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早在80年代，極紫外光刻技術就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14 nm的極端遠紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成，即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和能用于極紫外的光刻涂層。其主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經(jīng)過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統(tǒng)，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，...

EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經(jīng)應用基礎研究至量產(chǎn)四個階段，其突破得益于多元主體協(xié)同創(chuàng)新和全產(chǎn)業(yè)鏈資源整合 [3]。截至2024年12月，EUV技術已應用于2nm芯片量產(chǎn)，但仍需優(yōu)化光源和光刻膠性能。下一代技術如納米壓印和定向自組裝正在研發(fā)中 [6]。**光刻系統(tǒng)主要由荷蘭ASML、日本Nikon和Canon壟斷。國內上海微電子裝備股份有限公司研制的紫外光刻機占據(jù)中端市場 [7]?？蒲蓄I域***使用德國SUSS紫外光刻機（占比45%），國產(chǎn)設備在激光直寫設備中表現(xiàn)較好 [8]。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其最大分辨率為2～4μm。淮安購買光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)后烘方法：熱板，1...

EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經(jīng)應用基礎研究至量產(chǎn)四個階段，其突破得益于多元主體協(xié)同創(chuàng)新和全產(chǎn)業(yè)鏈資源整合 [3]。截至2024年12月，EUV技術已應用于2nm芯片量產(chǎn)，但仍需優(yōu)化光源和光刻膠性能。下一代技術如納米壓印和定向自組裝正在研發(fā)中 [6]。**光刻系統(tǒng)主要由荷蘭ASML、日本Nikon和Canon壟斷。國內上海微電子裝備股份有限公司研制的紫外光刻機占據(jù)中端市場 [7]?？蒲蓄I域***使用德國SUSS紫外光刻機（占比45%），國產(chǎn)設備在激光直寫設備中表現(xiàn)較好 [8]。光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；吳江區(qū)比較好的光刻系統(tǒng)推薦貨源光刻膠（Ph...

光刻系統(tǒng)是一種用于半導體器件制造的精密科學儀器，是制備高性能光電子和微電子器件不可或缺的**工藝設備 [1] [6-7]。其技術發(fā)展歷經(jīng)紫外（UV）、深紫外（DUV）到極紫外（EUV）階段，推動集成電路制程不斷進步 [3] [6]。當前**的EUV光刻系統(tǒng)已實現(xiàn)2nm制程芯片量產(chǎn)（截至2024年12月） [6]，廣泛應用于微納器件加工、芯片制造等領域 [2] [5]。全球**光刻系統(tǒng)主要由ASML、Nikon等企業(yè)主導，國內廠商如上海微電子在中端設備領域取得突破 [7]。光刻系統(tǒng)按光源類型分為紫外（UV）、深紫外（DUV）、極紫外（EUV）、電子束及無掩模激光直寫等類別 [2] [5-7]。工...

光致抗蝕劑，簡稱光刻膠或抗蝕劑，指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑：受光照部分發(fā)生降解反應而能為顯影液所溶解。留下的非曝光部分的圖形與掩模版一致。正性抗蝕劑具有分辨率高、對駐波效應不敏感、曝光容限大、***密度低和無毒性等優(yōu)點，適合于高集成度器件的生產(chǎn)。②負性光致抗蝕劑：受光照部分產(chǎn)生交鏈反應而成為不溶物，非曝光部分被顯影液溶解，獲得的圖形與掩模版圖形互補。負性抗蝕劑的附著力強、靈敏度高、顯影條件要求不嚴，適于低集成度的器件的生產(chǎn)。光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；高新區(qū)常見光刻系統(tǒng)選擇英特爾高級研究員兼技...

光刻系統(tǒng)SUSS是一種應用于半導體制造領域的工藝試驗儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實現(xiàn)0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統(tǒng)通過精密光學曝光技術完成微電子器件的圖形轉移，為集成電路研發(fā)和生產(chǎn)提供關鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]圖形分辨率：系統(tǒng)的光學成像系統(tǒng)可實現(xiàn)0.5μm的分辨率 [1]線寬控制：在標準工藝條件下能夠穩(wěn)定實現(xiàn)1μm的**小線寬加工 [1]該系統(tǒng)采用接觸式/接近式曝光原理，通過紫外光源實現(xiàn)掩模圖形向基片光刻膠的精確轉移。其精密對準機構可保證多次曝光時的套刻精度，適用于半導體器件研發(fā)階段的工藝驗證和小批量試...

