參數(shù)解釋:泄漏電流是指電器在正常工作時(shí),其火線與零線之間產(chǎn)生的極為微小的電流,相當(dāng)于一般電器的靜電一樣,測(cè)試時(shí)用泄漏電流測(cè)試儀,主要測(cè)試其L極與N極。------摘自百度百科)比較大額定參數(shù)(25℃):Ppp(脈沖峰值功率)600WTj(結(jié)溫)-55到150℃Tstg(儲(chǔ)存溫度)-65到150℃TL(10s焊接過程中比較大焊接溫度)260℃(25℃):VRM=5VVBR=VCL=(10/1000us)VCL=(8/20us)因此在選擇TVS瞬態(tài)抑制二極管的過程中,我們需要重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù)為VRM反向關(guān)斷電壓即為電路正常工作時(shí)的電壓,脈沖峰值電流要小于IPP,VCL鉗位電壓在電路遇到浪涌沖擊時(shí)后端電路正常工作時(shí)可接受的比較大輸入電壓應(yīng)大于鉗位電壓。命名規(guī)則:SM:器件封裝形式B:脈沖峰值功率B=600W0:反向關(guān)斷電壓A:單向CA:雙向。廣東強(qiáng)茂二極管代理商公司。北京樂山無線電二極管代理
本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域,涉及一種基于負(fù)電源電壓對(duì)雪崩光電二極管的偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù):?jiǎn)喂庾犹綔y(cè)技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測(cè)技術(shù),它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的檢測(cè)。在目前所用的光電探測(cè)器中,具有單光子探測(cè)能力的探測(cè)器主要有兩種,即光電倍增管(photomultipliertube,pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode,apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡(jiǎn)稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測(cè)器根據(jù)其偏置電壓的不同,可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管,具有單光子探測(cè)能力,被廣泛應(yīng)用于單光子探測(cè)技術(shù)。單光子探測(cè)技術(shù)可被用于光子測(cè)距、國防、熒光壽命測(cè)量等各方面。隨著對(duì)探測(cè)器分辨率要求的提高,單光子探測(cè)技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展,陣列探測(cè)的一致性成為重要指標(biāo)。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān),但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題,因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制,apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。貼片二極管代理商強(qiáng)茂整流二極管原裝現(xiàn)貨。
r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據(jù)實(shí)施方案13所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述基質(zhì)選自式8:[式8]15.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管,還包括:包含藍(lán)色摻雜劑并布置在所述發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第二發(fā)光材料層;和在所述發(fā)光材料層與所述第二發(fā)光材料層之間的電荷生成層。16.根據(jù)實(shí)施方案15所述的有機(jī)發(fā)光二極管,還包括:包含第二藍(lán)色摻雜劑并布置在所述電極與所述發(fā)光材料層之間的第三發(fā)光材料層;和在所述發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據(jù)實(shí)施方案15所述的有機(jī)發(fā)光二極管,還包括:包含第二延遲熒光摻雜劑和第二磷光摻雜劑并布置在所述第二發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第三發(fā)光材料層;以及在所述第二發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。18.根據(jù)實(shí)施方案17所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述第二延遲熒光摻雜劑為綠色摻雜劑,以及所述第二磷光摻雜劑為紅色摻雜劑。19.根據(jù)實(shí)施方案18所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述第二磷光摻雜劑相對(duì)于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在%至%的范圍內(nèi)。
柵極絕緣層324可以被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀。在柵極電極330上形成有由絕緣材料形成的層間絕緣層332。層間絕緣層332可以由無機(jī)絕緣材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有機(jī)絕緣材料(例如苯并環(huán)丁烯或光壓克力(photo-acryl))形成。層間絕緣層332包括暴露半導(dǎo)體層322的兩側(cè)的接觸孔334和第二接觸孔336。接觸孔334和第二接觸孔336被定位在柵極電極330的兩側(cè)以與柵極電極330間隔開。接觸孔334和第二接觸孔336形成為穿過柵極絕緣層324?;蛘撸?dāng)柵極絕緣層324被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀時(shí),接觸孔334和第二接觸孔336形成為只穿過層間絕緣層332。在層間絕緣層332上形成有由導(dǎo)電材料(例如金屬)形成的源電極340和漏電極342。源電極340和漏電極342相對(duì)于柵極電極330彼此間隔開,并且分別通過接觸孔334和第二接觸孔336接觸半導(dǎo)體層322的兩側(cè)。半導(dǎo)體層322、柵極電極330、源電極340和漏電極342構(gòu)成tfttr。tfttr用作驅(qū)動(dòng)元件。在tfttr中,柵極電極330、源電極340和漏電極342被定位在半導(dǎo)體層322上方。即,tfttr具有共面結(jié)構(gòu)?;蛘?,在tfttr中,柵極電極可以被定位在半導(dǎo)體層下方,并且源電極和漏電極可以被定位在半導(dǎo)體層上方,使得tfttr可以具有倒置交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。強(qiáng)茂穩(wěn)壓二極管原裝現(xiàn)貨。
有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)發(fā)光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15%、17%、19%、20%、21%、23%或甚至25%。應(yīng)理解,前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的,并且旨在提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。附圖說明附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分,舉例說明了本發(fā)明的實(shí)施方案并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1為根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)光機(jī)理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)射光譜的圖。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容的照明裝置的示意性截面圖。圖5為根據(jù)本公開內(nèi)容的第二實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。圖6為根據(jù)本公開內(nèi)容的顯示裝置的示意性截面圖。圖7為根據(jù)本公開內(nèi)容的第三實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。圖8為根據(jù)本公開內(nèi)容的第四實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)將詳細(xì)參照推薦實(shí)施方案,其實(shí)例在附圖中示出。圖1為根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。如圖1所示。廣東樂山二極管代理商公司。汕頭二極管代理商
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ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)7.實(shí)施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)8.實(shí)施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)9.實(shí)施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)10.實(shí)施例8(ex8)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:20重量%,磷光摻雜劑:%)11.實(shí)施例9(ex9)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:20重量%,磷光摻雜劑:%)12.實(shí)施例10(ex10)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:40重量%,磷光摻雜劑:%)13.實(shí)施例11(ex11)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%。北京樂山無線電二極管代理
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