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大連可擦可編程只讀存儲(chǔ)器全系列

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-01-19

AT24C02是Ateml公司的2KB的電可擦除存儲(chǔ)芯片,采用兩線。是一個(gè)在突然掉電的情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片,即掉電存儲(chǔ)。1.數(shù)據(jù)線上的看門狗定時(shí)器。2.可編程復(fù)位門欄電平。3.高數(shù)據(jù)傳送速率為400KHz和IIC總線兼容。4.2.7V至7V的工作電壓。5.低功耗CMOS工藝。6.8字節(jié)頁(yè)寫緩沖區(qū)。7.片內(nèi)防誤擦除寫保護(hù)。8.高低電平復(fù)位信號(hào)輸出。9.100萬(wàn)次擦寫周期。10.數(shù)據(jù)保存可達(dá)100年。11.商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)和汽車溫度范圍。AT24C02的存儲(chǔ)容量為2Kbit,內(nèi)容分成32頁(yè),每頁(yè)8Byte,共256Byte,操作時(shí)有兩種尋址方式:芯片尋址和片內(nèi)子地址尋址。(1)芯片尋址:AT24C02的芯片地址為1010,其地址控制字格式為1010A2A1A0R/W。其中A2,A1,A0可編程地址選擇位。A2,A1,A0引腳接高、低電平后得到確定的三位編碼,與1010形成7位編碼,即為該器件的地址碼。R/W為芯片讀寫控制位,該位為0,表示芯片進(jìn)行寫操作。(2)片內(nèi)子地址尋址:芯片尋址可對(duì)內(nèi)部256B中的任一個(gè)進(jìn)行讀/寫操作,其尋址范圍為00~FF,共256個(gè)尋址單位。存儲(chǔ)器芯片IC哪家好?選擇千百路科技,服務(wù)好,價(jià)格實(shí)惠,現(xiàn)貨庫(kù)存。大連可擦可編程只讀存儲(chǔ)器全系列

SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,缺點(diǎn)是集成度較低,功耗較DRAM大,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴?;咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納:◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。◎缺點(diǎn),集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率?!騍RAM使用的系統(tǒng):○CPU與主存之間的高速緩存?!餋PU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存?!餋PU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存?!餋MOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。深圳動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器現(xiàn)貨庫(kù)存存儲(chǔ)器原廠供貨-批零價(jià)格優(yōu)勢(shì)、質(zhì)量保障。

存儲(chǔ)器的分類:按存儲(chǔ)介質(zhì)分1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器:用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。2、磁表面存儲(chǔ)器:用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。折疊按存儲(chǔ)方式分1、隨機(jī)存儲(chǔ)器:任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無(wú)關(guān)。2、順序存儲(chǔ)器:只能按某種順序來(lái)存取,存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。折疊按存儲(chǔ)器的讀寫功能分1、只讀存儲(chǔ)器(ROM):存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。2、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM):既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

ATMEL的質(zhì)量體系三:分布世界的專業(yè)設(shè)計(jì)能力和IPATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心,分別專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。為了開(kāi)發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程,在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了許多錯(cuò)誤。為了支持這些高附加值的產(chǎn)品,ATMEL建立了一個(gè)豐富的IP庫(kù)。庫(kù)里包括先進(jìn)的RISC微控制器和外設(shè),DSP核,嵌入式存儲(chǔ)器,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口,高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器,RF電路和電源管理宏單元。ASIC、ASSP和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品之間的IP重用可以減少開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本,并提高硅片一次成功的可能性。選擇存儲(chǔ)器就選千百路科技,提供原裝進(jìn)口品牌存儲(chǔ)器芯片。

SRAM的主要用途---主要用于二級(jí)高速緩存(Level2Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴,一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存(cache).SRAM也有許多種,如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,異步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突發(fā)SRAM),還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分:存儲(chǔ)單元陣列(corecellsarray),行/列地址譯碼器(decode),靈敏放大器(SenseAmplifier),控制電路(controlcircuit),緩沖/驅(qū)動(dòng)電路(FFIO)。SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式,以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元,SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由于存儲(chǔ)單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。專業(yè)存儲(chǔ)器代理經(jīng)銷,提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器芯片IC-千百路工業(yè)科技。肇慶掩膜只讀存儲(chǔ)器分類

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MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。特點(diǎn):1.非易失性、能耗低:非易失性指的是在關(guān)閉電源的情況下,數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對(duì)而言,傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)(易失性)。另外,相比于同樣是非易失性的eFlash,eMRAM能耗要小的多,其所需工作電壓與邏輯電壓一致(1.1V),而不像eFlash那樣需要高電壓(8-12V),且其寫入過(guò)程不需要先進(jìn)行擦寫操作。2.速度快、耐久力強(qiáng):相較eFlash微秒級(jí)的擦寫速度,eMRAM可達(dá)到納秒量級(jí),接近eSRAM。耐久力強(qiáng),指的是eMRAM可反復(fù)擦寫的次數(shù)幾乎接近于無(wú)限次,高于eFlash。大連可擦可編程只讀存儲(chǔ)器全系列

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