電子束光刻基本上分兩大類，一類是大生產(chǎn)光掩模版制造的電子束曝光系統(tǒng)，另一類是直接在基片上直寫納米級圖形的電子束光刻系統(tǒng)。電子束光刻技術起源于掃描電鏡，**早由德意志聯(lián)邦共和國杜平根大學的G．Mollenstedt等人在20世紀60年代提出。電子束曝光的波長取決于電子能量，電子能量越高，曝光的波長越短，大 體在10－6nm量級上，因而電子束光刻不受衍射極限的影響，所以電子束光刻可獲得接近于原子尺寸的分辨率。但是，由于電子束入射到抗蝕劑及基片上時，電子會與固體材料的原子發(fā)生“碰撞”產(chǎn)生電子散射現(xiàn)象，包括前散射和背散射電子，這些散射電子同樣也參與“曝光”，前散射電子波及范圍可在幾十納米，從基片上返回...

其主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經(jīng)過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統(tǒng)，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，形成集成電路制造所需要的光刻圖形。目 前EUV技 術 采 用 的 曝 光 波 長 為13．5nm，由于其具有如此短的波長，所有光刻中不需要再使用光學鄰近效應校正（OPC）技術，因而它可以把光刻技術擴展到32nm以下技術節(jié)點。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工藝晶圓，稱繼續(xù)使用193nm浸沒式光刻技術，并規(guī) 劃 與EUV及EBL...

世界三 大光刻機 生產(chǎn)商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm干式光刻機的基礎上改進研制而成，**降低了研發(fā)成本和風險。因為浸沒式光刻系統(tǒng)的原理清晰而且配合現(xiàn)有的光刻技術變動不大，目前193nm ArF準分子激光光刻技術在65nm以下節(jié)點半導體量產(chǎn)中已經(jīng)廣泛應用；ArF浸沒式光刻 技 術 在45nm節(jié) 點 上 是 大 生 產(chǎn) 的 主 流 技 術。為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節(jié)點上，光刻**一直在尋找新的技術，在沒有更好的新光刻技術出現(xiàn)前，兩次曝光技術（或者叫兩次成型技術，DPT）成為人們關 注 的 熱 點...

光刻系統(tǒng)SUSS是一種應用于半導體制造領域的工藝試驗儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實現(xiàn)0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統(tǒng)通過精密光學曝光技術完成微電子器件的圖形轉移，為集成電路研發(fā)和生產(chǎn)提供關鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]圖形分辨率：系統(tǒng)的光學成像系統(tǒng)可實現(xiàn)0.5μm的分辨率 [1]線寬控制：在標準工藝條件下能夠穩(wěn)定實現(xiàn)1μm的**小線寬加工 [1]該系統(tǒng)采用接觸式/接近式曝光原理，通過紫外光源實現(xiàn)掩模圖形向基片光刻膠的精確轉移。其精密對準機構可保證多次曝光時的套刻精度，適用于半導體器件研發(fā)階段的工藝驗證和小批量試...

01:50光刻機為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代，極紫外光刻技術就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14 nm的極端遠紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成，即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和能用于極紫外的光刻涂層。優(yōu)點：涂底均勻、避免顆粒污染；b、旋轉涂底。缺點：顆粒污染、涂底不均勻、HM...

對準對準方法：a、預對準，通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準；b、通過對準標志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外層間對準，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對準。曝光曝光中**重要的兩個參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現(xiàn)為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽...

兩種工藝常規(guī)光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現(xiàn)圖形的變換、轉移和處理，**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。①光復印工藝：經(jīng)曝光系統(tǒng)將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預涂在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上。②刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復進行。例如，大規(guī)模集成電路要經(jīng)過約10...

光刻技術是現(xiàn)代集成電路設計上一個比較大的瓶頸?，F(xiàn)cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統(tǒng)來實現(xiàn)的，但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術就會很好的解決此問題，很可能會使該領域帶來一次飛躍。但是涉及到生產(chǎn)成本問題，由于193納米光刻是當前能力**強且**成熟的技術，能夠滿足精確度和成本要求，所以其工藝的延伸性非常強，很難被取代。因而在2011年國際固態(tài)電路會議(ISSCC2011)上也提到，在光刻技術方面，22/20nm節(jié)點主要幾家芯片廠商也將繼續(xù)使用基于193nm液浸式光刻系統(tǒng)的雙重成像（doublepatterning）技術。...

