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半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

來源: 發(fā)布時間:2025-07-23

考慮到部分客戶的特殊應用場景,我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務。無論是設備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化,還是外觀結構適配,我們都能根據(jù)您的具體需求進行專屬設計與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團隊和成熟的生產(chǎn)體系,定制項目通常在 2-3 個月內(nèi)即可完成交付,在保證定制靈活性的同時,充分兼顧了交付效率,讓您的特殊需求得到及時且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務,期待與您攜手共進,共創(chuàng)佳績。晶體管和二極管短路或漏電時,微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置,利于排查電路故障。半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比,微光顯微鏡

半導體材料分為直接帶隙半導體和間接帶隙半導體,而Si是典型的直接帶隙半導體,其禁帶寬度為1.12eV。所以當電子與空穴復合時,電子會彈射出一個光子,該光子的能量為1.12eV,根據(jù)波粒二象性原理,該光子的波長為1100nm,屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當載流子進行復合的時候就會產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點的原因之一:載流子復合。所以正偏二極管的PN結處能看到亮點。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象,(體寄生三極管導通)也會觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點。半導體微光顯微鏡設備與原子力顯微鏡聯(lián)用時,微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發(fā)光信息,便于關聯(lián)材料的結構與電氣缺陷。

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EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備,其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域,對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中,微小漏電現(xiàn)象較為常見,且在特定條件下,這些微弱的漏電可能會被放大,導致芯片乃至整個控制系統(tǒng)的失效。因此,芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關重要的地位。此外,考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間,工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此,準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關重要。

這一技術不僅有助于快速定位漏電根源(如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等),更能在芯片量產(chǎn)階段實現(xiàn)潛在漏電問題的早期篩查,為采取針對性修復措施(如優(yōu)化工藝參數(shù)、改進封裝設計)提供依據(jù),從而提升芯片的長期可靠性。例如,某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中,發(fā)現(xiàn)部分芯片的邊角區(qū)域存在持續(xù)穩(wěn)定的微弱光信號。結合芯片的版圖設計與工藝參數(shù)分析,確認該區(qū)域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導致漏電。技術團隊據(jù)此對這批次芯片進行篩選,剔除了存在漏電隱患的產(chǎn)品,有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發(fā)的設備功耗異常、發(fā)熱甚至燒毀等風險。漏電結和接觸毛刺會產(chǎn)生亮點,這些亮點產(chǎn)生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。

半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比,微光顯微鏡

芯片制造工藝復雜精密,從設計到量產(chǎn)的每一個環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷,而失效分析作為測試流程的重要一環(huán),是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術,能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號,定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力,能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環(huán)節(jié)的邏輯漏洞,還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差,都能被及時發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進設計方案,從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下,良率的提升直接轉化為生產(chǎn)成本的降低,讓企業(yè)在價格競爭中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡可搭配偏振光附件,分析樣品的偏振特性,為判斷晶體缺陷方向提供獨特依據(jù),豐富檢測維度。高分辨率微光顯微鏡運動

我司微光顯微鏡可檢測 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金屬線路缺陷和短路點,為質量控制與維修提供高效準確方法。半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

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性價比優(yōu)勢直擊痛點:相比進口設備,采購成本降低 30% 以上,且本土化售后團隊實現(xiàn) 24 小時響應、48 小時現(xiàn)場維護,備件供應周期縮短至 1 周內(nèi),徹底擺脫進口設備 “維護慢、成本高” 的困境。用國產(chǎn)微光顯微鏡,為芯片質量把關,讓失效分析更高效、更經(jīng)濟、更可控! 半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比