針對(duì)高粘度晶圓切割液的回收處理，中清航科研發(fā)了離心式過(guò)濾凈化系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過(guò)三級(jí)過(guò)濾工藝，可去除切割液中 99.9% 的固體顆粒雜質(zhì)，使切割液循環(huán)利用率提升至 80% 以上，不只降低耗材成本，還減少?gòu)U液排放。同時(shí)配備濃度自動(dòng)調(diào)節(jié)功能，確保切割液性能穩(wěn)定，保障切割質(zhì)量一致性。在晶圓切割設(shè)備的維護(hù)便捷性設(shè)計(jì)上，中清航科秉持 “易維護(hù)” 理念。設(shè)備關(guān)鍵部件采用模塊化設(shè)計(jì)，更換激光頭、切割刀片等中心組件只需 15 分鐘，較傳統(tǒng)設(shè)備縮短 70% 維護(hù)時(shí)間。同時(shí)配備維護(hù)指引系統(tǒng)，通過(guò) AR 技術(shù)直觀展示維護(hù)步驟，降低對(duì)專業(yè)維護(hù)人員的依賴，減少客戶運(yùn)維壓力。切割機(jī)預(yù)測(cè)性維護(hù)平臺(tái)中清航科上線，關(guān)鍵部件壽命預(yù)警準(zhǔn)確率99%。鎮(zhèn)江碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割廠

在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面，中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評(píng)估服務(wù)。通過(guò)產(chǎn)能模擬軟件，根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù)，精確計(jì)算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案，并提供投資回報(bào)分析，幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購(gòu)決策，避免產(chǎn)能過(guò)剩或不足的問(wèn)題。針對(duì)晶圓切割過(guò)程中可能出現(xiàn)的異常情況，中清航科開(kāi)發(fā)了智能應(yīng)急處理系統(tǒng)。設(shè)備可自動(dòng)識(shí)別切割偏差過(guò)大、晶圓破裂等異常狀態(tài)，并根據(jù)預(yù)設(shè)方案采取緊急停機(jī)、廢料處理等措施，同時(shí)自動(dòng)保存異常發(fā)生前的工藝數(shù)據(jù)，為后續(xù)問(wèn)題分析提供依據(jù)，比較大限度減少損失。南通芯片晶圓切割測(cè)試中清航科定制刀輪應(yīng)對(duì)超薄晶圓切割，碎片率降至0.1%以下。

在半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代的浪潮中，中清航科始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新，中心技術(shù) 100% 自主可控。其晶圓切割設(shè)備的關(guān)鍵部件如激光發(fā)生器、精密導(dǎo)軌、控制系統(tǒng)等均實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化量產(chǎn)，不僅擺脫對(duì)進(jìn)口部件的依賴，還將設(shè)備交付周期縮短至 8 周以內(nèi)，較進(jìn)口設(shè)備縮短 50%，為客戶搶占市場(chǎng)先機(jī)提供有力支持。展望未來(lái)，隨著 3nm 及更先進(jìn)制程的突破，晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰(zhàn)。中清航科已啟動(dòng)下一代原子級(jí)精度切割技術(shù)的研發(fā)，計(jì)劃通過(guò)量子點(diǎn)標(biāo)記與納米操控技術(shù)，實(shí)現(xiàn) 10nm 以下的切割精度，同時(shí)布局晶圓 - 封裝一體化工藝，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供前瞻性的技術(shù)解決方案，與全球客戶共同邁向更微觀的制造領(lǐng)域。

晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗(yàn)積累，中清航科開(kāi)發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng)，基于千萬(wàn)級(jí)切割數(shù)據(jù)訓(xùn)練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù)，系統(tǒng)就能自動(dòng)生成比較好的切割方案，包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù)，新手操作人員也能快速達(dá)到工程師的工藝水平，大幅降低技術(shù)門檻。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)設(shè)備的占地面積有著嚴(yán)格要求，中清航科采用緊湊型設(shè)計(jì)理念，將晶圓切割設(shè)備的占地面積控制在 2 平方米以內(nèi)，較傳統(tǒng)設(shè)備減少 40%。在有限空間內(nèi)，通過(guò)巧妙的結(jié)構(gòu)布局實(shí)現(xiàn)全部功能集成，同時(shí)預(yù)留擴(kuò)展接口，方便后續(xù)根據(jù)產(chǎn)能需求增加模塊，滿足不同規(guī)模生產(chǎn)車間的布局需求。晶圓切割大數(shù)據(jù)平臺(tái)中清航科開(kāi)發(fā)，實(shí)時(shí)分析10萬(wàn)+工藝參數(shù)。

針對(duì)小批量多品種的研發(fā)型生產(chǎn)需求，中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設(shè)計(jì)的切割設(shè)備可在 30 分鐘內(nèi)完成不同規(guī)格晶圓的換型調(diào)整，配合云端工藝數(shù)據(jù)庫(kù)，存儲(chǔ)超過(guò) 1000 種標(biāo)準(zhǔn)工藝參數(shù)，工程師可快速調(diào)用并微調(diào)，大幅縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入周期，為科研機(jī)構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測(cè)環(huán)節(jié)直接關(guān)系到后續(xù)封裝的質(zhì)量。中清航科將 AI 視覺(jué)檢測(cè)技術(shù)與切割設(shè)備深度融合，通過(guò)深度學(xué)習(xí)算法自動(dòng)識(shí)別切割面的微裂紋、缺口等缺陷，檢測(cè)精度達(dá) 0.5μm，檢測(cè)速度提升至每秒 300 個(gè) Die，實(shí)現(xiàn)切割與檢測(cè)的一體化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪費(fèi)。MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護(hù)層技術(shù)，結(jié)構(gòu)完整率99%。揚(yáng)州砷化鎵晶圓切割企業(yè)

選擇中清航科切割代工服務(wù)，復(fù)雜圖形晶圓損耗降低27%。鎮(zhèn)江碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割廠

GaN材料硬度高且易產(chǎn)生解理裂紋。中清航科創(chuàng)新水導(dǎo)激光切割（Water Jet Guided Laser），利用高壓水柱約束激光束，冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm，熱影響區(qū)只2μm，滿足射頻器件高Q值要求。設(shè)備振動(dòng)導(dǎo)致切割線寬波動(dòng)。中清航科應(yīng)用主動(dòng)磁懸浮阻尼系統(tǒng)，通過(guò)6軸加速度傳感器實(shí)時(shí)生成反向抵消力，將振幅壓制在50nm以內(nèi)。尤其適用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光學(xué)器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統(tǒng)（波長(zhǎng)355nm）配合光束整形模塊，實(shí)現(xiàn)吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破攝像頭模組良率瓶頸。鎮(zhèn)江碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割廠