根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。實(shí)施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實(shí)施例可以應(yīng)用于諸如存儲(chǔ)器卡、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式攝像機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)(pc)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、工作站 、膝上型計(jì)算機(jī)、數(shù)字tv、機(jī)頂盒、便攜式、導(dǎo)航系統(tǒng)、可穿戴裝置、物聯(lián)網(wǎng)(iot)裝置、萬物網(wǎng)(ioe)裝置、電子書、虛擬現(xiàn)實(shí)(vr)裝置、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(ar)裝置等的系統(tǒng)。前述內(nèi)容是對(duì)示例實(shí)施例的說明，而不應(yīng)被解釋為對(duì)其進(jìn)行限制。盡管已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，可以在示例實(shí)施例中進(jìn)行許多修改。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司。遼寧進(jìn)口晶振回收公司

本實(shí)用新型涉及集成電路芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術(shù)：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護(hù)環(huán)的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接，防護(hù)環(huán)設(shè)置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。目前集成電路芯片在使用的時(shí)候會(huì)散發(fā)大量的熱量，但現(xiàn)有的芯片散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運(yùn)行的流暢度，還會(huì)損傷芯片，進(jìn)而影響芯片的使用壽命。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中集成電路芯片的散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運(yùn)行的流暢度，還會(huì)損傷芯片，進(jìn)而影響芯片使用壽命的問題，而提出的一種組合式集成電路芯片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：一種組合式集成電路芯片，包括芯片本體。遼寧電容電阻回收網(wǎng)上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有需求可以來電咨詢！

可以是諸如或/與/反相器(oai)或者與/或/反相器(aoi)的復(fù)合單元，還可以是諸如主從觸發(fā)器或鎖存器的存儲(chǔ)單元。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以包括關(guān)于多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的信息。例如，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以包括標(biāo)準(zhǔn)單元的名稱和功能，以及標(biāo)準(zhǔn)單元的時(shí)序信息、功率信息和布圖信息。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中，并且標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以通過訪問存儲(chǔ)裝置來設(shè)置?；谳斎霐?shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)執(zhí)行布局和布線(s30)，并且基于布局和布線的結(jié)果設(shè)置定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)(s40)。在一些示例實(shí)施例中，當(dāng)接收的輸入數(shù)據(jù)是諸如通過將集成電路合成而生成的比特流或網(wǎng)表的數(shù)據(jù)時(shí)，輸出數(shù)據(jù)可以是比特流或網(wǎng)表。在其他示例實(shí)施例中，當(dāng)接收的輸入數(shù)據(jù)是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)(例如，具有圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)ii(gdsii)格式的數(shù)據(jù))時(shí)，輸出數(shù)據(jù)的格式也可以是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)。通過圖13的方法設(shè)計(jì)和制造的集成電路可以包括半導(dǎo)體基底、多條柵極線和多條列金屬線。如參照?qǐng)D1至圖10所述，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。圖14是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的框圖。參照?qǐng)D14，設(shè)計(jì)系統(tǒng)1000可以包括存儲(chǔ)介質(zhì)1100、設(shè)計(jì)模塊1400和處理器1500。

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于 芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級(jí)繞組外過孔和次級(jí)繞組外過孔，所述若干內(nèi)過孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過孔和次級(jí)繞組內(nèi)過孔。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對(duì)應(yīng)處設(shè)置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，歡迎新老客戶來電！

等的半導(dǎo)體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導(dǎo)體。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)。基底110可以包括導(dǎo)電區(qū)域，例如，摻雜雜質(zhì)的阱或摻雜雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個(gè)可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個(gè)鰭型有源區(qū)ac(參見圖12c)。多個(gè)有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個(gè)有源區(qū)ac之間。多個(gè)有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個(gè)有源區(qū)ac交叉的第二方向y上延伸。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個(gè)有源區(qū)ac的上表面和側(cè)壁以及器件隔離層112的上表面。多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區(qū)ac的上表面和兩個(gè)側(cè)壁中形成溝道的三維結(jié)構(gòu)。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！福建晶振回收網(wǎng)

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