先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長(zhǎng)給故障定位和分析帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無(wú)需光屏蔽箱。鎖相熱成像系統(tǒng)優(yōu)化電激勵(lì)檢測(cè)的圖像處理。長(zhǎng)波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)哪家好

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)用途，為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，材料中存在的摻雜不均、位錯(cuò)、微裂紋等缺陷，會(huì)導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料施加電激勵(lì)，使材料內(nèi)部產(chǎn)生電流，缺陷處由于導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能的異常，會(huì)產(chǎn)生局部的溫度差異。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠敏銳地檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布特征，評(píng)估材料的質(zhì)量狀況。例如，在檢測(cè)硅晶圓時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)晶圓表面的摻雜不均區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)影響后續(xù)芯片制造的光刻和刻蝕工藝；在檢測(cè)碳化硅材料時(shí)，能夠識(shí)別出材料內(nèi)部的微裂紋，這些裂紋會(huì)導(dǎo)致器件在高壓工作時(shí)發(fā)生擊穿。檢測(cè)結(jié)果為半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)提供了詳細(xì)的質(zhì)量反饋，幫助企業(yè)優(yōu)化材料生長(zhǎng)工藝，提升電子產(chǎn)業(yè)上游材料的品質(zhì)。低溫?zé)徭i相紅外熱成像系統(tǒng)廠家高靈敏度鎖相熱成像技術(shù)能夠檢測(cè)到極微小的熱信號(hào)，可檢測(cè)低至uA級(jí)漏電流或微短路缺陷。

在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測(cè)帶來(lái)了前所未有的高效解決方案。電激勵(lì)的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當(dāng)元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時(shí)，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特性會(huì)與正常區(qū)域產(chǎn)生明顯差異，進(jìn)而導(dǎo)致溫度分布出現(xiàn)異常。鎖相熱成像系統(tǒng)憑借其高靈敏度的紅外探測(cè)能力和先進(jìn)的鎖相處理技術(shù)，能夠捕捉這些細(xì)微的溫度變化，即使是微米級(jí)的缺陷也能被清晰識(shí)別。與傳統(tǒng)的探針檢測(cè)或破壞性檢測(cè)方法相比，這種非接觸式的檢測(cè)方式無(wú)需拆解元件，從根本上避免了對(duì)元件的損傷，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)大批量元件的快速檢測(cè)。例如，在手機(jī)芯片的批量質(zhì)檢中，該系統(tǒng)可在幾分鐘內(nèi)完成數(shù)百片芯片的檢測(cè)，提升了電子產(chǎn)業(yè)質(zhì)檢環(huán)節(jié)的效率和產(chǎn)品的可靠性。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測(cè)器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號(hào)捕捉。InSb材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實(shí)現(xiàn)高達(dá)nW級(jí)的熱靈敏度和優(yōu)于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測(cè)器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應(yīng)用，提升了空間分辨率（可達(dá)微米量級(jí)）與溫度響應(yīng)線性度，使其能夠?qū)Π雽?dǎo)體器件、微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點(diǎn)遷移和瞬態(tài)熱行為進(jìn)行精細(xì)刻畫。配合致晟光電自主開發(fā)的高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺(tái)，InSb探測(cè)器可在多物理場(chǎng)耦合背景下實(shí)現(xiàn)高時(shí)空分辨的熱場(chǎng)成像，是先進(jìn)電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評(píng)價(jià)中的關(guān)鍵。非接觸式檢測(cè)在不破壞樣品的情況下實(shí)現(xiàn)成像，適用于各種封裝狀態(tài)的樣品，包括未開封的芯片和PCBA。

在電子領(lǐng)域，所有器件都會(huì)在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類型的缺陷會(huì)增加功耗，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來(lái)測(cè)量可見光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)。該相機(jī)對(duì)波長(zhǎng)在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長(zhǎng)與熱量相對(duì)應(yīng)，因此相機(jī)獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測(cè)器件的熱分布圖。通常，會(huì)先對(duì)斷電狀態(tài)下的樣品器件進(jìn)行熱成像，以此建立基準(zhǔn)線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時(shí)會(huì)因消耗額外電流而產(chǎn)生過(guò)多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護(hù)二極管等，通過(guò)熱紅外顯微鏡觀察時(shí)會(huì)顯現(xiàn)出來(lái)，從而使我們能夠精細(xì)定位存在缺陷的損壞部位。鎖相熱成像系統(tǒng)提升電激勵(lì)檢測(cè)的抗干擾能力。非制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)售價(jià)

鎖相熱成像系統(tǒng)的同步控制模塊需與電激勵(lì)源保持高度協(xié)同，極小的同步誤差都可能導(dǎo)致檢測(cè)圖像出現(xiàn)相位偏移。長(zhǎng)波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)哪家好

電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的電子漿料檢測(cè)中有用武之地，為電子漿料的質(zhì)量控制提供了重要手段，確保印刷線路的性能。電子漿料是用于印刷電子線路、電極等的關(guān)鍵材料，其導(dǎo)電性、均勻性和附著力直接影響印刷線路的性能和可靠性。電子漿料若存在顆粒團(tuán)聚、成分不均、氣泡等缺陷，會(huì)導(dǎo)致印刷線路的電阻增大、導(dǎo)電性能下降，甚至出現(xiàn)線路斷路。通過(guò)對(duì)印刷有電子漿料的基板施加電激勵(lì)，電流會(huì)沿著漿料線路流動(dòng)，缺陷處由于電阻異常，會(huì)產(chǎn)生局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布，評(píng)估電子漿料的質(zhì)量。例如，在檢測(cè)太陽(yáng)能電池板的銀漿電極時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因銀漿成分不均導(dǎo)致的電阻異常區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)影響電池板的發(fā)電效率。檢測(cè)結(jié)果為電子漿料生產(chǎn)企業(yè)提供了質(zhì)量反饋，幫助企業(yè)優(yōu)化漿料配方和生產(chǎn)工藝，提升電子產(chǎn)業(yè)相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)質(zhì)量。長(zhǎng)波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)哪家好