存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變r am(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被集成在計算機中，或者可以通過諸如網絡和/或無線鏈接的通信介質連接到計算機。設計模塊1400可以包括布局模塊plmd1200和布線模塊rtmd1300。在此，術語“模塊”可以指示但不限于執(zhí)行特定任務的軟件和/或硬件組件(諸如，現場可編程門陣列(fpga)或集成電路(asic))。模塊可以駐留在有形的、可尋址的存儲介質中，并且可以在一個或多個處理器上執(zhí)行。例如。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，歡迎新老客戶來電！湖南收購電子元器件回收服務

本發(fā)明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發(fā)展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統(tǒng)光耦技術效率更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中。現有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調制信號，電路非常復雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現，對于采用微變壓器方案的半導體隔離技術，由于微變壓器方案電感量，耦合系數太低，也增加了傳輸電路的復雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內部集成開關的電源，客戶使用不方便。技術實現要素：本發(fā)明針對現有技術中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。湖南收購電子元器件回收服務上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，歡迎您的來電哦！

本發(fā)明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發(fā)展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統(tǒng)光耦技術效率 更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調制信號，電路非常復雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現，對于采用微變壓器方案的半導體隔離技術，由于微變壓器方案電感量，耦合系數太低，也增加了傳輸電路的復雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內部集成開關的電源，客戶使用不方便。技術實現要素：本發(fā)明針對現有技術中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區(qū) ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠)的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，歡迎您的來電！

所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。附圖說明通過以下結合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解本公開的示例實施例。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。圖2是根據示例實施例的集成電路的截面圖。圖3是根據示例實施例的集成電路的圖。圖4a至圖4i是用于描述根據示例實施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。圖5至圖10是根據示例實施例的應用于 集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖。圖12a、圖12b和圖12c是圖11的標準單元的截面圖。圖13是示出根據示例實施例的設計集成電路的方法的示圖。圖14是示出根據示例實施例的集成電路的設計系統(tǒng)的框圖。圖15是示出圖14的設計系統(tǒng)的示例操作的流程圖。圖16是示出根據示例實施例的集成電路的布圖的示圖。圖17是示出根據示例實施例的移動裝置的框圖。具體實施方式在下文中將參照示出一些示例實施例的附圖更地描述各種示例實施例。在附圖中。上海海谷電子有限公司為您提供回收。遼寧電子元件回收行情

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本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環(huán)境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā)明專利公開號 “cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機”的 公開了一種多媒體指紋考勤機，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數據的觸摸屏。該種輸入設備功能較為單一，輸入設備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進行操作，動態(tài)輸入性較差。針對于目前工廠對產品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領域技術人員努力的方向。湖南收購電子元器件回收服務

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