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北京設(shè)備DDR3測(cè)試

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-26

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具,單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話(huà)框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)話(huà)框中選擇ParallelBusAnalysis模塊,單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話(huà)框在NewWorkspace對(duì)話(huà)框中選擇Createbytemplate單選框,選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字,單擊0K按鈕。如圖4-36所示,左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型。雙擊Controller模塊,在工作區(qū)下方彈出Property界面,左側(cè)為Block之間的連接信息,右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕,彈出LoadIBIS對(duì)話(huà)框。 什么是DDR3內(nèi)存的一致性問(wèn)題?北京設(shè)備DDR3測(cè)試

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DDR3(Double Data Rate 3)是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見(jiàn)的時(shí)序要求:

初始時(shí)序(Initialization Timing)tRFC:內(nèi)存行刷新周期,表示在關(guān)閉時(shí)需要等待多久才能開(kāi)啟并訪問(wèn)一個(gè)新的內(nèi)存行。tRP/tRCD/tRA:行預(yù)充電時(shí)間、行開(kāi)放時(shí)間和行訪問(wèn)時(shí)間,分別表示在執(zhí)行讀或?qū)懖僮髦靶枰A(yù)充電的短時(shí)間、行打開(kāi)后需要等待的短時(shí)間以及行訪問(wèn)的持續(xù)時(shí)間。tWR:寫(xiě)入恢復(fù)時(shí)間,表示每次寫(xiě)操作之間小需要等待的時(shí)間。數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序(Data Transfer Timing)tDQSS:數(shù)據(jù)到期間延遲,表示內(nèi)存控制器在發(fā)出命令后應(yīng)該等待多長(zhǎng)時(shí)間直到數(shù)據(jù)可用。tDQSCK:數(shù)據(jù)到時(shí)鐘延遲,表示從數(shù)據(jù)到達(dá)內(nèi)存控制器到時(shí)鐘信號(hào)的延遲。tWTR/tRTW:不同內(nèi)存模塊之間傳輸數(shù)據(jù)所需的小時(shí)間,包括列之間的轉(zhuǎn)換和行之間的轉(zhuǎn)換。tCL:CAS延遲,即列訪問(wèn)延遲,表示從命令到讀或?qū)懖僮鞯挠行?shù)據(jù)出現(xiàn)之間的延遲。刷新時(shí)序(Refresh Timing)tRFC:內(nèi)存行刷新周期,表示多少時(shí)間需要刷新一次內(nèi)存行。 信息化DDR3測(cè)試修理DDR3一致性測(cè)試是否適用于超頻內(nèi)存模塊?

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有其特殊含義的,也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是,在筆者接觸過(guò)的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中,很多人還不能夠說(shuō)清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫(xiě)入(Write)時(shí)序圖中,所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的,而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位,因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下,對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中,所有信號(hào)是DDR芯片輸出的,并且DQ和DQS信號(hào)是同步的,都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣,DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡(jiǎn)單,是要把邏輯設(shè)計(jì)的復(fù)雜性留在控制器一端,從而使得外設(shè)(DDR存儲(chǔ)心片)的設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單而廉價(jià)。因此,對(duì)于DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言,信號(hào)完整性仿真和分析的大部分工作,實(shí)質(zhì)上就是要保證這兩個(gè)時(shí)序圖的正確性。

DDR3: DDR3釆用SSTL_15接口,I/O 口工作電壓為1.5V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz;數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過(guò)差分選通信號(hào)雙沿釆樣;地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps;數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹(shù)形拓?fù)?,時(shí)鐘/地址/命令/控制信號(hào)則改用Fly-by的拓?fù)洳季€;數(shù)據(jù)和選 通信號(hào)有動(dòng)態(tài)ODT功能;使用Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間因不同拓?fù)湟鸬?延時(shí)偏移,以滿(mǎn)足時(shí)序要求。DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試包括哪些內(nèi)容?

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DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后,不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒(méi)有?對(duì)于一般信號(hào)而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問(wèn)題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中,我們可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn),是沒(méi)有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?,在DDR中,信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值,而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小,而申壓和時(shí)間的積分值,就是能量!因此,對(duì)于DDR信號(hào)而言,其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小,而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的,而且能量信號(hào)這個(gè)特性,會(huì)延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中,我們會(huì)在DDR2和DDR3的信號(hào)體制中,更加深刻地感覺(jué)到能量信號(hào)對(duì)于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然,除了能量的累積不能超過(guò)AC規(guī)范外,比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過(guò)極限,否則,無(wú)需能量累積,足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3一致性測(cè)試期間會(huì)測(cè)試哪些方面?陜西DDR3測(cè)試方案商

DDR3一致性測(cè)試需要運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間?北京設(shè)備DDR3測(cè)試

可以通過(guò)AllegroSigritySI仿真軟件來(lái)仿真CLK信號(hào)。

(1)產(chǎn)品選擇:從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。

(2)在產(chǎn)品選擇界面選項(xiàng)中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開(kāi)DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當(dāng)前DDR_文件的同一目錄下,這樣,工具會(huì)自動(dòng)?xùn)苏业侥夸浵碌钠骷P汀?北京設(shè)備DDR3測(cè)試