背景技術：：隨著對占用面積小的平板顯示裝置的需求增加，包括有機發(fā)光二極管(oled)的有機發(fā)光顯示裝置已成為近來研究和開發(fā)的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中，使電子與空穴結合，生成激子，并使激子從激發(fā)態(tài)轉變成基態(tài)來發(fā)光?？梢允褂萌嵝曰謇缢芰匣遄鳛樵谄渲行纬稍幕A基板。此外，有機發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運行所需的電壓更低的電壓(例如，10v或更低)下運行。此外，有機發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢。oled包括：在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機發(fā)光層。為了改善發(fā)光效率，有機發(fā)光層可以包括順序堆疊在電極上的選自空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子阻擋層(ebl)、發(fā)光材料層(eml)、空穴阻擋層(hbl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的一個或更多個層。來自電極的空穴通過hil和htl被提供到eml中，以及來自第二電極的電子通過eil和etl被提供到eml中?？昭ê碗娮釉趀ml中結合生成激子。激子從激發(fā)態(tài)轉變成基態(tài)，使得從oled中發(fā)射光。另一方面，在照明裝置和/或顯示裝置中使用白色oled(w-oled)。例如。廣東樂山二極管代理商公司。潮州開關二極管穩(wěn)壓

    在這種情況下，半導體層可以包含非晶硅。盡管未示出，但是柵極線和數據線彼此交叉以限定像素區(qū)域，并且形成切換tft以與柵極線和數據線連接。切換tft與作為驅動元件的tfttr連接。此外，還可以形成電力線，所述電力線可以形成為與柵極線和數據線中的一者平行并間隔開；和用于在一幀中保持tfttr的柵極電極的電壓的存儲電容器。形成有鈍化層350以覆蓋tfttr，鈍化層350包括暴露tfttr的漏電極342的漏極接觸孔352。在各像素中單獨形成有電極220，電極220通過漏極接觸孔352與tfttr的漏電極342連接。電極220可以為陽極，并且可以由具有相對高的功函數的導電材料形成。例如，電極220可以由透明導電材料例如ito或izo形成。可以在電極220下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。在鈍化層350上形成有堤層360以覆蓋電極220的邊緣。即，堤層360被定位在像素的邊界并且暴露像素中的電極220的中心。堤層360可以省略。在電極220上形成有有機發(fā)光層290。參照圖5，有機發(fā)光層290包括發(fā)光部分250，發(fā)光部分250包括有eml240；和第二發(fā)光部分270，第二發(fā)光部分270包括有第二eml260。例如。遼寧開關二極管代理原裝捷捷微二極管采購。

    ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實施例8(ex8)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：20重量％，磷光摻雜劑：％)11.實施例9(ex9)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：20重量％，磷光摻雜劑：％)12.實施例10(ex10)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：40重量％，磷光摻雜劑：％)13.實施例11(ex11)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％。

    顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體材料或多晶硅。當半導體層322包含氧化物半導體材料時，可以在半導體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋，使得可以防止半導體層322的熱降解。另一方面，當半導體層322包含多晶硅時，可以在半導體層322的兩側中摻雜雜質。在半導體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無機絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導體層322的中心相對應。在圖6中，柵極絕緣層324形成在基板310的整個表面上?；蛘?。樂山整流二極管原裝現(xiàn)貨。

    具體實施方式下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細的描述。本發(fā)明提出一種基于負壓調節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產生模塊和像素內偏壓調節(jié)模塊，如圖1所示，像素外偏置電壓產生模塊包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2，一運算放大器op1的正相輸入端連接基準電壓vref，其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1，其輸出端連接一pmos管mp1的柵極；一pmos管mp1的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管mp2的柵極并通過一電阻r1后連接負電源電壓vne；二運算放大器op2的正相輸入端接地，其反相輸入端連接四pmos管mp4的源極和二電流源i2，其輸出端連接三pmos管mp3的柵極；三pmos管mp3的源極連接電源電壓，其漏極連接四pmos管mp4的柵極并通過二電阻r2后連接負電源電壓vne；二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏極連接負電源電壓vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于產生一運算放大器op1和二運算放大器op2的反相輸入端信號，一電流源i1和二電流源i2用于為二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置電流。東莞樂山二極管代理商公司。溫州肖特基 二極管代理商

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    圖4是根據本發(fā)明實施例的一種發(fā)光二極管的控制系統(tǒng)的結構框圖二，如圖4所示，該系統(tǒng)還包括報警電路21，所述報警電路21與所述微控制器15電性連接，在所述第二對比的結果超出第二校準數據表的合理范圍的情況下，所述微控制器15發(fā)送報警信號給所述報警電路21，所述報警電路21進行報警，該報警電路21可以為發(fā)光設備的燈光報警，也可以是發(fā)聲設備的聲音報警。在一個實施例中，該驅動板12與該發(fā)光二極管11連接，微控制器15控制該驅動板15給該發(fā)光二管11輸出電流的大小，該微控制器15可以設置一個變化的電流值范圍，驅動板12將變化的電流值輸出給該發(fā)光二極管11，該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信號，依據該pwm信號和預設的最大電流值，確定該驅動板12輸入給該發(fā)光二極管11的該電流值，確定的過程包括：輸出電流＝pwm占空比*設置的最大電流，實現(xiàn)發(fā)光二極管11電流的精細控制。在一個實施例中，在該電壓采集電路13是運算差分電路的情況下，通過運算差分電路接入該發(fā)光二極管11的兩端，獲取該發(fā)光二極管11的壓差值。例如，圖5是根據本發(fā)明實施例的運放差分輸入電路的示意圖，如圖5所示，該發(fā)光二極管11兩端的電壓分別為v1和v2，輸出的電壓vout如公式1所示：當r1＝r3。潮州開關二極管穩(wěn)壓

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