二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結。PN結具有單向導電性,在PN結外加正向電壓V,在這個外加電場的作用下,PN結的平衡狀態(tài)被打破,P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結方向移動,空穴和PN結P區(qū)的負離子中和,電子和PN結N區(qū)的正離子中和,這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加,擴散運動進一步增強,漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓,PN結相當于一個阻值很小的電阻,也就是PN結導通。英飛凌二極管模塊采用PressFIT壓接技術,簡化安裝流程,降低工業(yè)自動化設備的維護成本。大科二極管產品介紹
外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結內電場被克服,二極管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內,導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V,鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。 寧夏二極管購買利用 PN 結單向導電性,二極管模塊在電路中實現電流單向導通,阻斷反向電流。
1. 外觀檢查首先觀察二極管的外觀是否有破損、裂紋等現象。如果發(fā)現異常情況,應立即更換該二極管。2. 性能測試使用萬用表對二極管進行測量,通過觀察其電阻值或電壓值來判斷其是否正常工作。如果測得的電阻值或電壓值不在正常范圍內,則說明該二極管存在故障。3. 更換測試如果無法確定二極管是否存在故障,可以嘗試更換一個新的同型號二極管進行測試。如果更換后故障消失,則說明原來的二極管存在故障。
注意事項
1. 在使用萬用表進行測量時,應該注意紅黑表筆的正確連接,以避免測量結果錯誤。
2. 選擇合適的量程進行測量,以避免損壞萬用表或二極管。
3. 在更換二極管時,應該注意同型號、同規(guī)格的二極管進行更換,以保證其正常工作。
高電壓二極管模塊(耐壓超過3kV)通常用于高壓直流輸電(HVDC)、軌道交通和工業(yè)變頻器等場景。這類模塊的設計面臨多項挑戰(zhàn),包括耐壓隔離、電場均布和散熱管理。為解決這些問題,制造商常采用多層DBC基板、分段屏蔽結構以及高性能絕緣材料(如AlN陶瓷)。此外,高電壓模塊還需通過嚴格的局部放電測試和熱循環(huán)驗證,以確保長期可靠性。例如,在風電變流器中,高壓二極管模塊需承受頻繁的功率波動和惡劣環(huán)境條件,因此其封裝工藝和材料選擇尤為關鍵。未來,隨著SiC和GaN技術的成熟,高壓二極管模塊的性能和功率密度將進一步提升。 Infineon二極管模塊通過AEC-Q101認證,抗沖擊性強,適用于汽車電子等高可靠性場景。
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時,PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 額定正向平均電流(IF)是二極管模塊的關鍵參數,需匹配電路最大工作電流。山西檢波二極管
SEMIKRON整流二極管模塊具有出色的抗浪涌能力,適用于工業(yè)變頻器和高壓直流輸電系統。大科二極管產品介紹
二極管模塊在電動汽車中的高壓整流與隔離電動汽車的OBC(車載充電機)和DC-DC轉換器依賴高壓二極管模塊實現高效能量轉換。例如,碳化硅(SiC)肖特基二極管模塊可承受1200V以上電壓,開關損耗比硅器件降低70%,明顯提升充電速度并減少散熱需求。在電池管理系統(BMS)中,隔離二極管模塊防止不同電池組間的異常電流倒灌,確保高壓安全。模塊的環(huán)氧樹脂密封和銅基板設計滿足車規(guī)級抗震、防潮要求(如AEC-Q101認證),適應嚴苛的汽車電子環(huán)境。未來,隨著800V高壓平臺普及,SiC和GaN二極管模塊將成為主流。 大科二極管產品介紹