與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。

電子元件場效應管的原理

（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；

（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

（5）場效應管的抗輻射能力強；

（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。 商甲半導體MOSFET用于適配器（筆記本電腦、打印機等）--更輕、更便捷;紹興電子元器件MOSFET供應商

場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；

按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

結型場效應管（JFET）

1、結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。場效應管電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。

2、結型場效應管的工作原理(以N溝道結型場效應管為例)，N溝道結構型場效應管的結構及符號，由于PN結中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。 紹興電子元器件MOSFET供應商MOSFET、IGBT 選商甲半導體，專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，與晶圓代工廠緊密合作。

NMOS 和 PMOS 晶體管之間有什么區(qū)別？

NMOS（N 溝道金屬氧化物半導體）和 PMOS（P 溝道金屬氧化物半導體）晶體管是 MOSFET 的兩種類型，它們在溝道所用半導體材料類型上有所不同。NMOS 晶體管使用 n 型材料，而 PMOS 晶體管則使用襯底的 p 型材料。NMOS 中創(chuàng)建的是 n 型導電溝道，而 PMOS 中創(chuàng)建的是 p 型導電溝道。因此，NMOS 晶體管通過向柵極施加正電壓來開啟，而 PMOS 晶體管則通過向柵極施加負電壓來開啟。

MOS 和 PMOS 晶體管有多種應用，

包括數(shù)字電路 ：邏輯門、微處理器、存儲芯片

模擬電路 ：放大器、濾波器、振蕩器

電力電子 : 電源轉換器，電機驅動器

傳感和執(zhí)行系統(tǒng) : 機器人、航空航天、工業(yè)自動化 。

RF 系統(tǒng) : 無線通信、雷達。

MOS管應用場景

LED照明

LED電源是各種LED照明產(chǎn)品，如LED燈管、LED燈泡、LED投光燈等產(chǎn)品必備的，在汽車照明領域，MOS管也為汽車LED照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定、高效的驅動電壓。MOS管在LED驅動電源中可以作為開關使用，通過調節(jié)其導通和截止狀態(tài)，可以控制LED的電流，從而實現(xiàn)LED的亮滅和調光功能。在恒流源設計中，MOS管能夠精確控制通過LED的電流，確保LED在安全、穩(wěn)定的電流下工作，避免因電流過大而損壞。MOS管具有過壓、過流等保護功能。當檢測到異常電壓或電流時，MOS管可以迅速切斷電源，保護LED和驅動電路不受損害。

在LED調光的應用上，MOS管主要通過脈寬調制（PWM）技術實現(xiàn)亮度調節(jié)。它主要作為開關使用，通過調節(jié)其導通和截止狀態(tài)來控制LED的電流，從而實現(xiàn)調光功能。通過PWM信號控制MOS管的開關狀態(tài)，從而調節(jié)LED的亮度。當PWM信號的占空比增加時，MOS管導通的時間增加，LED亮度增加；反之，當占空比減小時，LED亮度降低?。 在手機、筆記本電腦、電動自行車、新能源汽車等設備的電池管理系統(tǒng)中，商甲半導體多款中低壓產(chǎn)品廣泛應用。

選擇MOS管的指南

評估熱性能

選定額定電流后，還需計算導通損耗。實際中，MOS管并非理想器件，導電時會產(chǎn)生電能損耗，即導通損耗。這一損耗與器件的導通電阻RDS(ON)相關，并隨溫度明顯變化。設計者需評估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時需要考慮結溫和熱阻。

功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導通電阻受溫度影響，功率損耗也會相應變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越??；反之亦然。

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場效應管（fet）是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應用。

場效應器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內置了保護二極管，但稍不注意，也會損壞。所以在應用中還是小心為妙。

場效應管與晶體管的比較

（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

（2）場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。

（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。 紹興電子元器件MOSFET供應商