近年來，非易失性存儲技術在許多方面都取得了一些重大的進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，研究者們建議采用新型NVM技術來替代傳統(tǒng)的存儲技術，以適應計算機技術發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為主的多種新型NVM技術因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的關注。特別地，PCRAM因其具備非易失性、可字節(jié)尋址等特性而同時具備作為主存和外存的潛力，在其影響下，主存和外存之間的界限也正在逐漸變得模糊，甚至有可能對未來的存儲體系結(jié)構(gòu)帶來重大的變革。因此，它被認為是極具發(fā)展前景、比較有可能完全替代DRAM的新型NVM技術之一。深圳進口芯片，深圳原裝IC，原廠現(xiàn)貨經(jīng)銷。重慶存儲器現(xiàn)貨庫存

SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存取存儲器)主要用于：通用性的商品。asynchronous界面，比如28針32Kx8的chip(一般取名為XXC256)，及其相近的商品數(shù)比較多16Mbit一片;synchronous界面，一般用作高速緩存(cache)及其它規(guī)定突發(fā)傳送的應用，比較多18Mbit(256Kx72)一片。集成于芯片之內(nèi)。作為微處理器的RAM或是cache(一般從32bytes到128kilobytes);作為強勁的微控制器的主caches，如x86系列與很多其它CPU(從8kiB到上百萬字節(jié)數(shù)的數(shù)量級)。作為寄存器使用。用于特殊的ICs或ASIC(一般在幾千字節(jié)數(shù)量級);用于FPGA與CPLD。

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eMRAM可以作為工作內(nèi)存和企業(yè)級存儲的高速緩存等使用，輔以其具備的非易失性優(yōu)勢，使得采用eMRAM作為存儲解決方案的電子設備在具備高速運算能力的同時，實現(xiàn)低功耗。集成密度高、隨工藝節(jié)點等比微縮：集成密度高，指的是單位面積內(nèi)存儲容量大，高于eSRAM，因此成本低。隨工藝節(jié)點等比微縮，指的是隨著技術工藝的持續(xù)微小化，eMRAM的存儲單元尺寸可相應等比例縮?。晌⒖s到7納米及以下），而eFlash因受到自身物理機理的限制，在28納米以下工藝節(jié)點便無法繼續(xù)微縮。eMRAM可持續(xù)發(fā)展性（技術壽命周期長），是工業(yè)界在考量該項新興技術時關注的一點；天然抗輻射：同傳統(tǒng)的存儲技術相比，eMRAM的存儲器件MTJ具有天然抗輻射能力。因而使其在航空、航天領域的應用中占有重要地位。磁性存儲器是獲得美國國家航空航天局（NASA）宇航應用認證的新型非易失性存儲器。

存儲器的基本概念元素----存儲器：存放程序和數(shù)據(jù)的器件。存儲位：存放一個二進制數(shù)位的存儲單元，是存儲器比較小的存儲單位，或稱記憶單元。存儲字：一個數(shù)（n位二進制位）作為一個整體存入或取出時，稱存儲字。存儲單元：存放一個存儲字的若干個記憶單元組成一個存儲單元。存儲體：大量存儲單元的組成存儲體。存儲單元地址：存儲單元的編號。字編址：對存儲單元按字編址。字節(jié)編址：對存儲單元按字節(jié)編址。尋址：由地址尋找數(shù)據(jù)，從對應地址的存儲單元中訪存數(shù)據(jù)。進口芯片廠家，原廠存儲器芯片現(xiàn)貨，深圳代理經(jīng)銷商提供一站式服務。

目前，國內(nèi)外企業(yè)、研究機構(gòu)等對于相變存儲器的研發(fā)正加速推進，其商業(yè)化的布局已經(jīng)展開。近年來，我國在相變存儲器領域的研究穩(wěn)步進行，結(jié)合芯片制造與集成工藝的設計，形成自身的研究特色。存儲器新技術的快速發(fā)展將給我們帶來彎道超車的機會，未來相變存儲技術的突破將加速我國芯片產(chǎn)業(yè)自主化進程。PCM器件的典型結(jié)構(gòu)由頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST[、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。相變存儲器主要可以用來替代計算機主存、硬盤和閃存：①相變存儲器訪問相應時間短，并且具有字節(jié)可尋址特性，其寫延遲約為DRAM的10倍，使他在設計參考中固件代碼的直接執(zhí)行上顯現(xiàn)出優(yōu)勢，并研究用來作為DRAM的替代品，傳統(tǒng)使用的DRAM的方法是在計算機斷電后主存的數(shù)據(jù)全部丟失，計算機重啟需要重新從外存讀取操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)，消耗較多時間。專業(yè)存儲芯片，需要存儲器芯片IC選千百路科技，提供樣品，技術服務。江蘇只讀存儲器分類

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SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存取存儲器)主要用于：嵌入式使用。工業(yè)生產(chǎn)與科學研究用的很多字系統(tǒng)，汽車電子產(chǎn)品等都采用了SRAM存儲器。電動玩具，數(shù)碼相機、智能手機、音響合成器等通常用了幾兆字節(jié)的SRAM。實時信號處理電源電路通常使用雙口(dual-ported)的SRAM。用于電子計算機。SRAM用于PC、服務中心、無線路由器及外部設備：內(nèi)部的CPU高速緩存，外界的突發(fā)模式使用的SRAM緩存，電腦硬盤緩沖區(qū)，無線路由器緩沖區(qū)等。LCD顯示器或是打印機也一般用SRAM來緩存文件數(shù)據(jù)。SRAM做的小型緩沖區(qū)也常常用于CDROM與CDRW的驅(qū)動器中，一般為256KiB或是更多，用來緩存音軌數(shù)據(jù)。電纜線調(diào)制調(diào)解器及相近的連接于電子計算機的機器設備也使用了SRAM。 重慶存儲器現(xiàn)貨庫存

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