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深圳整流二極管公司

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-06

    顯示裝置300包括:其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光?;?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如,基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320,以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體材料或多晶硅。當(dāng)半導(dǎo)體層322包含氧化物半導(dǎo)體材料時(shí),可以在半導(dǎo)體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導(dǎo)體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋,使得可以防止半導(dǎo)體層322的熱降解。另一方面,當(dāng)半導(dǎo)體層322包含多晶硅時(shí),可以在半導(dǎo)體層322的兩側(cè)中摻雜雜質(zhì)。在半導(dǎo)體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無機(jī)絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導(dǎo)電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導(dǎo)體層322的中心相對(duì)應(yīng)。在圖6中,柵極絕緣層324形成在基板310的整個(gè)表面上?;蛘摺?qiáng)茂二極管原裝現(xiàn)貨。深圳整流二極管公司

    本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域,涉及一種基于負(fù)電源電壓對(duì)雪崩光電二極管的偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù):?jiǎn)喂庾犹綔y(cè)技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測(cè)技術(shù),它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的檢測(cè)。在目前所用的光電探測(cè)器中,具有單光子探測(cè)能力的探測(cè)器主要有兩種,即光電倍增管(photomultipliertube,pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode,apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡(jiǎn)稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測(cè)器根據(jù)其偏置電壓的不同,可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管,具有單光子探測(cè)能力,被廣泛應(yīng)用于單光子探測(cè)技術(shù)。單光子探測(cè)技術(shù)可被用于光子測(cè)距、國防、熒光壽命測(cè)量等各方面。隨著對(duì)探測(cè)器分辨率要求的提高,單光子探測(cè)技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展,陣列探測(cè)的一致性成為重要指標(biāo)。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān),但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題,因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制,apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。深圳貼片二極管廠家強(qiáng)茂肖特基二極管原裝現(xiàn)貨。

    其漏極連接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的柵極以及四電阻的一端;七nmos管的漏極連接五nmos管的源極,其源極連接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源極并接地;十pmos管的柵極連接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的柵極、十一pmos管的漏極和四電阻的另一端,其源極連接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源極并連接電源電壓,其漏極連接十一pmos管的源極;十二pmos管的漏極連接十三pmos管的源極,十四pmos管的漏極連接十五pmos管的源極,十六pmos管的漏極連接十七pmos管的源極;十八pmos管的柵極作為所述一運(yùn)算放大器的正相輸入端,其源極連接十九pmos管的源極和十三pmos管的漏極,其漏極連接一nmos管的源極和三nmos管的漏極;十九pmos管的柵極作為所述一運(yùn)算放大器的反相輸入端,其漏極連接二nmos管的源極和四nmos管的漏極;三nmos管的柵極連接四nmos管的柵極以及十五pmos管和一nmos管的漏極;二nmos管的柵極連接一nmos管的柵極以及一偏置電壓,其漏極連接十七pmos管的漏極并作為所述一運(yùn)算放大器的輸出端。本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明提出的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路利用運(yùn)放在像素外構(gòu)建偏置電壓產(chǎn)生電路。

    本實(shí)施例提出的折疊式共源共柵運(yùn)放以pmos管作為輸入對(duì)管,其中十八pmos管m9的柵極即vip端為正相輸入端,十九pmos管m10的柵極vin端為反相輸入端。選擇使用p管作為輸入對(duì)主要是出于對(duì)共模輸入范圍的考慮。因?yàn)樵撨\(yùn)放需鉗位步進(jìn)電壓和0v的電壓,倘若使用nmos管作為輸入對(duì),為了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管處于飽和區(qū),則nmos輸入對(duì)的源端電壓應(yīng)該大于三nmos管m13(四nmos管m14)的過驅(qū)動(dòng)電壓,共模輸入范圍比較低點(diǎn)vgs9+vov13,vgs9為十八pmos管mp9的柵源電壓,vov13為三nmos管m13的過驅(qū)電壓。不妨假設(shè)vov13=,nmos的閾值電壓vth=,步進(jìn)電壓為,很明顯其共模輸入范圍比較低點(diǎn)為,,因此不能使用nmos輸入對(duì)。此外,當(dāng)使用pmos輸入對(duì)管時(shí),其漏端電壓的大小也應(yīng)該滿足三nmos管m13(四nmos管m14)處于飽和區(qū)對(duì)于三nmos管m13(m14)的vds的要求。為了保證輸入對(duì)管處于飽和區(qū),柵漏之間的電壓差應(yīng)該小于p管的閾值電壓,所以當(dāng)對(duì)管的漏極電壓不變時(shí),閾值電壓越大,輸入電壓所能到達(dá)的比較低電壓就會(huì)越小,也即其共模輸入范圍越大。所以本發(fā)明創(chuàng)新地采用了將p輸入對(duì)管的襯底接到比較高電位,輸入對(duì)管的閾值電壓會(huì)因襯底偏置效應(yīng)而增大。捷捷微二極管一級(jí)代理商。

