可以通過電力軌71與第二電力軌72之間沿第二方向y的距離定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元高度ch?？梢匝刂c電力軌71和72平行的方向x定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元寬度cw。線路m1的節(jié)距會由于小節(jié)距規(guī)則而需要滿足限制。例如，線路m1會需要根據(jù)“前列到側(cè)面”約束和“圓角”約束來滿足限制。線路m1的尺寸、布置和間隔可能受到這些約束的限制。下通孔接觸件v0和線路m1可以具有阻擋層和線路導(dǎo)電層的堆疊結(jié)構(gòu)。阻擋層可以由例如tin、tan、它們的組合等形成。線路導(dǎo)電層可以由例如w、cu、它們的合金、它們的組合等形成?？梢允褂胏vd方法、ald方法和/或電鍍方法來形成線路m1和下通孔接觸件v0。根據(jù)一些示例實(shí)施例的集成電路可以對應(yīng)于各種標(biāo)準(zhǔn)單元的組合。盡管圖中未示出，但是根據(jù)示例實(shí)施例的用于形成單元線路結(jié)構(gòu)的列金屬線可以形成在第二層ly2上方的m2層或m3層中。圖13是示出根據(jù)示例實(shí)施例的設(shè)計(jì)集成電路的方法的示圖。圖13的方法可以包括由設(shè)計(jì)工具執(zhí)行的設(shè)計(jì)集成電路的布圖的方法。在一些示例實(shí)施例中，設(shè)計(jì)工具可以包括包含可由處理器執(zhí)行的多個指令的編程軟件，即，以硬件(例如，處理器、asic等)的某種形式實(shí)現(xiàn)的軟件。參照圖13，可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)(s10)。例如。上海海谷電子有限公司為您提供回收。吉林電感元件回收網(wǎng)

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于芯板底面 的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應(yīng)處設(shè)置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。山東電子芯片回收行情上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的可以來電咨詢！

可以通過執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負(fù)電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個電路行cr1至cr5的邊界。根據(jù)一些示例實(shí)施例，可以通過在第二方向y上延伸的電力網(wǎng)線路321至324將電力分配到電力軌311至316。一些電力網(wǎng)線路322和324可以提供電源電壓vdd，并且其他電力網(wǎng)線路321和323可以提供第二電源電壓vss。電力網(wǎng)線路321至324可以通過豎直接觸件vc(諸如，通孔接觸件)連接到電力軌311至316。通常，電路行cr1至cr5中的每個可以連接到位于其邊界的兩個相鄰的電力軌以便被供電。例如，電路行cr1中的標(biāo)準(zhǔn)單元sc1和sc2可以連接到包括高電力軌311和低電力軌312的相鄰的且相應(yīng)的電力軌對。根據(jù)示例實(shí)施例，如圖16中所示。

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實(shí)施方式下面結(jié) 合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進(jìn)行說明。圖1是實(shí)施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！

本實(shí)用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計(jì)算機(jī)鍵盤進(jìn)行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標(biāo)。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特 征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進(jìn)行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機(jī)”的 公開了一種多媒體指紋考勤機(jī)，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚(yáng)聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數(shù)據(jù)的觸摸屏。該種輸入設(shè)備功能較為單一，輸入設(shè)備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進(jìn)行操作，動態(tài)輸入性較差。針對于目前工廠對產(chǎn)品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機(jī)器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法可以來我司咨詢！湖南電子料上門回收服務(wù)

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將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實(shí)現(xiàn) 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。吉林電感元件回收網(wǎng)

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