可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。Flash存儲(chǔ)器容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。NORflash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分,而NANDflash只是用在8MB～128GB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額大。Flash存儲(chǔ)器可靠性采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),Flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。Flash存儲(chǔ)器耐用性在NAND閃存中每個(gè)塊的極限擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。浙江存儲(chǔ)器全系列

    每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲(chǔ)器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。Flash存儲(chǔ)器壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。Flash存儲(chǔ)器易于使用可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。佛山動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器專賣存儲(chǔ)器芯片，深圳進(jìn)口芯片代理，電子元器件配套服務(wù)。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖），而DRAM則主要用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條等領(lǐng)域。中國(guó)聯(lián)保網(wǎng)記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進(jìn)制數(shù)必須轉(zhuǎn)換成等值的二進(jìn)制數(shù)才能存入存儲(chǔ)器中。計(jì)算機(jī)中處理的各種字符，例如英文字母、運(yùn)算符號(hào)等，也要轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制代碼才能存儲(chǔ)和操作。

之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計(jì)算機(jī)掉電數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機(jī)寫性能較差，寫延遲較大等的缺點(diǎn)，而采用相變存儲(chǔ)器或者基于相變存儲(chǔ)器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問(wèn)題；②相變存儲(chǔ)器的隨機(jī)讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算中小粒度隨機(jī)I/O對(duì)磁盤訪問(wèn)所造成的I/O瓶頸，用相變存儲(chǔ)器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤具有很大的優(yōu)勢(shì)；③閃存和相變存儲(chǔ)器都是新型非易失性存儲(chǔ)器，沒(méi)有機(jī)械裝置并且可隨機(jī)讀寫，但是和相變存儲(chǔ)器相比，閃存的讀寫性能略顯不足，特別是寫入前需要整塊擦除的缺陷，導(dǎo)致閃存只能通過(guò)一系列更加復(fù)雜的技術(shù)化才能替代存儲(chǔ)系統(tǒng)的部分功能。存儲(chǔ)器有哪些分類呢？

ATMEL的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)：作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)元老,ATMEL將把非易失性這個(gè)重要技術(shù)集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中,例如PC,存儲(chǔ)產(chǎn)品,DVD,娛樂(lè)平臺(tái),游戲產(chǎn)品和玩具等。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系外,ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工控、圖像處理和汽車設(shè)備上。ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷的先導(dǎo)者,產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過(guò)這些重要技術(shù)的組合,ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片,以滿足當(dāng)今電子工程師不斷增長(zhǎng)和演進(jìn)的需求。缺芯雖有負(fù)面影響，但也為國(guó)產(chǎn)芯片得發(fā)展提供了更多的機(jī)會(huì)，國(guó)產(chǎn)替換呼聲日高。中山雙端口存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)替代

千百路科技是一家專注存儲(chǔ)器經(jīng)營(yíng)的公司。浙江存儲(chǔ)器全系列

選擇器類型影響這些存儲(chǔ)器的成本,并且可能是生產(chǎn)這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲(chǔ)單元單元面積是目前所有存儲(chǔ)器可以制造的微小單元面積?；诰w管的存儲(chǔ)單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器的存儲(chǔ)單元具有另一個(gè)優(yōu)點(diǎn),也就是它們可以堆疊以進(jìn)一步降低成本。而到目前為止,還沒(méi)有公司試圖堆疊使用晶體管選擇器的存儲(chǔ)單元。雙端選擇器有兩種類型：簡(jiǎn)單二極管和雙向選擇器。在這兩者中,二極管更容易設(shè)計(jì)。相變存儲(chǔ)器稱之為PRAM,已經(jīng)研究了幾十年,Intel聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore早在1970年就發(fā)表了一篇描述早期原型的論文。相變存儲(chǔ)器通過(guò)熱能的轉(zhuǎn)變,讓相變材料在低電阻結(jié)晶(導(dǎo)電)狀態(tài)與高電阻非結(jié)晶(非導(dǎo)電)狀態(tài)間轉(zhuǎn)換。也因?yàn)檫@理由,相變存儲(chǔ)器也被歸類在阻變存儲(chǔ)器(RRAM)分類內(nèi)。鐵電存儲(chǔ)器在1987年左右就已推出,但直到20世紀(jì)90年代中期才開始商業(yè)化。雖然叫做鐵電存儲(chǔ)器,FRAM并非使用鐵電材料。該名稱源于這樣的事實(shí),即位存儲(chǔ)機(jī)制的行為類似于鐵磁存儲(chǔ)的行為,也就是滯后,滯后是磁記錄的基礎(chǔ)。FRAM的電壓-電流關(guān)系具有可用于存儲(chǔ)位的特征滯后回路。正電流將在移位時(shí)使位單元處于具有正偏置的狀態(tài)。浙江存儲(chǔ)器全系列