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國產(chǎn)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測試

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-05

與傳統(tǒng)的熱成像技術(shù)相比,鎖相熱成像系統(tǒng)擁有諸多不可替代的優(yōu)勢。傳統(tǒng)熱成像技術(shù)往往只能檢測到物體表面的溫度分布,對于物體內(nèi)部不同深度的缺陷難以有效區(qū)分,而鎖相熱成像系統(tǒng)通過對相位信息的分析,能夠區(qū)分不同深度的缺陷,實(shí)現(xiàn)了分層檢測的突破,完美解決了傳統(tǒng)技術(shù)在判斷缺陷深度上的難題。不僅如此,它的抗干擾能力也極為出色,在強(qiáng)光照射、強(qiáng)烈電磁干擾等復(fù)雜且惡劣的環(huán)境下,依然能夠保持穩(wěn)定的工作狀態(tài),為工業(yè)質(zhì)檢工作提供了堅(jiān)實(shí)可靠的技術(shù)保障,確保了檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性,這在對檢測精度要求極高的工業(yè)生產(chǎn)中尤為重要。電激勵(lì)為鎖相熱成像系統(tǒng)提供穩(wěn)定熱信號(hào)源。國產(chǎn)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測試

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致晟光電在推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院,專注開發(fā)基于微弱光電信號(hào)分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題,不斷優(yōu)化實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)(RTTLIT),使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達(dá)0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數(shù)優(yōu)于進(jìn)口設(shè)備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系,搭建起學(xué)業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺(tái)。為學(xué)生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)踐、項(xiàng)目管理全鏈條的育人平臺(tái),輸送了大量實(shí)踐能力強(qiáng)的專業(yè)人才,為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力,實(shí)現(xiàn)了高??蒲匈Y源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)勢互補(bǔ)。實(shí)時(shí)鎖相鎖相紅外熱成像系統(tǒng)設(shè)備制造快速定位相比其他檢測技術(shù),鎖相熱成像技術(shù)能夠在短時(shí)間內(nèi)快速定位熱點(diǎn),縮短失效分析時(shí)間。

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在實(shí)際應(yīng)用中,這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié),它能通過熱分布成像識(shí)別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電;在芯片封裝階段,可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過熱;針對 IGBT 等功率器件,能捕捉高頻開關(guān)下的瞬態(tài)熱行為,提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測一批失效芯片時(shí),傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域,而使用致晟光電的一體化設(shè)備后,通過鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個(gè) 2μm 的微小熱點(diǎn),終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時(shí)發(fā)現(xiàn),可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長期使用中突然失效。

電激勵(lì)的參數(shù)設(shè)置對鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的檢測效果有著決定性的影響,需要根據(jù)不同的檢測對象進(jìn)行精細(xì)調(diào)控。電流大小的選擇尤為關(guān)鍵,必須嚴(yán)格適配電子元件的額定耐流值。如果電流過小,產(chǎn)生的熱量不足以激發(fā)明顯的溫度響應(yīng),系統(tǒng)將難以捕捉到缺陷信號(hào);

而電流過大則可能導(dǎo)致元件過熱損壞,造成不必要的損失。頻率的選擇同樣不容忽視,高頻電激勵(lì)產(chǎn)生的熱量主要集中在元件表面,適合檢測表層的焊接缺陷、線路斷路等問題;低頻電激勵(lì)則能使熱量滲透到元件內(nèi)部,可有效探測深層的結(jié)構(gòu)缺陷,如芯片內(nèi)部的晶格缺陷。在檢測復(fù)雜的集成電路時(shí),技術(shù)人員往往需要通過多次試驗(yàn),確定比較好的電流和頻率參數(shù)組合,以確保系統(tǒng)能夠清晰區(qū)分正常區(qū)域和缺陷區(qū)域的溫度信號(hào),從而保障檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性。例如,在檢測高精度的傳感器芯片時(shí),通常會(huì)采用低電流、多頻率的電激勵(lì)方式,以避免對芯片的敏感元件造成干擾。 鎖相熱成像系統(tǒng)借電激勵(lì),捕捉細(xì)微溫度變化辨故障。

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致晟光電推出的多功能顯微系統(tǒng),創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)熱紅外與微光顯微鏡的集成設(shè)計(jì),搭配靈活可選的制冷/非制冷模式,可根據(jù)您的實(shí)際需求定制專屬配置方案。這套設(shè)備的優(yōu)勢在于一體化集成能力:只需一套系統(tǒng),即可同時(shí)搭載可見光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設(shè)計(jì)省去了多設(shè)備切換的繁瑣,更通過硬件協(xié)同優(yōu)化提升了整體性能,讓您在同一平臺(tái)上輕松完成多波段觀測任務(wù)。相比單獨(dú)購置多套設(shè)備,該集成系統(tǒng)能大幅降低采購與維護(hù)成本,在保證檢測精度的同時(shí),為實(shí)驗(yàn)室節(jié)省空間與預(yù)算,真正實(shí)現(xiàn)性能與性價(jià)比的雙重提升。非接觸式檢測在不破壞樣品的情況下實(shí)現(xiàn)成像,適用于各種封裝狀態(tài)的樣品,包括未開封的芯片和PCBA。無損檢測鎖相紅外熱成像系統(tǒng)牌子

電激勵(lì)的波形選擇(正弦波、方波等)會(huì)影響熱信號(hào)的特征,鎖相熱成像系統(tǒng)需針對不同波形優(yōu)化處理算法。國產(chǎn)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測試

從技術(shù)原理來看,該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號(hào)捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測器(如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測器)能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射,配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊,可同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱信號(hào)與光子發(fā)射的同步觀測。在檢測過程中,設(shè)備先通過熱紅外顯微鏡快速鎖定可疑區(qū)域,再啟動(dòng) RTTLIT 系統(tǒng)的鎖相功能:施加周期性電信號(hào)激勵(lì)后,缺陷會(huì)產(chǎn)生與激勵(lì)頻率同步的微弱熱響應(yīng),鎖相模塊過濾掉環(huán)境噪聲,將原本被掩蓋的熱信號(hào)放大并成像。這種 “先定位、再聚焦” 的模式,既保證了檢測效率,又突破了傳統(tǒng)設(shè)備對微弱信號(hào)的檢測極限。國產(chǎn)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)測試