在tumor轉(zhuǎn)移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過無掩模激光光刻技術(shù)，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu)，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團隊通過軟件實時調(diào)整通道曲率和細胞外基質(zhì)密度，成功復現(xiàn)了tumor細胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化（EMT）過程，相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺開發(fā)。微流體3D成型：復雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。河南德國桌面無掩模光刻機光源波長405微米

在微流體領(lǐng)域，Polos系列光刻機通過無掩模技術(shù)實現(xiàn)了復雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，推動醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。四川德國PSP-POLOS光刻機光源波長405微米多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。科研成果轉(zhuǎn)化：中科院利用同類技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。

某生物力學實驗室通過 Polos 光刻機，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件，傳感器的力分辨率達 5pN，位移檢測精度達 1nm。在心肌細胞收縮力檢測中，該集成傳感器實現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關(guān)性達 0.92，為心臟電機械耦合機制研究提供了全新工具，相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導體器件研發(fā)。上海POLOSBEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

實時觀測系統(tǒng)：120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡，實現(xiàn)加工過程動態(tài)監(jiān)控。河南德國桌面無掩模光刻機光源波長405微米

低成本桌面化光刻：SPS POLOS μ的科研普惠！Polos系列在微流體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)復雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤行為，為組織工程提供新策略3。Polos的高精度與靈活性支持仿生結(jié)構(gòu)批量生產(chǎn)，推動醫(yī)療診斷芯片研發(fā)，如tumor篩查與藥物遞送系統(tǒng)的微型化64。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。河南德國桌面無掩模光刻機光源波長405微米