超表面通過(guò)納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場(chǎng)，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)在石英基底上實(shí)現(xiàn)了亞波長(zhǎng)量級(jí)的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室利用該設(shè)備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長(zhǎng)范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實(shí)時(shí)優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時(shí)，推動(dòng)超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。北京桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度，幫助科研團(tuán)隊(duì)在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場(chǎng)中可實(shí)現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達(dá) 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人，在單細(xì)胞膜片鉗實(shí)驗(yàn)中成功率從 40% 提升至 75%，為細(xì)胞級(jí)precise操作提供了關(guān)鍵工具。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。遼寧德國(guó)BEAM光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模亞微米級(jí)精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于阻變存儲(chǔ)器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實(shí)現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計(jì)算能效比達(dá) 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)?；谠摷夹g(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識(shí)別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無(wú)人機(jī)避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬(wàn)片。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢(shì)！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì)，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺(tái)重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級(jí)需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)，內(nèi)置高性能筆記本實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。

一家專注于再生醫(yī)學(xué)的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國(guó) Polos 光刻機(jī)取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進(jìn)細(xì)胞的生長(zhǎng)和組織的修復(fù)。Polos 光刻機(jī)能夠根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復(fù)雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過(guò)該光刻機(jī)制造的支架，在動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出優(yōu)異的細(xì)胞黏附和組織生長(zhǎng)引導(dǎo)能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機(jī)生產(chǎn)的支架，細(xì)胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學(xué)的臨床應(yīng)用提供了有力支持。Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求。北京桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

全球產(chǎn)業(yè)鏈整合：德國(guó)精密制造背書，與Lab14集團(tuán)共推光通信芯片封裝技術(shù)。北京桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過(guò)光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。北京桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米