等的半導(dǎo)體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導(dǎo)體。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)?；?10可以包括導(dǎo)電區(qū)域，例如，摻雜雜質(zhì)的阱或摻雜雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個(gè)可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個(gè)鰭型有源區(qū)ac(參見圖12c)。多個(gè)有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個(gè)有源區(qū)ac之間。多個(gè)有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個(gè)有源區(qū)ac交叉的第二方向y上延伸。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個(gè)有源區(qū)ac的上表面和側(cè)壁以及器件隔離層112的上表面。多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區(qū)ac的上表面和兩個(gè)側(cè)壁中形成溝道的三維結(jié)構(gòu)。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待為您服務(wù)！吉林電子元件物料回收處理

可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的四倍心軸節(jié)距pqg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22、柵極節(jié)距pg21和第三柵極節(jié)距pg23。在一些實(shí)施例中，第三柵極節(jié)距pg23是距下一個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的距離。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以彼此不同。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以由表達(dá)式3表示。表達(dá)式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表達(dá)式3中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wqg表示四倍心軸圖案qpg的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。在下文中，將參照?qǐng)D8、圖9和圖10描述通過saqp形成多條列金屬線的示例實(shí)施例。參照?qǐng)D8、圖9和圖10，單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中的每個(gè)可以包括分別布置在方向x上的十二條列金屬線ml1至ml12和八條柵極線gl1至gl8。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在列導(dǎo)電層ccl上方順序地形成四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3以及雙心軸圖案dpm1至dmp6。例如。內(nèi)蒙古集成電路回收公司上海海谷電子有限公司致力于提供回收，期待您的光臨！

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級(jí)繞組外過孔；11-環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級(jí)繞組外過孔；14-第二環(huán)初級(jí)繞組外過孔；15-第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級(jí)繞組外過孔；18-第三環(huán)初級(jí)繞組外過孔；19-第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級(jí)繞組外過孔。具體實(shí)施方式下面結(jié) 合附圖(圖1-圖2)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。圖1是實(shí)施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設(shè)置有空心導(dǎo)熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當(dāng)芯片本體與集塵電路板安裝的時(shí)候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達(dá)到固定散熱機(jī)構(gòu)的目的，之后打開管蓋，并通過導(dǎo)管向空心導(dǎo)熱塊內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發(fā)熱量的時(shí)候，熱量被空心導(dǎo)熱塊吸收，同時(shí)空心導(dǎo)熱塊內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管和第二連接管進(jìn)入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。該裝置中未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)，本實(shí)用新型能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。附圖說明圖1為本實(shí)用新型提出的一種組合式集成電路芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型提出的一種組合式集成電路芯片a部分的結(jié)構(gòu)示意圖。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有需要可以聯(lián)系我司哦！

電腦顯示工作狀態(tài)及數(shù)據(jù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時(shí)查看工作狀態(tài)及各項(xiàng)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù) ，方便操作者使用，使得產(chǎn)品調(diào)試快捷。附圖說明圖1是本實(shí)用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。如圖1所示，一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器、錄入終端裝置和顯示器，其中：所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數(shù)據(jù)線與遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器連接。所述數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊包括下載判斷模塊、校準(zhǔn)綜測(cè)模塊、開機(jī)模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。其中，下載判斷模塊、開機(jī)模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊均為手機(jī)監(jiān)測(cè)的常用模塊，采用現(xiàn)有的技術(shù)。校準(zhǔn)綜測(cè)模塊包括對(duì)主板的校準(zhǔn)，主板校準(zhǔn)主要包括發(fā)射機(jī)和接收機(jī)的射頻指標(biāo)校準(zhǔn)?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！浙江電子芯片回收市場(chǎng)

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四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對(duì)單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個(gè)，可以使用三個(gè)四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線 ml1至ml12。每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達(dá)式4表示。表達(dá)式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達(dá)式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對(duì)每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線gl1至gl8。參照?qǐng)D8，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照?qǐng)D9。吉林電子元件物料回收處理

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