調(diào)節(jié)mtj器件、第二調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過(guò)介電遂穿阻擋層與自由層分隔開(kāi)的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實(shí)施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置108可以包括一個(gè)或多個(gè)電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如，在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置108可以包括與工作mtj器件106并聯(lián)連接的薄膜電阻器和第二薄膜電阻器。在各個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置108可以包括具有基本類(lèi)似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲(chǔ)器陣列102通過(guò)多條位線(xiàn)bl1至bl2和多條字線(xiàn)wl1至wl2連接至控制電路115。在一些實(shí)施例中，控制電路115包括連接至多條位線(xiàn)bl1至bl2的位線(xiàn)解碼器116和連接至多條字線(xiàn)wl1至wl2的字線(xiàn)解碼器118。調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置108連接在字線(xiàn)wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之間，而工作mtj器件106連接在調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置108和位線(xiàn)bly(y＝1或2)之間。為了訪(fǎng)問(wèn)工作mtj器件106?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，有想法的可以來(lái)電咨詢(xún)！青海電子物料回收服務(wù)

本發(fā)明涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即，存取晶體管)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)。而且，存儲(chǔ)單元包括調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置，該調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪(fǎng)問(wèn)的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線(xiàn)的工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及連接在工作mtj器件和字線(xiàn)之間的調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置，調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過(guò)介電阻擋層與固定層分隔開(kāi)的自由層。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置還包括連接在第二字線(xiàn)和工作mtj器件之間的第二調(diào)節(jié)mtj器件，字線(xiàn)和第二字線(xiàn)連接至字線(xiàn)解碼器。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)mtj器件具有比第二調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪(fǎng)問(wèn)裝置還包括連接在第二位線(xiàn)和工作mtj器件之間的第二調(diào)節(jié)mtj器件，字線(xiàn)連接至字線(xiàn)解碼器，并且位線(xiàn)和第二位線(xiàn)連接至位線(xiàn)解碼器。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線(xiàn)。在一些實(shí)施例中。湖北電子芯片回收廠(chǎng)家上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來(lái)電！

本申請(qǐng)要求于2018年12月5日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(kipo)的第10-2號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)通過(guò)引用全部包含于此。示例實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地講，涉及具有單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)該集成電路的方法。背景技術(shù)：具有固定功能的標(biāo)準(zhǔn)單元可用在集成電路的設(shè)計(jì)中。標(biāo)準(zhǔn)單元具有預(yù)定架構(gòu)并被存儲(chǔ)在單元庫(kù)中。在設(shè)計(jì)集成電路時(shí)，從單元庫(kù)索取標(biāo)準(zhǔn)單元并將其放置在集成電路布圖上的所需位置。然后執(zhí)行布線(xiàn)以將標(biāo)準(zhǔn)單元彼此連接并與其他單元連接。標(biāo)準(zhǔn)單元具有預(yù)定(或設(shè)定)架構(gòu)，例如，單元寬度、單元高度、單元長(zhǎng)度等?？梢愿鶕?jù)標(biāo)準(zhǔn)單元的配置和布圖來(lái)確定集成電路的設(shè)計(jì)效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：一些示例實(shí)施例可以提供具有適合于設(shè)計(jì)的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)集成電路的方法。還提供一種集成電路，所述集成電路包括：半導(dǎo)體基底；多條柵極線(xiàn)，形成在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線(xiàn)布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及多條金屬線(xiàn)，形成在柵極層上方的導(dǎo)電層中，所述多條金屬線(xiàn)布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，所述多條金屬線(xiàn)包括6n條金屬線(xiàn)，所述多條柵極線(xiàn)包括4n條柵極線(xiàn)。

在一些實(shí)施例中，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的四條柵極線(xiàn)通過(guò)例如sadp形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的四條柵極線(xiàn)在方向上布置成交替地具有柵極節(jié)距和第二柵極節(jié)距。通常，在一些實(shí)施例中，作為另一示例，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的四條柵極線(xiàn)通過(guò)例如自對(duì)準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的四條柵極線(xiàn)在方向上布置成順序地具有柵極節(jié)距、第二柵極節(jié)距、柵極節(jié)距和第三柵極節(jié)距。在一些實(shí)施例中，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)包括十二條金屬線(xiàn)和八條柵極線(xiàn)。此外，在一些實(shí)施例中，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線(xiàn)通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線(xiàn)在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。此外，在一些實(shí)施例中，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的八條柵極線(xiàn)通過(guò)單圖案化形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的八條柵極線(xiàn)在方向上布置成具有相等的柵極節(jié)距。在一些實(shí)施例中，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)包括十二條金屬線(xiàn)和八條柵極線(xiàn)，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線(xiàn)通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線(xiàn)在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。此外，例如。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，期待您的光臨！

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導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過(guò)使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個(gè)導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個(gè)導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個(gè)接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見(jiàn)圖12b)和連接到柵極線(xiàn)pc11、12、13、14、15和16的多個(gè)第二接觸件cb41、42和43(參見(jiàn)圖12a和12c)。多個(gè)導(dǎo)電接觸件ca和cb可以通過(guò)覆蓋有源區(qū)ac和柵極線(xiàn)pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個(gè)導(dǎo)電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過(guò)第二層間絕緣層134的多個(gè)下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠(yuǎn))的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線(xiàn)路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。青海電子物料回收服務(wù)

上海海谷電子有限公司一直專(zhuān)注于上海海谷電子有限公司是一家從事電子元器件回收與銷(xiāo)售的公司。公司擁有專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和雄厚的經(jīng)濟(jì)實(shí)力，可提供全國(guó)各地上門(mén)服務(wù)、免費(fèi)評(píng)估，工廠(chǎng)呆滯的電子元器件庫(kù)存回收。 　　我司長(zhǎng)期回收各類(lèi)呆滯電子元器件庫(kù)存，包括芯片，內(nèi)存，CPU，電容，電阻，二、三極管，電感，晶振，繼電器，開(kāi)關(guān)等。長(zhǎng)期一站式高價(jià)，回收工廠(chǎng)呆滯庫(kù)存。，是一家電子元器件的企業(yè)，擁有自己獨(dú)立的技術(shù)體系。一批專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司以誠(chéng)信為本，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收，我們本著對(duì)客戶(hù)負(fù)責(zé)，對(duì)員工負(fù)責(zé)，更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度，爭(zhēng)取做到讓每位客戶(hù)滿(mǎn)意。公司深耕電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。