每個單元線路結構的八條柵極線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節(jié)距和第二柵極節(jié)距。在又一實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。在這個實施例中，每個單元線路結構的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復地具有柵極節(jié)距、第二柵極節(jié)距、柵極節(jié)距和第三柵極節(jié)距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方法包括：在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多條金屬線中的6n條金屬線和包括在所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結構布置在方向上。在所述方法的一些實施例中。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的不要錯過哦！山東晶振回收市場

根據(jù)信號線束需要插接的位置，調節(jié)緊固螺栓12上連桿13的位置到合適的地方，順時針轉動緊固螺栓12，將連桿13的位置固定；逆時針轉動線夾14底部的螺絲，使得線夾14張開，將信號線穿過線夾14，順時針轉動線夾14底部的螺絲，將信號線固定在線夾14的內部，將信號線的端頭安裝在信號接頭9上的93的底端，將93按入母頭91的內部，通過卡扣92固定；將主板1通過減震螺栓10安裝固定在預先設置的安裝位置，順時針擰緊減震螺栓10即可，當設備運轉時，為該顯示驅動集成電路結構供電，散熱風扇4通電轉動，主板1上的電子元件2運轉產(chǎn)生大額熱量，鰭形設計的散熱板3將電子元件2上的熱量吸收，通過散熱風扇4轉動帶起的空氣流動排出設備。對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本實用新型內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。四川集成電路回收處理上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！

根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。實施例可以應用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實施例可以應用于諸如存儲器卡、固態(tài)驅動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務器計算機、工作站、膝上型計算機、數(shù)字tv、機頂盒、便攜式、導航系統(tǒng)、可穿戴裝置、物聯(lián)網(wǎng)(iot)裝置、萬物網(wǎng)(ioe)裝置、電子書、虛 擬現(xiàn)實(vr)裝置、增強現(xiàn)實(ar)裝置等的系統(tǒng)。前述內容是對示例實施例的說明，而不應被解釋為對其進行限制。盡管已經(jīng)描述了一些示例實施例，但是本領域技術人員將容易理解，在實質上不脫離本發(fā)明構思的情況下，可以在示例實施例中進行許多修改。

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設置有空心導熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構的目的，之后打開管蓋，并通過導管向空心導熱塊內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發(fā)熱量的時候，熱量被空心導熱塊吸收，同時空心導熱塊內部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊中繼續(xù)吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。該裝置中未涉及部分均與現(xiàn)有技術相同或可采用現(xiàn)有技術加以實現(xiàn)，本實用新型能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。附圖說明圖1為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片的結構示意圖；圖2為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片a部分的結構示意圖。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電哦！

在圖5中的具有n＝1的單元線路結構中，存在六條金屬線和四條柵極線。圖5包括多個單元線路結構，多個單元線路結構包括圖5的左側的單元線路結構以及圖5的右側的第二單元線路結構，第二單元線路結構在x方向(在此也稱為方向x)上與單元線路結構相鄰，并且第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。參照圖6，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。標簽“dpg”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“g”表示柵極。例如，雙倍心軸圖案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達式2表示。表達式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表達式2中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。參照圖7，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！四川電子元件物料回收中心

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導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區(qū)ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠)的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。山東晶振回收市場

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