微流體芯片制造的core工具！Polos光刻機(jī)可加工80 μm直徑的開(kāi)環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開(kāi)發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe的2PP工藝），用戶可擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機(jī)器人及光學(xué)超材料提供多維度解決方案37。其與Lab14集團(tuán)的協(xié)同合作，進(jìn)一步推動(dòng)工業(yè)級(jí)光學(xué)封裝技術(shù)創(chuàng)新3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。亞微米級(jí)精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。德國(guó)BEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本，無(wú)需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描，單次寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。北京德國(guó)POLOS桌面無(wú)掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化跨學(xué)科應(yīng)用：覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°，滾動(dòng)角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn)，液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

德國(guó)Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴，支持用戶通過(guò)軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開(kāi)發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。高頻元件驗(yàn)證：成功開(kāi)發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。

在tumor轉(zhuǎn)移機(jī)制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機(jī)構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過(guò)無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu)，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實(shí)驗(yàn)顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細(xì)胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率和細(xì)胞外基質(zhì)密度，成功復(fù)現(xiàn)了tumor細(xì)胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化（EMT）過(guò)程，相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺(tái)開(kāi)發(fā)。德國(guó)技術(shù)基因：融合精密光學(xué)與自動(dòng)化控制，確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長(zhǎng)壽命。河南德國(guó)BEAM光刻機(jī)

德國(guó)工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護(hù)成本低，設(shè)備殘值率達(dá) 60%。德國(guó)BEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

在微流體研究領(lǐng)域，德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)脫穎而出。其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，打破傳統(tǒng)光刻的局限，無(wú)需掩模就能實(shí)現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡(luò)時(shí)，可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自由設(shè)計(jì)，快速完成從圖紙到實(shí)體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例，利用 Polos 光刻機(jī)，能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的微通道，模擬人體環(huán)境，讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動(dòng)，much提升藥物傳輸效率研究的準(zhǔn)確性。同時(shí)，在細(xì)胞培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)中，該光刻機(jī)制作的微流體芯片，為細(xì)胞提供穩(wěn)定且適宜的生長(zhǎng)環(huán)境，助力細(xì)胞生物學(xué)研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機(jī)，正推動(dòng)微流體研究不斷向前。德國(guó)BEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米