圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法的可以來電咨詢！內(nèi)蒙古集成電路回收處理

本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù)，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。背景技術(shù)：由于新能源的大力發(fā)展，隔離應(yīng)用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導(dǎo)體隔離技術(shù)取代傳統(tǒng)光耦技術(shù)效率 更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領(lǐng)域一個重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F(xiàn)有技術(shù)中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調(diào)制信號，電路非常復(fù)雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對于采用微變壓器方案的半導(dǎo)體隔離技術(shù)，由于微變壓器方案電感量，耦合系數(shù)太低，也增加了傳輸電路的復(fù)雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內(nèi)部集成開關(guān)的電源，客戶使用不方便。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。青海電子物料回收網(wǎng)上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法可以來我司咨詢。

發(fā)射機校準包括：apc校準、包絡(luò)調(diào)整、afc頻率補償校準、溫度補償校準等。接收機校準包括：agc校準、rssi校準等。主板校準是手機生產(chǎn)測試的，手機的各項性能指標主要依靠校準工位調(diào)整參數(shù)，使之滿足產(chǎn)品標準。校準完成后的手機，其性能是否滿足規(guī)范要求，或機殼裝配是否對性能有影響，需通過綜測來驗證。手機通過數(shù)據(jù)接口接收測試程序指令，再通過射頻接口與測試儀器相連接，就可以測試發(fā)射機的功率、包絡(luò)、頻率、相位、接收機靈敏度等指標。整機測試完成后，計算機向手機寫入相應(yīng)生產(chǎn)測試信息。所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊傳輸連接。所述遠程后臺服務(wù)器通過tcp/ip協(xié)議與無線網(wǎng)關(guān)裝置相連；無線網(wǎng)關(guān)裝置通過無線傳輸方式與通訊模塊相連。所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊相連。所述電容式觸摸模塊包括感應(yīng)觸控芯片，感應(yīng)觸控芯片與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊數(shù)據(jù)傳輸連接。作為一種實施方式，電容式觸摸模塊采用的電容式觸摸屏是一塊四層復(fù)合玻璃屏，玻璃屏的內(nèi)表面和夾層各涂有一層ito，外層是一薄層矽土玻璃保護層。

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過諸如熱氧化、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術(shù)形成所述介電層。參照圖4b，在設(shè)置在介電層230上方的層240和層250上方對光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒有層240和層250。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的不要錯過哦！

電腦顯示工作狀態(tài)及數(shù)據(jù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時查看工作狀態(tài)及各項監(jiān)測數(shù)據(jù)， 方便操作者使用，使得產(chǎn)品調(diào)試快捷。附圖說明圖1是本實用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1所示，一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務(wù)器、錄入終端裝置和顯示器，其中：所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數(shù)據(jù)線與遠程后臺服務(wù)器連接。所述數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊包括下載判斷模塊、校準綜測模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。其中，下載判斷模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊均為手機監(jiān)測的常用模塊，采用現(xiàn)有的技術(shù)。校準綜測模塊包括對主板的校準，主板校準主要包括發(fā)射機和接收機的射頻指標校準。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有需求可以來電咨詢！中國臺灣電容電阻回收中心

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導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區(qū)ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠)的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。內(nèi)蒙古集成電路回收處理

上海海谷電子有限公司成立于2019-07-30，是一家專注于電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收的高新技術(shù)企業(yè)，公司位于肖塘路255弄10號2層。公司經(jīng)常與行業(yè)內(nèi)技術(shù)專家交流學(xué)習(xí)，研發(fā)出更好的產(chǎn)品給用戶使用。公司主要經(jīng)營電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收，公司與電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收行業(yè)內(nèi)多家研究中心、機構(gòu)保持合作關(guān)系，共同交流、探討技術(shù)更新。通過科學(xué)管理、產(chǎn)品研發(fā)來提高公司競爭力。公司秉承以人為本，科技創(chuàng)新，市場先導(dǎo)，和諧共贏的理念，建立一支由電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收專家組成的顧問團隊，由經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員組成的研發(fā)和應(yīng)用團隊。海谷秉承著誠信服務(wù)、產(chǎn)品求新的經(jīng)營原則，對于員工素質(zhì)有嚴格的把控和要求，為電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收行業(yè)用戶提供完善的售前和售后服務(wù)。