制造掩模版，比較靈活。但由于其曝光效率低，主要用于實驗室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應大批量生產(chǎn)，如何進一步提高曝光速度是個難題。為了解決電子束光刻的效率問題，通常將其與其他光刻技術配合使用。例如為解決曝光效率問題，通常采用電子束光刻與光學光刻進行匹配與混合光刻的辦法，即大部分曝光工藝仍然采用現(xiàn)有十分成熟的半導體光學光刻工藝制備，只有納米尺度的圖形或者工藝層由電子束光刻實現(xiàn)。在傳統(tǒng)光學光刻技術逼近工藝極限的情況下，電子束光刻技術將有可能出現(xiàn)在與目前193i為**的光學曝光技術及EUV技術相匹配的混合光刻中，在實現(xiàn)10nm級光刻中起重要的作用。EUV光刻系統(tǒng)的發(fā)展歷經(jīng)應用基礎研究至量產(chǎn)四個階...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時，若采用適當?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負性光刻膠）、深紫外光...

得指出的是，EUV光刻技術的研發(fā)始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點（對應邏輯器件130nm節(jié)點）就能用上EUV光刻機 [1]?？墒牵@一技術一直達不到晶圓廠量產(chǎn)光刻所需要的技術指標和產(chǎn)能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻機仍然沒能投入量產(chǎn)。晶圓廠不得不使用193nm浸沒式光刻機，依靠雙重光刻的辦法來實現(xiàn)32nm存儲器件、20nm和14nm邏輯器件的生產(chǎn)。不斷延誤，對EUV技術來說，有利也有弊。一方面，它可以獲得更多的時間來解決技術問題，提高性能參數(shù)；另一方面，下一個技術節(jié)點會對EUV提出更高的要求。電子束光刻系統(tǒng)（如EBL 100KV）采用高穩(wěn)定性電子槍和精密偏轉...

b、堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力；c、進一步增強光刻膠與硅片表面之間的黏附性；d、進一步減少駐波效應（Standing Wave Effect）。常見問題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低***填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度（Overbake）。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，分辨率變差。另外還可以用深紫外線（DUV，Deep Ultra-Violet）堅膜。使正性光刻膠樹脂發(fā)生交聯(lián)形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠...

主要流程光復印工藝的主要流程如圖2：曝光方式常用的曝光方式分類如下：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光...

早在80年代，極紫外光刻技術就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14 nm的極端遠紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成，即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和能用于極紫外的光刻涂層。其主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經(jīng)過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統(tǒng)，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，...

01:50光刻機為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。早在80年代，極紫外光刻技術就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實 驗，該技術 的光源是波 長 為11～14 nm的極端遠紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成，即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和能用于極紫外的光刻涂層。c、焦距控片（Focus MC）：作為光刻機監(jiān)控焦距監(jiān)控；工業(yè)園區(qū)銷售光刻系...

兩種工藝常規(guī)光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現(xiàn)圖形的變換、轉移和處理，**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。①光復印工藝：經(jīng)曝光系統(tǒng)將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預涂在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上。②刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復進行。例如，大規(guī)模集成電路要經(jīng)過約10...

EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。根據(jù)瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高的光刻分辨率。換個角度講，使用193i與EUV光刻機曝同一個圖形，EUV的工藝的k1因子要比193i大。k1越大對應的光刻工藝就越容易；k1的極限是0.25，小于0.25的光刻工藝是不可能的。從32nm半周期節(jié)點開始（對應20nm邏輯節(jié)點），即使使用1.35NA的193nm浸沒式光刻機，k1因子也小于0.25。一次曝光無法分辨32nm半周期的圖形，必須使用雙重光刻技術。使用0.32NA的EUV光刻...

浸沒式光刻機是通過在物鏡與晶圓之間注入超純水，等效縮短光源波長并提升數(shù)值孔徑，從而實現(xiàn)更高分辨率的半導體制造**設備。2024年9月工信部文件顯示，國產(chǎn)氟化氬浸沒式光刻機套刻精度已達到≤8nm水平。該技術研發(fā)涉及浸液系統(tǒng)、光學控制等多項復雜工藝，林本堅團隊在浸液系統(tǒng)領域取得關鍵突破。目前國產(chǎn)ArF光刻機在成熟制程（如28nm）上有應用潛力，但與ASML同類產(chǎn)品仍存在代差 [1]。通過浸液系統(tǒng)在物鏡和晶圓之間填充超純水，將193nm的氟化氬激光等效縮短為134nm波長，同時將數(shù)值孔徑提升至1.35以上，***增強光刻分辨率 [1]。該技術相比干式光刻機，可突破物理衍射極限。關鍵尺寸控片（Crit...

