源產(chǎn)品,應(yīng)力求在實(shí)現(xiàn)同樣功能的前提下,器件性能好,電路簡(jiǎn)單,實(shí)現(xiàn)容易。該觸發(fā)電路可以輸出兩路相差180度的觸發(fā)脈沖,可在0~180度范圍移相,可用于控制單相、雙向晶閘管和晶體管。KJ785由同步檢測(cè)寄存電路,基準(zhǔn)電源,鋸齒波形成電路,移相電壓和鋸齒波綜合比較電路與邏輯控制功率放大等部分組成。鋸齒波斜率決定于9腳外接電阻和10腳外接電容。脈沖寬度由腳外接電容決定,不接該電容時(shí),脈沖寬度由內(nèi)接電容決定,約為30μs。KJ785只需單電源工作,觸發(fā)電路為負(fù)極性,即移相電壓增加,導(dǎo)通角減小。同步電壓從5腳輸入,可以直接取自電網(wǎng)電壓,降壓限流電阻取電網(wǎng)電壓×103Ω,也可采用同步變壓器隔離輸入。7,6腳可提供脈沖列和脈沖***的控制端。各管腳功能如表1所示。由于該穩(wěn)壓電源是大功率電源,有發(fā)熱量較大的變壓器、整流二極管、可控硅、集成穩(wěn)壓器等,更主要的是,調(diào)整管是大功率晶體管,發(fā)熱較大。因此該穩(wěn)壓電源中,采用風(fēng)扇送風(fēng)。整流器可以由真空管,引燃管,固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管,汞弧等制成。上海可控硅定制

電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無(wú)級(jí)平滑調(diào)節(jié)。上海通用可控硅

    可控硅檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)可控硅(SCR)國(guó)際通用名稱為Thyyistoy,中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作,具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn),它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性??煽毓璺謫蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1(T1),第二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向。上海通用可控硅

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