由于門極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō)，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大，以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷。徐匯區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

這樣一來(lái)，輸出高低電平時(shí)，T3 一路和 T4 一路將交替工作，從而減低了功耗，提高了每個(gè)管的承受能力。又由于不論走哪一路，管子導(dǎo)通電阻都很小，使 RC 常數(shù)很小，轉(zhuǎn)變速度很快。因此，推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力，又提高開(kāi)關(guān)速度。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制，總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止。要實(shí)現(xiàn)線與需要用 OC（open collector）門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場(chǎng)合，廣泛應(yīng)用于功放電路和開(kāi)關(guān)電源中。楊浦區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)繼電器驅(qū)動(dòng)電路：通過(guò)控制繼電器的開(kāi)關(guān)來(lái)驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場(chǎng)合。

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離，是一種電路簡(jiǎn)單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過(guò)寬，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過(guò)窄，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。

-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí)，必須考慮下列細(xì)節(jié)：· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值?！?驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流。· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。傳感器驅(qū)動(dòng)：驅(qū)動(dòng)電路可以將傳感器檢測(cè)到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，例如溫度傳感器、壓力傳感器等。

在安裝驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下，以備將來(lái)使用。Inf目錄下除了有.inf文件外，還有兩個(gè)特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它們都是Windows為了加快處理速度而自動(dòng)生成的二進(jìn)制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設(shè)備，也許朋友們會(huì)有印象：當(dāng)我們?cè)诎惭b某些設(shè)備時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到一個(gè)“創(chuàng)建驅(qū)動(dòng)程序信息庫(kù)”的窗口，此時(shí)Windows便正在生成這兩個(gè)二進(jìn)制文件。優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠減少器件的開(kāi)關(guān)損耗，提高能量轉(zhuǎn)換效率，并降低電磁干擾（EMI/EMC）。奉賢區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)通常需要考慮負(fù)載的電流、電壓要求，以及控制信號(hào)的特性。徐匯區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

非隔離驅(qū)動(dòng)電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片。按常見(jiàn)形式分類：直接驅(qū)動(dòng)：由單個(gè)電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來(lái)組成的驅(qū)動(dòng)電路，多用于功能簡(jiǎn)單的小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。**驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開(kāi)關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高，在低頻場(chǎng)合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng)，而在高頻場(chǎng)合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。徐匯區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在上海市等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)祥盛芯城供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！