存儲器的分類：按存儲介質(zhì)分1、半導(dǎo)體存儲器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲器。2、磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。折疊按存儲方式分1、隨機(jī)存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關(guān)。2、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關(guān)。折疊按存儲器的讀寫功能分1、只讀存儲器(ROM)：存儲的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲器。2、隨機(jī)讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲器。芯片存儲器IC現(xiàn)貨在線咨詢-存儲器芯片供應(yīng)商代理商。中山隨機(jī)存儲器作用

sram-靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。特點(diǎn)一、隨機(jī)存取所謂"隨機(jī)存取"，指的是當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(SequentialAccess)存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系(如磁帶)。特點(diǎn)二、易失性。當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比，兩者的比較大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會。溫州隨機(jī)存儲器電話咨詢深圳存儲器芯片現(xiàn)貨，深圳千百路工業(yè)科技有限公司提供一站式服務(wù)，存儲器IC系列全型號選型。

動態(tài)隨機(jī)存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DRAM則主要用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條等領(lǐng)域。

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等?；镜腟RAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（corecellsarray），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(SenseAmplifier），控制電路（controlcircuit），緩沖/驅(qū)動電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。[2]存儲器芯片IC系列，深圳千百路工業(yè)科技有限公司專業(yè)提供全系列進(jìn)口存儲器。

MOSFET（用于CMOS）—低功耗，現(xiàn)在應(yīng)用廣。根據(jù)功能分類---異步—單獨(dú)的時鐘頻率，讀寫受控于地址線與控制使能信號。同步—所有工作是時鐘脈沖邊沿開始，地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時鐘脈沖配合。根據(jù)特性分類---零總線翻轉(zhuǎn)（Zerobusturnaround，ZBT）—SRAM總線從寫到讀以及從讀到寫所需要的時鐘周期是0同步突發(fā)SRAM（synchronous-burstSRAM，syncBurstSRAM）—DDRSRAM—同步、單口讀/寫，雙數(shù)據(jù)率I/OQDRSRAM（QuadDataRate(QDR)SRAM）—同步，分開的讀/寫口，同時讀寫4個字（word）。根據(jù)觸發(fā)類型---二進(jìn)制SRAM三進(jìn)制計(jì)算機(jī)SRAM全新全型號存儲芯片品質(zhì)服務(wù)，服務(wù)生產(chǎn)廠家和經(jīng)銷商?；㈤T靜態(tài)只讀存儲器哪家便宜

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動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大[1]，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。中山隨機(jī)存儲器作用

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