    并發(fā)送給該微控制器15;該微控制器15控制并獲取該發(fā)光二極管11的電流值,該驅(qū)動(dòng)板12依據(jù)該電流值驅(qū)動(dòng)該發(fā)光二極管11;該微控制器15依據(jù)該良好溫度值和該良好壓差值,調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行良好對(duì)比,依據(jù)該良好對(duì)比的結(jié)果對(duì)該良好壓差值進(jìn)行校準(zhǔn)后,獲取第二壓差值,良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統(tǒng)計(jì)表;圖2是根據(jù)發(fā)明實(shí)施例的壓降和溫度的初始工作統(tǒng)計(jì)示意圖,如圖2所示,發(fā)光二極管的正向壓降是隨溫度變化而改變的曲線,是大小偏移的曲線,且該發(fā)光二極管11的正向壓降的偏移量與工作溫度呈負(fù)相關(guān),例如,該良好壓差值可以依據(jù)該正向壓降的曲線進(jìn)行校準(zhǔn),調(diào)整為第二壓差值,該發(fā)光二極管11出廠前,對(duì)可以進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的工作測(cè)試,例如,進(jìn)行500小時(shí)的工作測(cè)試,該微控制器15記錄發(fā)光二極管正常工作在不同溫度下的正向壓降,,依據(jù)該正向壓降的偏移量生成該良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表,該良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表用于對(duì)該良好壓差值進(jìn)行校準(zhǔn),生成該第二壓差值。該微控制器15依據(jù)該第二壓差值和該電流值,調(diào)用預(yù)存儲(chǔ)的第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表進(jìn)行第二對(duì)比,第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表為該發(fā)光二極管的初始?jí)翰钪岛统跏茧娏髦到y(tǒng)計(jì)表,在該第二對(duì)比的結(jié)果不符合預(yù)設(shè)閾值的情況下。華南強(qiáng)茂二極管代理商公司。惠州發(fā)光二極管廠家

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    背景技術(shù)::隨著對(duì)占用面積小的平板顯示裝置的需求增加,包括有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置已成為近來研究和開發(fā)的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中,使電子與空穴結(jié)合,生成激子,并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)來發(fā)光??梢允褂萌嵝曰謇缢芰匣遄鳛樵谄渲行纬稍幕A(chǔ)基板。此外,有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運(yùn)行所需的電壓更低的電壓(例如,10v或更低)下運(yùn)行。此外,有機(jī)發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢(shì)。oled包括:在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機(jī)發(fā)光層。為了改善發(fā)光效率,有機(jī)發(fā)光層可以包括順序堆疊在電極上的選自空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子阻擋層(ebl)、發(fā)光材料層(eml)、空穴阻擋層(hbl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的一個(gè)或更多個(gè)層。來自電極的空穴通過hil和htl被提供到eml中,以及來自第二電極的電子通過eil和etl被提供到eml中。空穴和電子在eml中結(jié)合生成激子。激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài),使得從oled中發(fā)射光。另一方面,在照明裝置和/或顯示裝置中使用白色oled(w-oled)。例如。深圳整流二極管公司

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標(biāo)簽: 二極管 電容 電阻