場(chǎng)效應(yīng)管（fet）是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。

場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管，但稍不注意，也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較

（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。

（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。

（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。 在手機(jī)、筆記本電腦、電動(dòng)自行車、新能源汽車等設(shè)備的電池管理系統(tǒng)中，商甲半導(dǎo)體多款中低壓產(chǎn)品廣泛應(yīng)用。工程電子元器件MOSFET價(jià)格行情

MOS管封裝

TO-220與TO-220F

TO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時(shí)，由于成本因素，TO-220的價(jià)格也相對(duì)較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場(chǎng)合，其電流范圍在120A以下，同時(shí)也可用于高壓大電流場(chǎng)合，但電流需控制在20A以內(nèi)。

TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時(shí)也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。 工程電子元器件MOSFET價(jià)格行情選擇 MOSFET、IGBT，商甲半導(dǎo)體是專業(yè)供應(yīng)商，深耕研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。

MOS管應(yīng)用場(chǎng)景

LED照明

LED電源是各種LED照明產(chǎn)品，如LED燈管、LED燈泡、LED投光燈等產(chǎn)品必備的，在汽車照明領(lǐng)域，MOS管也為汽車LED照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的驅(qū)動(dòng)電壓。MOS管在LED驅(qū)動(dòng)電源中可以作為開關(guān)使用，通過調(diào)節(jié)其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)，可以控制LED的電流，從而實(shí)現(xiàn)LED的亮滅和調(diào)光功能。在恒流源設(shè)計(jì)中，MOS管能夠精確控制通過LED的電流，確保LED在安全、穩(wěn)定的電流下工作，避免因電流過大而損壞。MOS管具有過壓、過流等保護(hù)功能。當(dāng)檢測(cè)到異常電壓或電流時(shí)，MOS管可以迅速切斷電源，保護(hù)LED和驅(qū)動(dòng)電路不受損害。

在LED調(diào)光的應(yīng)用上，MOS管主要通過脈寬調(diào)制（PWM）技術(shù)實(shí)現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)。它主要作為開關(guān)使用，通過調(diào)節(jié)其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)來控制LED的電流，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光功能。通過PWM信號(hào)控制MOS管的開關(guān)狀態(tài)，從而調(diào)節(jié)LED的亮度。當(dāng)PWM信號(hào)的占空比增加時(shí)，MOS管導(dǎo)通的時(shí)間增加，LED亮度增加；反之，當(dāng)占空比減小時(shí)，LED亮度降低?。

  金屬–氧化物–半導(dǎo)體晶體管（MOSFET）是一種采用平面技術(shù)制造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中。作為半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的**技術(shù)之一，MOSFET主要用作二進(jìn)制計(jì)算的邏輯電路，在數(shù)字電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用。根據(jù)工作機(jī)制的不同，MOSFET可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類，以適應(yīng)不同的電路設(shè)計(jì)需求.

  金屬–氧化物–半導(dǎo)體晶體管用平面技術(shù)制造的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 [1]。該技術(shù)通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道，從而實(shí)現(xiàn)電流的開關(guān)與放大。

商甲半導(dǎo)體MOSFET用于適配器（筆記本電腦、打印機(jī)等）--更輕、更便捷;

選擇MOS管的指南

評(píng)估熱性能

選定額定電流后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗。實(shí)際中，MOS管并非理想器件，導(dǎo)電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電能損耗，即導(dǎo)通損耗。這一損耗與器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計(jì)者需評(píng)估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時(shí)需要考慮結(jié)溫和熱阻。

功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計(jì)算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導(dǎo)通電阻受溫度影響，功率損耗也會(huì)相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越小；反之亦然。

在變頻器和逆變器中，MOSFET用于控制交流電機(jī)的速度和扭矩.北京電子元器件MOSFET技術(shù)

商甲半導(dǎo)體的MOSFET是汽車電子中的重要元器件。工程電子元器件MOSFET價(jià)格行情

針對(duì)無刷電機(jī)中MOS管的應(yīng)用，推薦使用商甲半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列，

其優(yōu)勢(shì)：采用SGT 工藝，突破性的FOM優(yōu)化，覆蓋更多的應(yīng)用場(chǎng)景；極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率?？筛鶕?jù)客戶方案需求，對(duì)應(yīng)器件選型檔位，進(jìn)行支持。

采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù)，提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同步整流等領(lǐng)域中。隨著無人機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展和廣泛應(yīng)用，對(duì)于低壓MOS技術(shù)的需求將進(jìn)一步增加。無人機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，它將為無人機(jī)的性能提升、功能拓展和安全保障提供強(qiáng)大支持 工程電子元器件MOSFET價(jià)格行情