所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展，這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時，半導體基片上如果有絕緣的介質膜，電子通過它時也會產(chǎn)生一定量的電荷積累，這些積累的電荷同樣會排斥后續(xù)曝光的電子，產(chǎn)生偏移，而不導電的絕緣體（如玻璃片）肯定不能采用電子束曝光。還有空間交變磁場、實驗室溫度變化等都會引起電子束曝光產(chǎn)生“漂移”現(xiàn)象。因此，即使擁有2nm電子束斑的曝 光 系統(tǒng)，要曝光出50nm以下的圖形結構也不容易。麻省理工學院（MIT）已經(jīng)采用的電子束光刻技術分辨率將推進到9nm。電子束直寫光刻可以不需要接觸式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。南通常見光刻系統(tǒng)規(guī)格尺寸...

浸沒式光刻技術所面臨的挑戰(zhàn)主要有：如何解決曝光中產(chǎn)生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發(fā)和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發(fā)折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以 及 有 效 數(shù) 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對 這 些 難 題 挑 戰(zhàn)，國 內 外 學 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 經(jīng) 做 了 相 關 研 究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數(shù)值孔徑發(fā)展，以滿足更小光刻線寬的要求。 [1]提高光刻技術分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩...

顯影中的常見問題：a、顯影不完全（Incomplete Development）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；b、顯影不夠（Under Development）。顯影的側壁不垂直，由顯影時間不足造成；c、過度顯影（Over Development）。靠近表面的光刻膠被顯影液過度溶解，形成臺階。顯影時間太長。硬烘方法：熱板，100～130C（略高于玻璃化溫度Tg），1～2分鐘。目的：a、完全蒸發(fā)掉光刻膠里面的溶劑（以免在污染后續(xù)的離子注入環(huán)境，例如DNQ酚醛樹脂光刻膠中的氮會引起光刻膠局部爆裂）；其技術發(fā)展歷經(jīng)紫外（UV）、深紫外（DUV）到極紫外（EUV）階段，推動集成電路制程不斷進步...

極紫外光刻系統(tǒng)是采用13.5納米波長極紫外光源的半導體制造**設備，可將芯片制程推進至7納米、5納米及更先進節(jié)點。該系統(tǒng)由荷蘭阿斯麥公司于2019年推出第五代產(chǎn)品，突破光學衍射極限，將摩爾定律物理極限推向新高度。2021年12月14日，中國工程院***發(fā)布的"2021全球**工程成就"將其列為近五年全球工程科技重大成果，評選標準包括**技術突破、系統(tǒng)集成創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)帶動效益三項維度 [1-7]。采用13.5納米波長的極紫外光源，突破傳統(tǒng)深紫外光刻193納米波長限制，通過多層鍍膜反射式光學系統(tǒng)實現(xiàn)更高精度曝光。該技術使芯片制程工藝節(jié)點從10納米推進至7納米、5納米及3納米水平，相較前代技術晶體管密...

2019年荷蘭阿斯麥公司推出新一代極紫外光刻系統(tǒng)，**了當今**的第五代光刻系統(tǒng)，可望將摩爾定律物理極限推向新的高度 [5]。中國工程院《Engineering》期刊于2021年組建跨學科評選委員會，通過全球**提名、公眾問卷等多階段評審，選定近五年內完成且具有全球影響力的**工程成就。極紫外光刻系統(tǒng)憑借三大**指標入選：原創(chuàng)性突破：開發(fā)新型等離子體光源與反射式光學系統(tǒng)系統(tǒng)創(chuàng)新：整合超精密機械、真空環(huán)境控制與實時檢測技術產(chǎn)業(yè)效益：支撐全球90%以上**芯片制造需求 [1] [3-4] [7]。方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）。徐州常見光刻系統(tǒng)...

極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的下一代光刻技術，其波長為13.5納米，預計將于2020年得到廣泛應用。幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收，因此，EUV光刻機的光學系統(tǒng)只有使用反光鏡 [1]。極紫外光刻的實際應用比原先估計的將近晚了10多年。 [2]下一代技術如納...